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[发明专利]系统级封装器件、电子设备、系统级封装器件的制作方法-CN202280008647.1在审
发明人：张磊;陈遵淼;石林;刘波;王菁;范贵成 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2022-02-15 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/58 文献下载
摘要：本申请提供系统级封装器件、电子设备、系统级封装器件的制作方法，提升PCB兼容器件灵活性，减少PCB面积，可以降低PCB成本。系统级封装器件包括第一载板；多个电子器件，分别设置在所述第一载板上，所述第一载板用于实现所述多个电子器件中的至少两个电子器件之间的电连接；所述多个电子器件中的至少一个电子器件包括封装的集成电路；封装材料，用于将所述多个电子器件封装在所述第一载板上。
系统封装器件电子设备制作方法

[发明专利]用于半导体封装中改善的分层特性的系统和方法-CN201880013717.6有效
发明人： T·莱沃汉;P·雷耶斯;J·维莱拉特;S·塔奈森;J·菲姆潘;S·春潘甘姆 -专利权人：微芯片技术股份有限公司
申请日： 2018-04-25 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/58 文献下载
摘要：本发明提供了用于生产集成电路封装(例如，SOIC封装)的系统和方法，该集成电路封装具有降低的或消除的由管芯附接工艺所产生的环氧树脂放气导致的引线分层，其中集成电路管芯通过环氧树脂附接到引线框。可通过例如使用在管芯附接单元处提供的加热装置在管芯附接工艺期间或结合管芯附接工艺通过加热环氧树脂来减少环氧树脂放气。加热环氧树脂可在环氧反应中实现附加交联，这可因此减少来自环氧树脂的放气，这继而可减少或消除随后的引线分层。位于管芯附接部位处或附近的加热装置可用于在管芯附接工艺期间或结合管芯附接工艺将环氧树脂加热至55℃±5℃的温度。
用于半导体封装改善分层特性系统方法

[发明专利]功率用半导体装置及其制造方法、电力转换装置-CN202010031002.2有效
发明人：河本启辅 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2020-01-13 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L21/58 文献下载
摘要：本发明涉及功率用半导体装置的制造方法、功率用半导体装置及电力转换装置。提高功率用半导体装置的散热性能。隔着中间构造(71B)将功率用半导体元件(70)和支撑部件(10)层叠。中间构造(71B)包含第一金属膏层(21)、至少一个第一贯穿部件(31)。第一金属膏层(21)包含多个第一金属颗粒。第一贯穿部件(31)贯穿第一金属膏层(21)。使安装于将第一金属膏层(21)贯穿的至少一个第一贯穿部件(31)的至少一个第一振动件(51)振动。对第一金属膏层(21)进行加热，以使得多个第一金属颗粒烧结或熔解。
功率半导体装置及其制造方法电力转换

[发明专利]使用激光去接合的氧化物接合晶片对分离-CN202180078725.0在审
发明人： M·G·法鲁克;D·C·麦克赫伦;S·斯克奥达斯 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2021-10-20 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L21/58 文献下载
摘要：一种制造半导体结构的方法包括在第一载体晶片下方形成能够吸收红外(IR)辐射的可切断层。在可切断层下方形成第一硬电介质层。在半导体晶片的顶表面上形成第二硬电介质层。第一电介质层与第二电介质层接合。在半导体晶片的底部部分上形成连接器以提供到半导体晶片的电连接。在半导体晶片的底部部分上将第二载体晶片被连接到连接器。通过使IR穿过第一载体晶片，利用IR使可切断层劣化，从而将第一载体晶片与半导体晶片分离。提供从半导体晶片的顶表面穿过第一和第二电介质层的后段制程(BEOL)布线。
使用激光接合氧化物晶片分离

[发明专利]封装结构及其制作方法-CN202210033879.4在审
发明人：谢玲 -专利权人：深圳市江波龙电子股份有限公司
申请日： 2022-01-12 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L21/58 文献下载
摘要：本申请提出一种封装结构及其制作方法，该方法包括：提供一载板，包括相对设置的正面及反面，正面上设置有若干第一结合指；提供第一假片，其中一个面上设置有第一胶膜层，将第一假片设置有第一胶膜层的一面朝向载板并放置；提供第一芯片，其中一面上设置有第二胶膜层，第一芯片上设置有若干第一焊盘，将第一芯片设置有第二胶膜层的一面朝向第一假片并放置；对放置有第一假片及第一芯片的载板进行烘烤；及提供第一接合线，使得第一焊盘连接至第一结合指。本申请通过在第一芯片与载板之间设置第一假片，并使第一芯片通过第二胶膜层粘结在第一假片上。如此，使得第一芯片即使在硬化、吸湿导致粘性不强的情况下也能牢固与载板粘结。
封装结构及其制作方法

[发明专利]芯片组件及其制造方法-CN201910681214.2有效
发明人： A·海因里希;F·达奇 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2019-07-26 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L21/58 文献下载
摘要：本发明公开了一种芯片组件(100)，其包括：载体(102)；包括至少一个开口(108)的金属网格阵列(106)；通过附接材料(104)附接至所述载体(102)的金属网格阵列(106)，所述金属网格阵列(106)和所述载体(102)限定了至少一个腔穴(112)，所述至少一个腔穴(112)中的每者是由所述至少一个开口(108)之一和所述载体(102)形成的；以及安装在所述至少一个腔穴(112)中的每者中的电子芯片(116)。
芯片组件及其制造方法

[发明专利]一种封装方法、装置、设备及介质-CN202011452282.0有效
发明人：岳光生;焦建辉;赵杰 -专利权人：青岛信芯微电子科技股份有限公司
申请日： 2020-12-10 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L21/58 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种封装方法、装置、设备及介质，由于本发明实施例调整主芯片DIE中的双倍速率同步动态随机存储器DDR的第一焊盘的顺序与已知合格芯片KGD中的动态随机存储器DRAM的第二焊盘的顺序一致，将该第一焊盘与该第二焊盘通过引线键合在一起。在本发明实施例中，对DDR的第一焊盘与DRAM的第二焊盘进行引线键合(Wirebond)，即直接将DDR的第一焊盘与DRAM的第二焊盘连接在一起，减少了DQ高速信号的传输时间，提高了BGA芯片的工作效率，同时通过这种键合方式减小了BGA芯片的尺寸，提高了用户的使用感受。
一种封装方法装置设备介质

[发明专利]一种半导体器件的制备方法-CN202210021764.3在审
发明人：严立巍;符德荣;陈政勋 -专利权人：绍兴同芯成集成电路有限公司
申请日： 2022-01-10 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H01L21/58 文献下载
摘要：本发明提出了一种半导体器件的制备方法，包括：去除用于固定第一载盘和晶圆的聚亚酰胺；将晶圆从第一载盘转移至第二载盘；对晶圆的背面进行金属镀膜工艺；将晶圆的背面贴附至切割模框；在晶圆的正面采用蚀刻和激光工艺切割晶圆。根据本发明的半导体器件的制备方法，可以在第一载盘中完成晶圆正面元件的制备工艺，随后可以将晶圆转移至第二载盘，对背面晶圆进行金属镀膜工艺。当将晶圆转移至第二载盘时，晶圆正面的聚亚酰胺层可以起到缓冲保护晶圆的作用，在第二载盘的支撑下完成晶圆背面的金属镀膜工艺，随后再将晶圆背面贴附至切割模框，从晶圆的正面进行切割，制备方法合理高效，提高了晶圆的制备效率和加工质量。
一种半导体器件制备方法

[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法-CN201980100046.1在审
发明人：山口义弘;大宅大介 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2019-09-11 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H01L21/58 文献下载
摘要：目的在于提供对由热应力造成的金属图案的变形进行抑制而使相对于热循环的可靠性提高的半导体装置。半导体装置包含绝缘基板、金属图案、微小化区域及半导体芯片。金属图案设置于绝缘基板的上表面。微小化区域设置于金属图案的表面的至少一部分区域。该微小化区域包含比该表面的至少一部分区域之外的金属图案所包含的金属的晶粒小的晶粒。半导体芯片安装于金属图案的微小化区域。
半导体装置制造方法

[发明专利]用于倒装芯片的激光接合的设备以及方法-CN201810629263.7有效
发明人：安根植 -专利权人：普罗科技有限公司
申请日： 2018-06-19 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： H01L21/58 文献下载
摘要：本发明提供一种倒装芯片激光接合设备以及倒装芯片激光接合方法，且更确切地说，一种用于倒装芯片激光接合的设备和方法，其中呈倒装芯片形式的半导体芯片通过使用激光束接合到衬底。根据倒装芯片激光接合设备以及倒装芯片激光接合方法，即使是弯曲或有可能弯曲的半导体芯片也可以通过在按压半导体芯片时利用激光接合将半导体芯片接合到衬底来接合到衬底而不发生焊料凸块的接触失效。
用于倒装芯片激光接合设备以及方法

[发明专利]用预固剂涂覆接触材料层以将衬底布置连接到电子组件的方法、相应的衬底布置及其制造方法-CN201680059144.1有效
发明人： A·欣里希;S·杜赫;A·米里奇;M·舍费尔;C·巴赫曼;H·乌尔里希;F·奥斯特瓦尔德;D·本宁;J·鲁茨基;L·保尔森;F·舍富斯;M·贝克尔 -专利权人：贺利氏德国有限两合公司
申请日： 2016-09-28 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H01L21/58 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于制造用以连接到电子组件(30)的衬底布置(10；10")的方法，包含以下步骤：‑提供具有第一侧面(12)和第二侧面(13)的衬底(11)；‑将接触材料层(15)涂覆到所述衬底(11)的所述第一侧面(12)；以及‑将预固剂(18)涂覆到背离所述衬底(11)的所述接触材料层(15)的侧面(16)的至少一些部分。本发明也涉及一种相应的衬底布置(10；10")以及一个用于将至少一个电子组件(30)连接到所述衬底布置(10；10")的相应的方法，本发明的技术手段在从组装地点到连接地点的运输过程中可提供足够的操作强度。
用预固剂涂覆接触材料衬底布置接到电子组件方法相应及其制造

[发明专利]用于形成半导体器件的方法以及半导体器件-CN201710785556.X有效
发明人： A.布雷梅泽尔;A.布罗克迈尔;R.克恩;R.鲁普;F.J.桑托斯罗德里格斯;C.冯科布林斯基 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2017-09-04 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L21/58 文献下载
摘要：本发明公开用于形成半导体器件的方法以及半导体器件。一种用于形成半导体器件的方法包含将玻璃结构附接至包括多个半导体器件的宽带隙半导体晶片。该方法进一步包含通过在延伸经过玻璃结构的至少一个开口内形成导电材料来形成电气连接至该宽带隙半导体晶片的半导体衬底的至少一个掺杂区的至少一个焊盘结构。
用于形成半导体器件方法以及

[发明专利]一种芯片封装工艺-CN202111346160.8在审
发明人：徐钉;朱文琴;王辰玥;叶柳凯;马华超;胡玄;张文江;吴如兆 -专利权人：宁波中车时代传感技术有限公司
申请日： 2021-11-15 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： H01L21/58 文献下载
摘要：本发明公开了一种芯片封装工艺，包括：获取具有引线框架的基板，引线框架上预设有可满足电路转换功能的目标线路框架；对基板上引线框架所在的位置进行封装；对基板的多余部分进行裁切，获得封装件；将芯片与封装件进行组装，并将芯片的芯片引脚与引线框架的框架连接引脚焊接连接；对芯片引脚以及芯片的表面进行涂敷操作。本发明所提供的工艺，引线框架上预设有目标线路框架，可满足电路转换功能，取消芯片成型封装工序，引线框架直接封装成型后，再将芯片与封装件焊接固定后涂敷处理，单次封装即可，并采用焊接的方式连接芯片引脚与框架连接引脚，焊接热量低，结合强度高，涂敷处理后，连接强度高，绝缘效果好，可有效提高芯片的可靠性。
一种芯片封装工艺

[实用新型]一种洗脸仪用集成芯片封装装置-CN202121395482.7有效
发明人：庄月利 -专利权人：浙江珵美科技有限公司
申请日： 2021-06-23 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： H01L21/58 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种洗脸仪用集成芯片封装装置，涉及到封装装置领域，包括底板，所述底板的上方设置有U形板，所述U形板的两端底部分别与底板的上表面两侧固定连接，所述底板的上表面固定连接有放置板，所述放置板的上表面开设有放置槽。本实用新型通过在放置槽的内部两侧设置有夹板，工作人员通过转动第一螺纹杆使两个夹板相互靠近，通过两个夹板将放置于放置槽内部的承载板和集成芯片对齐，然后工作人员通过转动第二螺纹杆使压板下移，直至压板底端固定的第二橡胶凸点与集成芯片的上表面贴合，通过两个压板将集成芯片与承载板固定，保证承载板和集成芯片封装时的稳定性，进而提高了芯片的封装效率。
一种洗脸集成芯片封装装置

[发明专利]用于覆晶激光键结的系统-CN201980095881.0在审
发明人：高允成;安根植 -专利权人：普罗科技有限公司
申请日： 2019-06-05 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： H01L21/58 文献下载
摘要：本发明涉及一种覆晶激光接合系统及覆晶激光接合系统，更详细而言涉及一种利用激光束将覆晶形态的半导体晶片接合至基板的覆晶激光接合系统。本发明的覆晶激光接合系统具有如下效果：通过以加压状态将半导体晶片激光接合至基板，从而可将弯曲或可能弯曲的半导体晶片接合至基板而无焊料凸块的接触不良。
用于激光系统

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