专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种半导体器件及其制作方法-CN202210406616.3在审
  • 袁云龙;丁敬秀;王昕;张婷 - 中芯集成电路(宁波)有限公司
  • 2022-04-18 - 2023-10-27 - H03H3/02
  • 本发明公开了一种半导体器件的制作方法,包括:提供晶圆;在所述晶圆上形成质量负载层;在所述质量负载层上形成图案化的光刻胶层;执行干燥处理以去除所述光刻胶层的水汽;以所述图案化的光刻胶层为掩膜对所述质量负载层执行离子束轰击,以形成具有高度差的质量负载层。根据本发明提供的半导体器件的制作方法,在对质量负载层执行离子束轰击之前,首先对所述质量负载层上形成的图案化的光刻胶层执行干燥处理,以去除所述光刻胶层的水汽,避免了离子束轰击的能量损失在水汽上,形成高度差稳定的质量负载层,改善了滤波器带宽稳定性,提高了器件性能,同时提高了产线良品率。
  • 一种半导体器件及其制作方法
  • [发明专利]芯片转移到晶圆的方法-CN201911417000.0有效
  • 刘孟彬;李林超 - 中芯集成电路(宁波)有限公司
  • 2019-12-31 - 2023-09-26 - H01L21/683
  • 一种芯片转移到晶圆的方法,包括:提供衬底,衬底包括一个或多个第一区域;在衬底上形成多个呈阵列排布的多个源芯片,每个第一区域内具有第一阵列排布的源芯片,第一阵列为A行×B列;提供目标器件晶圆,目标器件晶圆具有多个第一目标区域,第一目标区域的尺寸与第一区域的尺寸相同;通过第一转移操作将一个或多个第一区域上的全部源芯片,转移到目标器件晶圆的一个或多个第一目标区域。本发明能够实现大量的芯片同步转移和键合贴装,大大提高了生产效率,并降低成本。
  • 芯片转移到晶圆方法
  • [发明专利]一种平坦化工艺方法-CN202011600528.4有效
  • 时亚南;罗海龙;齐飞 - 中芯集成电路(宁波)有限公司
  • 2020-12-29 - 2023-09-12 - B24B37/04
  • 本发明涉及一种平坦化工艺方法,包括:提供基底;在所述基底上形成图形化结构层;在所述结构层上形成第一介质层,所述第一介质层包括覆盖所述基底的第一子介质层,和覆盖所述结构层的第二子介质层,所述第一子介质层厚度大于所述结构层;刻蚀所述第二子介质层;对所述第一介质层进行平坦化工艺处理,直至至少暴露出部分所述结构层。本发明通过增加刻蚀结构层上方的第二子介质层,能够缩短研磨时间,减少平坦化工艺对第一介质层的研磨量以及对结构层的厚度均匀性的影响,进一步的提高结构层在晶圆内的均匀性。
  • 一种平坦化工方法
  • [发明专利]封装方法及封装结构-CN201811595035.9有效
  • 杨天伦 - 中芯集成电路(宁波)有限公司
  • 2018-12-25 - 2023-09-08 - B81C1/00
  • 本发明提供一种封装方法及封装结构,所述封装方法中,首先在盖帽晶圆中形成凹槽,所述凹槽中形成有牺牲层,然后在所述牺牲层上制作第一器件,并采用倒装的方式将所述盖帽晶圆形成有第一器件的表面键合到衬底晶圆上,以实现所述盖帽晶圆上的第一器件的密封及其和衬底晶圆上的第二器件的电学连接,之后除去牺牲层以形成所述第一器件活动所需的空腔。本发明的技术方案使用两片晶圆可以完成现有的三片晶圆封装结构,能够降低成本,提高产品集成度,并降低工艺难度。
  • 封装方法结构
  • [发明专利]中高频SAW滤波器的IDT的制备方法及SAW滤波器-CN202310537261.6在审
  • 张新 - 中芯集成电路(宁波)有限公司
  • 2023-05-11 - 2023-08-29 - H03H3/08
  • 本发明公开了一种中高频SAW滤波器的IDT的制备方法及SAW滤波器,其中制备方法包括:提供基板;在基板上通过黄光工艺形成IDT光阻结构,IDT光阻结构包括多个间隔设置的光阻单元;将基板置入烤箱中,对IDT光阻结构进行固化;固化完成后,对光阻单元的尺寸进行微调,以缩小光阻单元的宽度;沉积IDT金属,并通过金属剥离工艺,剥离IDT光阻结构以及去除多余的金属,得到所需的IDT结构。本发明在常规制备方法的基础上,通过引入烤箱固化+光阻单元尺寸微调,可以根据不同的尺寸设计,调整IDT层曝光后的光刻胶CD,实现250~500nm不同尺寸的中高频SAW滤波器的IDT的制备。
  • 高频saw滤波器idt制备方法
  • [发明专利]一种红外热电堆传感器的制造方法-CN202011606853.1有效
  • 韩凤芹;向阳辉;丁敬秀 - 中芯集成电路(宁波)有限公司
  • 2020-12-28 - 2023-08-08 - H10N10/01
  • 本发明提供了一种红外热电堆传感器的制造方法,包括基板以及形成在所述基板上的热敏电阻,其中在所述基板上形成所述热敏电阻的方法包括:提供基板;通过沉积工艺在所述基板上形成热敏电阻薄膜层;图形化所述热敏电阻薄膜层,形成所述热敏电阻;在所述热敏电阻的两端通过沉积工艺形成电极,以实现对所述热敏电阻的电性连接。本发明在基板上通过半导体工艺形成热敏电阻,热电堆也形成在同一基板上,可以在形成热敏电阻之后或之前或形成热敏电阻时形成热电堆,可以实现热敏电阻与热电堆的更好集成。
  • 一种红外热电传感器制造方法
  • [发明专利]一种薄膜体声波谐振器及其制造方法-CN202310383247.5在审
  • 李伟 - 中芯集成电路(宁波)有限公司
  • 2023-04-11 - 2023-08-01 - H03H3/02
  • 本发明提供了一种薄膜体声波谐振器及其制造方法,其中,薄膜体声波谐振器包括:承载衬底;支撑层,键合于所述承载衬底上,所述支撑层围成第一空腔,所述第一空腔暴露出所述承载衬底;压电叠层结构,覆盖所述第一空腔,所述压电叠层结构从下至上包括依次层叠的第一电极、压电层和第二电极;其中,构成所述第一空腔侧壁的所述承载衬底的内表面或者所述支撑层的内表面为非平面结构,以提高所述第一空腔的内表面积。本发明通过使承载衬底的内表面或者支撑层的内表面为非平面结构,来提高第一空腔的内表面积,通过增加热辐射接收面积,提高谐振器的散热能力。
  • 一种薄膜声波谐振器及其制造方法
  • [发明专利]一种谐振器封装结构及其制造方法-CN202111582815.1在审
  • 谷成进;李伟 - 中芯集成电路(宁波)有限公司
  • 2021-12-22 - 2023-07-04 - H03H9/10
  • 本发明提供了一种谐振器封装结构及其制造方法,其中,谐振器封装结构包括:基板,所述基板的上表面形成有多个声波谐振器单元,所述声波谐振器单元包括压电感应片体、用于对所述压电感应片体施加电压且彼此相对的第一电极和第二电极;第一电极引出部,电连接所述第一电极;第二电极引出部,电连接所述第二电极;环形围墙,包围所述第一电极引出部和所述第二电极引出部;上盖,键合于所述环形围墙、第一电极引出部和第二电极引出部上;所述基板、所述环形围墙和所述上盖围成空腔,所述空腔内至少包括一个所述声波谐振器单元;介质层,覆盖所述上盖。在上盖的表面形成介质层,可以防止水汽进入空腔氧化腐蚀第一电极引出部、第二电极引出部,提高谐振器的稳定性。
  • 一种谐振器封装结构及其制造方法
  • [发明专利]滤波器结构及其形成方法-CN202111583447.2在审
  • 谷成进;李伟 - 中芯集成电路(宁波)有限公司
  • 2021-12-22 - 2023-07-04 - H03H9/64
  • 一种滤波器结构及其形成方法,方法包括:提供衬底,衬底包括工作区和环绕工作区的互连区,以及环绕互连区的密封区,工作区的衬底上形成有器件结构;在互连区和密封区的衬底顶部形成缓冲层;在互连区的缓冲层的顶部、靠近工作区一侧的侧壁、以及密封区的缓冲层上形成第一互连层,第一互连层还延伸至工作区中,并与器件结构电连接,位于密封区的第一互连层用于作为密封层;在第一互连层的顶部、以及工作区的衬底顶部上方形成封装层,封装层与密封层、以及衬底围成空腔;在互连区中,在封装层中形成露出第一互连层顶部的开口;在开口中形成互连结构。降低因第一互连层与封装层产生的热应力而出现的分层问题或衬底破裂问题,提高滤波器结构可靠性。
  • 滤波器结构及其形成方法
  • [发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN202111618331.8在审
  • 冯杭彬 - 中芯集成电路(宁波)有限公司
  • 2021-12-27 - 2023-06-30 - H03H3/02
  • 一种半导体器件及其制造方法,所述制造方法包括:提供半导体衬底,半导体衬底包括待刻蚀层;在待刻蚀层上形成水溶性材料层;在水溶性材料层上形成光刻胶层;对光刻胶层进行曝光和显影,以在光刻胶层中形成暴露待刻蚀区域的窗口,在显影的过程,显影液通过窗口溶解水溶性材料层的边缘,以在光刻胶层下方形成底切区;以图案化的光刻胶层为掩膜,对待刻蚀层进行干法刻蚀,干法刻蚀的刻蚀气体与待刻蚀层反应形成附着在光刻胶层和待刻蚀层侧壁的聚合物层;使用湿法去胶工艺去除所述光刻胶层、所述水溶性材料层和所述聚合物层。根据本发明所提供的半导体器件的制造方法,能够有效去除干法刻蚀过程中产生的聚合物层。
  • 一种半导体器件及其制造方法
  • [发明专利]一种滤波器封装结构及其制造方法-CN202111584394.6在审
  • 谷成进;李伟 - 中芯集成电路(宁波)有限公司
  • 2021-12-22 - 2023-06-27 - H03H3/02
  • 本发明提供了一种滤波器封装结构及其制造方法,其中,滤波器封装结构包括:基板,基板的上表面形成有多个声波谐振器单元,声波谐振器单元包括压电感应片体、用于对压电感应片体施加电压且彼此相对的第一电极和第二电极;第一电极引出部,电连接第一电极;第二电极引出部,电连接第二电极;环形围墙,包围第一电极引出部和第二电极引出部;介质层,至少覆盖所述环形围墙表面;上盖,键合于环形围墙、所述第一电极引出部和所述第二电极引出部上;基板、环形围墙和上盖围成空腔,空腔内至少包括一个声波谐振器单元;电连接结构,贯穿所述上盖分别与第一电极引出部和第二电极引出部电连接。
  • 一种滤波器封装结构及其制造方法
  • [发明专利]滤波器及其形成方法、电子设备-CN202111594488.1在审
  • 谷成进;丁敬秀;李伟 - 中芯集成电路(宁波)有限公司
  • 2021-12-23 - 2023-06-27 - H03H9/56
  • 一种滤波器及其形成方法、电子设备,谐振器中的封装层,位于所述第一连接层上,所述封装层、密封层以及衬底形成第一空腔,保护层覆盖所述密封层和封装层交界面,以及密封层和衬底交界面,保护层能够加强密封层和封装层之间,以及密封层和衬底之间的结合力,使得在高温度、高湿度的环境中,密封层和衬底之间,以及密封层和封装层之间不易出现分层,此外,即使密封层和衬底之间,以及密封层和封装层之间出现分层,保护层能够阻挡外部的水汽穿过所述密封层和衬底之间的间隙进入滤波器的第一空腔内部,避免器件结构发生氧化和腐蚀,有利于提高滤波器性能的可靠性,使滤波器满足高性能射频系统的需求。
  • 滤波器及其形成方法电子设备
  • [发明专利]谐振器及其形成方法、滤波器、电子设备-CN202111501562.0在审
  • 李伟;罗海龙;黄河 - 中芯集成电路(宁波)有限公司
  • 2021-12-09 - 2023-06-13 - H03H9/17
  • 一种谐振器及其形成方法、滤波器、电子设备,谐振器中的第二衬底、支撑层、第一电极、第一金属键合层以及第二金属键合层围成第二空腔,第一金属键合层和第二金属键合层之间为金属键合,因此第一金属键合层和第二金属键合层之间结合紧密,与干膜相比,第一金属键合层和第二金属键合层隔绝外部水汽的能力更强,即使在高温高湿的恶劣环境下,外部水汽不易穿过第一金属键合层和第二金属键合层进入第二空腔中,第一电极不易与外部水汽反应产生第一电解质溶液,从而第一电极不易参与原电池反应,降低第一电极被氧化的概率,使得第一电极的厚度均一性较高且保持良好的导电能力,有利于提高谐振器性能的可靠性,使得谐振器满足高性能射频系统的需求。
  • 谐振器及其形成方法滤波器电子设备

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