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[发明专利]用于功率级模块和集成电感器的具有载体框架的功率级设备-CN202010089969.6有效
发明人： P·帕尔姆;赵应山 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2020-02-13 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H02M1/00 文献下载
摘要：一种功率设备包括：框架，所述框架具有电绝缘材料、电绝缘材料中的开口、以及延伸穿过电绝缘材料的电导体。固定在开口中的功率级模块具有在功率级模块的第一侧处的输出端子、以及在功率级模块的与第一侧相对的第二侧处的电源端子、接地端子和多个输入/输出(I/O)端子。无源部件具有附接到功率级模块的输出端子的第一端子和附接到框架的电导体的第二端子。无源部件具有比功率级模块更大的占用面积。框架扩大功率级模块的占用面积，以容纳无源部件到功率设备的安装。框架具有比功率级模块更低的互连密度。
用于功率模块集成电感器具有载体框架设备

[发明专利]嵌入印刷电路板的层合物中的电子部件的静电放电保护-CN202211528072.4在审
发明人： M-U·哈桑;P·帕尔姆;T·格布哈特 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2022-11-24 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：公开了一种制造印刷电路板(100)的方法，其中，所述方法包括将电子部件(102)嵌入层合物(104)中；以及通过集成在所述层合物(104)中并连接到所述电子部件(102)的导电静电放电保护结构(106)，在制造工艺的至少一部分期间保护所述电子部件(102)免受静电放电。
嵌入印刷电路板层合物中的电子部件静电放电保护

[发明专利]齿形板-CN202210555738.9在审
发明人： T·纳耶夫;U·梅迪茨;M·莫斯托菲扎德;P·帕尔姆 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2022-05-19 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：一种电子器件(100)包括：载体板(104)、具有腔(110)并且被布置在载体板(104)中的金属嵌体(108)、至少部分地布置在腔(110)中并且嵌入载体板(104)中的至少一个电子部件(112)、以及在载体板(104)的齿形边缘(119)处的电接触部(116)。
齿形

[发明专利]预封装芯片、半导体封装体以及它们的制造方法-CN202210063082.9在审
发明人： P·帕尔姆;E·阿卜杜勒哈米德;T·格布哈特;M-U·哈桑;J·桑切斯;M·H·维勒迈尔 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2022-01-19 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：提供了一种预封装芯片。所述预封装芯片可以包括：芯片，所述芯片具有在所述芯片的顶侧处的至少一个电顶部触点和在与顶侧相反的底侧处的至少一个电底部触点；在所述顶侧上的第一层合层；在所述底侧上的第二层合层，其中，所述第一层合层和所述第二层合层被层合在一起而将所述芯片夹在其间；在所述第一层合层上并且经由穿过所述第一层合层的至少一个顶部接触孔电接触到所述至少一个电顶部触点的第一金属层；以及在所述第二层合层上并且经由穿过所述第二层合层的至少一个底部接触孔电接触到所述至少一个电底部触点的第二金属层，其中，所述预封装芯片没有从所述第一金属层延伸到所述第二金属层的任何接触孔。
封装芯片半导体以及它们制造方法

[发明专利]管芯嵌入-CN201810208402.9有效
发明人： P·帕尔姆 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2018-03-14 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本文提供了管芯嵌入。一种功率半导体器件封装件包括嵌入式功率半导体管芯，其中管芯包括位于管芯正面的第一负载端子和位于管芯背面的第二负载端子，并且其中封装件具有封装件顶侧和封装件占地侧。封装件包括：布置在封装件占地侧处的第一端子接口和第二端子接口，第一端子接口与第一负载端子电连接；具有主腔体的绝缘核心层，其中管芯设置在主腔体中，并且其中主腔体具有腔体侧壁；在腔体侧壁处的导电材料；在主腔体中的绝缘结构，绝缘结构嵌入管芯，其中管芯背面面向封装件顶侧；以及在第二负载端子与第二端子接口之间的电连接，电连接经由在腔体侧壁处的至少导电材料来形成。
管芯嵌入

[发明专利]包括垂直金属触点的半导体器件模块及其制造方法-CN202111141996.4在审
发明人： E·菲尔古特;M·格鲁贝尔;P·帕尔姆;B·施默尔泽;W·肖尔茨;M·托马斯 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2021-09-28 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：一种半导体器件模块(100)包括：封装载体(10)，包括开口(10A)，其中，在所述开口(10A)中设置半导体封装(20)，所述半导体封装包括：半导体管芯(22)、密封剂(23)和第一垂直触点(24)，其中，密封剂(23)至少部分地覆盖半导体管芯(22)，并且第一垂直触点(24)连接到半导体管芯(22)并且至少部分地延伸穿过密封剂(23)；以及第一外部金属接触层(40)，电连接到所述第一垂直触点(24)。
包括垂直金属触点半导体器件模块及其制造方法

[发明专利]含与半导体裸片接触焊盘连接的侧壁的半导体器件封装体-CN202110876597.6在审
发明人： P·帕尔姆;U·弗雷勒;R·奥特伦巴;A·里格勒尔 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2021-07-30 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：一种半导体器件封装体(100)包括：印刷电路板(10)，其包括第一中心区域、第二侧向区域和第三侧向区域；半导体裸片(20)，其包括第一主面、与第一主面相反的第二主面、设置在第一主面上的第一接触焊盘(20A)和设置在第二主面上的第二接触焊盘(20B)，半导体裸片(20)设置在印刷电路板(10)的第一中心区域中；半导体器件封装体的第一金属侧壁(30)，其设置在印刷电路板(10)的第二侧向区域中；半导体器件封装体的第二金属侧壁(40)，其设置在印刷电路板(10)的第三侧向区域中；其中，第一金属侧壁(30)和第二金属侧壁(40)中的至少一个与半导体裸片(20)的第一接触焊盘(20A)和第二接触焊盘(20B)中的一个电连接。
半导体接触连接侧壁半导体器件封装

[发明专利]混合天线、天线装置以及用于制造天线装置的方法-CN201510686535.3有效
发明人： P·帕尔姆;M·布克斯鲍姆;J·格鲁伯;J·赫茨尔;F·皮施纳;P·斯坦普卡 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2015-10-21 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： H01Q7/00 文献下载
摘要：根据一个实施例，描述了一种包括多个绕组的混合天线，其中每个绕组包括部署于平面之中的环形天线部分以及至少部分部署在该平面之外的铁氧体天线部分。
混合天线装置以及用于制造方法

[发明专利]包括平行导电层的半导体装置-CN202110259268.7在审
发明人： P·帕尔姆;R·费勒;J·霍格劳尔;A·凯斯勒 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2021-03-10 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： H01L23/482 文献下载
摘要：一种半导体装置包括半导体芯片，所述半导体芯片在第一芯片主表面上包括第一芯片接触焊盘。所述半导体装置还包括第一导电层，其布置在第一芯片主表面之上并且电耦合到第一芯片接触焊盘，其中，第一导电层在平行于第一芯片主表面的方向上延伸。所述半导体装置还包括第二导电层，其布置在第一导电层之上并且电耦合到第一导电层，其中，第二导电层在与第一导电层平行的方向上延伸。所述半导体装置还包括电直通连接结构，其电耦合到第一导电层和第二导电层，其中，电直通连接结构在垂直于第一芯片主表面的方向上延伸，并且在第一芯片主表面的顶视图中，电直通连接结构和半导体芯片不重叠。
包括平行导电半导体装置

[发明专利]半导体封装及其制造方法-CN202110115898.7在审
发明人：赵应山;T·纳耶夫;P·帕尔姆 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2021-01-28 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本文描述的半导体封装包括热电容器和/或凹陷的焊盘特征，该热电容器被设计为吸收来自功率半导体管芯的瞬态热脉冲，并且随后将瞬态热脉冲释放到周围环境。还描述了对应的生产方法。
半导体封装及其制造方法

[发明专利]具有由功率半导体管芯的负载端子接合焊盘形成的可焊接接触焊盘的半导体封装及制造方法-CN202110116388.1在审
发明人：赵应山;T·纳耶夫;P·帕尔姆 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2021-01-28 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：一种半导体封装包括：绝缘衬底，所述绝缘衬底具有相对的第一主侧和第二主侧；功率半导体管芯，所述功率半导体管芯嵌入衬底中并且比所述衬底薄或与所述衬底一样厚，并且包括在面对与衬底的第一主侧相同的方向的第一侧处的第一负载端子接合焊盘，在面对与衬底的第二主侧相同的方向的第二侧处的第二负载端子接合焊盘，以及控制端子接合焊盘；导电的第一过孔，其在外围区域中延伸穿过所述衬底；第一金属化部，其在衬底的第一主侧处将第一负载端子接合焊盘连接到第一过孔；可焊接的第一接触焊盘，其在衬底的第二主侧处并且由第一过孔形成；以及可焊接的第二接触焊盘，其在衬底的第二主侧处并且由第二负载端子接合焊盘形成。
具有功率半导体管芯负载端子接合形成焊接接触封装制造方法

[发明专利]空间高效且低寄生的半桥-CN202110052552.7在审
发明人： R·费勒;赵应山;D·卡尔韦蒂;P·帕尔姆 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2021-01-15 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：一种封装半桥电路包括：载体，具有介电芯和形成在载体的上表面上的第一金属化层；第一半导体芯片和第二半导体芯片，每个半导体芯片包括第一端子、第二端子和控制端子；以及导电连接器，其安装在载体的上表面上并且电连接到第一金属化层。第一半导体芯片被配置为半桥电路的高侧开关。第二半导体芯片被配置为半桥电路的低侧开关。第一半导体芯片和第二半导体芯片中的至少一个被嵌入在载体的介电芯内。导电连接器电连接到来自第一半导体芯片和第二半导体芯片中的一个或两个的第一端子和第二端子中的一个。
空间高效寄生

[发明专利]多相逆变器装置-CN202011051347.0在审
发明人： T·内韦;E·卡里马诺维奇;P·帕尔姆 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2020-09-29 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： H02M7/00 文献下载
摘要：公开了多相逆变器装置。在实施例中提供了多相逆变器装置，其包括绝缘基板、多个半桥电路和用于每个半桥电路的相输出引线。绝缘基板包括在第一表面上的导电再分配结构，导电再分配结构包括至少一个低电压总线和至少一个高电压总线。每个半桥电路被电耦合在低电压总线和高电压总线之间。每个半桥电路包括封装的低侧开关和封装的高侧开关以及与相应的相输出引线电耦合的相输出。封装的低侧开关和封装的高侧开关被布置在基板的第一表面上。相输出引线被布置在封装的低侧开关和封装的高侧开关上并且电耦合到封装的低侧开关和封装的高侧开关，使得封装的低侧开关和封装的高侧开关被布置为在竖向上在相输出引线和基板的第一表面之间。
多相逆变器装置

[发明专利]裸片封装体和制造裸片封装体的方法-CN202010587118.4在审
发明人： P·帕尔姆;A·凯斯勒 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2020-06-24 - 公布日： 2021-03-02 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：提供一种裸片封装体。所述裸片封装体可以包括：层合载体，其包括至少一个凹部；第一裸片，其具有前侧和背侧以及位于前侧上的前侧金属化结构和位于背侧上的背侧金属化结构，其中，第一裸片布置在所述至少一个凹部中；第一包封材料，其部分地包封第一裸片而至少覆盖前侧金属化结构或背侧金属化结构；以及粘附促进剂材料，其在第一包封材料所覆盖的金属化结构与第一包封材料之间并与第一包封材料和第一包封材料所覆盖的金属化结构直接物理接触。
封装制造方法

[发明专利]芯片封装体和制造芯片封装体的方法-CN202010694397.4在审
发明人： P·帕尔姆 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2020-07-17 - 公布日： 2021-01-19 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：提供了一种制造芯片封装体的方法。该方法可以包括：图案化芯片的至少一个芯片焊盘，以在所述至少一个芯片焊盘中形成图案化的结构，所述图案化的结构包括至少一个预定凹部；以及使用包封材料包封芯片，从而填充至少一个预定凹部。
芯片封装制造方法

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