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- [发明专利]一种谐振器封装结构及其制造方法-CN202111582815.1在审
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谷成进;李伟
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中芯集成电路(宁波)有限公司
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2021-12-22
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2023-07-04
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H03H9/10
- 本发明提供了一种谐振器封装结构及其制造方法,其中,谐振器封装结构包括:基板,所述基板的上表面形成有多个声波谐振器单元,所述声波谐振器单元包括压电感应片体、用于对所述压电感应片体施加电压且彼此相对的第一电极和第二电极;第一电极引出部,电连接所述第一电极;第二电极引出部,电连接所述第二电极;环形围墙,包围所述第一电极引出部和所述第二电极引出部;上盖,键合于所述环形围墙、第一电极引出部和第二电极引出部上;所述基板、所述环形围墙和所述上盖围成空腔,所述空腔内至少包括一个所述声波谐振器单元;介质层,覆盖所述上盖。在上盖的表面形成介质层,可以防止水汽进入空腔氧化腐蚀第一电极引出部、第二电极引出部,提高谐振器的稳定性。
- 一种谐振器封装结构及其制造方法
- [发明专利]滤波器结构及其形成方法-CN202111583447.2在审
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谷成进;李伟
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中芯集成电路(宁波)有限公司
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2021-12-22
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2023-07-04
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H03H9/64
- 一种滤波器结构及其形成方法,方法包括:提供衬底,衬底包括工作区和环绕工作区的互连区,以及环绕互连区的密封区,工作区的衬底上形成有器件结构;在互连区和密封区的衬底顶部形成缓冲层;在互连区的缓冲层的顶部、靠近工作区一侧的侧壁、以及密封区的缓冲层上形成第一互连层,第一互连层还延伸至工作区中,并与器件结构电连接,位于密封区的第一互连层用于作为密封层;在第一互连层的顶部、以及工作区的衬底顶部上方形成封装层,封装层与密封层、以及衬底围成空腔;在互连区中,在封装层中形成露出第一互连层顶部的开口;在开口中形成互连结构。降低因第一互连层与封装层产生的热应力而出现的分层问题或衬底破裂问题,提高滤波器结构可靠性。
- 滤波器结构及其形成方法
- [发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN202111618331.8在审
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冯杭彬
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中芯集成电路(宁波)有限公司
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2021-12-27
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2023-06-30
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H03H3/02
- 一种半导体器件及其制造方法,所述制造方法包括:提供半导体衬底,半导体衬底包括待刻蚀层;在待刻蚀层上形成水溶性材料层;在水溶性材料层上形成光刻胶层;对光刻胶层进行曝光和显影,以在光刻胶层中形成暴露待刻蚀区域的窗口,在显影的过程,显影液通过窗口溶解水溶性材料层的边缘,以在光刻胶层下方形成底切区;以图案化的光刻胶层为掩膜,对待刻蚀层进行干法刻蚀,干法刻蚀的刻蚀气体与待刻蚀层反应形成附着在光刻胶层和待刻蚀层侧壁的聚合物层;使用湿法去胶工艺去除所述光刻胶层、所述水溶性材料层和所述聚合物层。根据本发明所提供的半导体器件的制造方法,能够有效去除干法刻蚀过程中产生的聚合物层。
- 一种半导体器件及其制造方法
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