[发明专利]芯片和芯片装置有效
| 申请号： | 201410143506.8 | 申请日： | 2014-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN104103680B | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | R·奥特雷姆巴;J·赫格劳尔;J·施雷德尔;X·施勒格尔;K·希斯 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 各个实施例提供了一种芯片和芯片装置。芯片可以包括具有两个主表面和多个侧表面的本体；在本体的至少一个主表面和至少一个侧表面之上延伸的第一功率电极；以及在本体的至少一个主表面和至少一个侧表面之上延伸的第二功率电极。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 装置 | ||
【主权项】：
一种芯片，包括：本体，包括第一主表面和第二主表面以及多个侧表面；第一功率电极，在所述本体的所述第一主表面和所述第二主表面的至少一部分以及至少一个侧表面之上延伸；第二功率电极，在所述本体的所述第一主表面和所述第二主表面中的至少一个主表面和至少一个侧表面之上延伸；还包括至少一个过孔，所述至少一个过孔穿过所述本体从所述第一功率电极的在所述第一主表面之上延伸的部分延伸至所述第一功率电极的在所述第二主表面之上延伸的部分。
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- 本发明提出了一种形成在半导体衬底上的场效应管，栅极、源极和漏极区形成在半导体衬底上，所述的栅极区具有一个横向栅极通道。多个空间分离的沟槽都带有一个导电插头，并与所述的栅极、源极和漏极区电连接，所述的沟槽从所述的半导体衬底表面开始，延伸到可控的深度。沟槽接头将源极区和本体区短接。源极接头与所述的源极区电连接，漏极接头与所述的漏极区电连接，所述的源极和漏极接头设置在所述的栅极通道对边上。
- TFT阵列基板及其制作方法-201610060834.0
- 李安石 - 武汉华星光电技术有限公司
- 2016-01-28 - 2018-10-26 - H01L29/417
- 本发明提供一种TFT阵列基板及其制作方法，该TFT阵列基板中的源极(801)与漏极(802)包括自下而上层叠设置的第一钼层(811)、第一铝层(812)、第二铝层(813)、及第二钼层(814)，所述第一铝层(812)与第二铝层(813)的表面均分布有多个毛刺(8120)，且所述第二铝层(813)上的毛刺(8120)的高度大于所述第一铝层(812)上的毛刺(8120)的高度，使得所述源极(801)与漏极(802)的上表面呈现为凹凸不平的粗糙表面，相比于现有技术中的光滑的平整面，该凹凸不平的粗糙表面能够增大漏极(802)与像素电极(1200)的接触面积，进而减小TFT与像素电极的接触阻抗，提升液晶显示面板的性能。
- 薄膜晶体管、阵列基板及显示装置-201810349168.1
- 杨珊珊;魏明贺 - 昆山龙腾光电有限公司
- 2018-04-18 - 2018-09-28 - H01L29/417
- 本发明公开了一种薄膜晶体管，包括栅极、源漏极金属层以及半导体层；所述栅极设置在透明基板上；所述透明基板上还设有栅极绝缘层覆盖所述栅极；所述半导体层设置在所述栅极绝缘层上并位于所述栅极的上方；所述源漏极金属层设置在所述半导体层上，包括源极和漏极，所述源极和所述漏极彼此分离并与所述半导体层接触，所述半导体层设有沟道，所述沟道设置在所述源极和所述漏极之间，所述栅极与所述源漏极金属层在垂直于所述透明基板方向上具有交叠区域，所述栅极与所述源漏极金属层中至少一个设置有用于减小所述栅极与所述源漏极金属层之间的正对面积的镂空结构。本发明还涉及一种阵列基板和显示装置。
- 具有内场防护有源区的半导体器件-201810190597.9
- 格拉尔德·帕恩;戈登·卡尔森;斯特芬·韦斯特坎普 - 柏林工业大学
- 2018-03-08 - 2018-09-25 - H01L29/417
- 一种半导体器件包括由复数个极性单晶半导体材料层形成的层序列，所述复数个极性单晶半导体材料层各自具有指向晶体极性方向和层序列堆叠方向的晶轴。芯层序列由有源区形成，有源区由有源层堆叠体或复数个重复的有源层堆叠体制成。有源层堆叠体具有有源层和在有源层的至少两个相反侧上包埋有源层的载流子限制层，有源层具有与第一带隙能量相关的第一材料组成，载流子限制层具有与大于第一带隙能量的第二带隙能量相关的第二材料组成。一对极化防护层被布置成与有源区相邻并且在有源区的相反侧上包埋有源区。
- 专利分类
