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[发明专利]真空处理装置-CN201910717248.2有效
发明人：郭久林;张志强;杨志刚 -专利权人： 武汉光谷创元电子有限公司
申请日： 2019-08-05 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： C23C14/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种真空处理装置(1)，包括：上料系统(10)，构造成将基材(100)送入真空处理装置(1)中；设置在真空腔体(C)内的离子源系统(20)，包括前处理模块、离子注入模块(22)、多弧离子镀沉积模块(23)以及磁控溅射模块(24)，以对基材(100)进行处理；电源系统(30)，为离子源系统(20)中的各个模块提供电力；移动系统(40)，构造成移动基材(100)以使其经过离子源系统(20)中的各个模块；以及下料系统(50)，构造成从真空处理装置(1)取出处理后的基材(100)。这种真空处理装置具有高效率、自动化、低成本的特点，能够实现数量众多的小型多面体块状器件的连续金属化。
真空处理装置

[发明专利]微波器件的制造设备和制造方法-CN202010381497.1有效
发明人：杨志刚;王志建;郭久林 -专利权人： 武汉光谷创元电子有限公司
申请日： 2020-05-08 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： C23C14/50 文献下载
摘要：本发明涉及一种微波器件的制造设备和制造方法。微波器件的制造设备(1)包括：夹具(10，10')，所述夹具(10，10')包括能够围绕第一轴线(A1)旋转的基座(11)、以及能够围绕第二轴线(A2)摆动的托架(12)，所述托架(12)连接至所述基座(11)以用于保持绝缘基体(40)，其中所述第一轴线(A1)与所述第二轴线(A2)相交；用于朝所述绝缘基体(40)释放金属离子的源头(20)；以及控制器(30)，所述控制器(30)耦合至所述夹具(10，10')和所述源头(20)，并且构造成控制所述夹具(10，10')的运动模式和/或所述源头(20)的角度，使得所述绝缘基体(40)从多个角度接收所述金属离子，并在所述绝缘基体(40)的所有表面(41)上形成金属层(50)。
微波器件制造设备方法

[发明专利]加成法制作封装电路的工艺和封装电路-CN202110125029.2在审
发明人：张志强;张金强 -专利权人： 武汉光谷创元电子有限公司
申请日： 2021-01-29 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H05K3/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种加成法制作封装电路的工艺和封装电路。加成法制作封装电路的工艺包括以下步骤：(a)在绝缘材料(10)的表面上，覆盖带有电路负像的光刻胶(14)；(b)在所述绝缘材料(10)的未被所述光刻胶(14)覆盖的暴露区域中，通过PVD离子镀形成导电籽晶层(16)；(c)在所述导电籽晶层(16)上形成导体加厚层(18)；(d)剥离所述光刻胶(14)，以形成表面电路图案(20)；以及，(e)利用焊料凸点或导体柱(22)，将所述表面电路图案(20)与电子构件电连接。
成法制作封装电路工艺

[发明专利]三维电路的制作方法和电子元件-CN202010047118.5在审
发明人：张志强;张金强;杨志刚 -专利权人： 武汉光谷创元电子有限公司
申请日： 2020-01-16 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： H05K1/11 文献下载
摘要：本发明涉及三维电路的制作方法，包括：通过PVD离子镀，在绝缘材料外壳(10)的表面(11)上形成金属打底层(21)；利用三维激光设备在表面(11)上的图形区域(12)与非图形区域(13)之间照射激光，以去除边界处的金属打底层(21)而形成绝缘隔离带(14)；在图形区域(12)中电镀铜层(25)；以及蚀刻掉非图形区域(13)中的金属打底层(21)。该方法能够在不改变材料介电性能和增加电磁损耗的情况下，同时实现材料界面光滑或低粗糙度的金属化和较高的结合力，而且更加环保，并有利于提升三维电路的小间距线路图形的加工能力。本发明还涉及电子元件，其包括绝缘材料外壳以及通过上述方法在绝缘材料外壳上制备得到的三维电路，该电子元件为手机天线、基站天线、雷达天线或汽车无线防撞组件。
三维电路制作方法电子元件

[发明专利]覆铜板及其制造方法-CN201710786228.1有效
发明人：王志建;宋红林;张晓峰;杨志刚 -专利权人： 武汉光谷创元电子有限公司
申请日： 2017-09-04 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： C23C14/48 文献下载
摘要：本发明涉及覆铜板及其制造方法。具体而言，公开了一种利用离子注入法制造覆铜板的方法，包括：提供由绝缘材料构成的基材并对其进行前处理；通过离子注入在基材上注入第一金属离子以在基材的表面以内一定深度范围形成离子注入层；对经过离子注入的基材进行等离子体沉积以形成第一等离子体沉积层；进行等离子体沉积以在第一等离子体沉积层上形成第二等离子体沉积层以制得覆铜板。此外，还公开了一种铜箔厚度超薄并且结合力很高的覆铜板，其在第一等离子体沉积层和第二等离子体沉积层的界面处形成厚度为5‑50nm的合金层。
铜板及其制造方法

[发明专利]制作高频天线封装基板的加成法工艺和AiP封装天线结构-CN201911030072.X有效
发明人：张志强;张金强;杨志刚 -专利权人： 武汉光谷创元电子有限公司
申请日： 2019-10-28 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： H05K3/10 文献下载
摘要：本发明涉及制作高频天线封装基板的加成法工艺和AiP封装天线结构。具体而言，公开了一种用于制作高频天线封装基板或器件的加成法工艺，包括：在绝缘基材的表面上局部丝印覆盖材料；对覆盖材料的表面和未经覆盖的绝缘基材的表面进行离子注入金属化以形成导电籽晶层；从绝缘基材的表面去除覆盖材料以露出导电籽晶层的金属化导电图形；以及在露出的导电籽晶层的金属化导电图形上进行图形电镀铜加厚以形成带有最终金属化图形的天线封装基板或器件。此外，还公开了一种AiP封装天线结构，包括天线封装基板，以及电性连接至天线封装基板的芯片。天线封装基板的导体线路截面是完全的垂直型，从而能够最大限度地避免在毫米波高频信号方面的损耗。
制作高频天线封装成法工艺 aip 结构

[发明专利]导体柱及其制造方法、封装芯片的方法和芯片倒装产品-CN201610351250.9有效
发明人：张志强;杨志刚;王志建 -专利权人： 武汉光谷创元电子有限公司
申请日： 2016-05-25 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明涉及导体柱及其制造方法、封装芯片的方法和芯片倒装产品。一种制造导体柱的方法，包括以下步骤：使用靶材，对芯片电极的表面、或形成于芯片中的孔的孔壁、或者封装基板的线路表面进行离子注入和/或等离子体沉积处理，以形成导电籽晶层(步骤S1)；以及，在导电籽晶层的上方形成柱状的导体加厚层，该导体加厚层和导电籽晶层组成导体柱(步骤S2)。
导体及其制造方法封装芯片倒装产品

[发明专利]微波介质陶瓷器件及其制造方法-CN201910463490.1在审
发明人：王志建;杨志刚;张志强 -专利权人： 武汉光谷创元电子有限公司
申请日： 2019-05-30 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： C04B41/90 文献下载
摘要：本发明涉及一种微波介质陶瓷器件及其制造方法。微波介质陶瓷器件(1)包括：陶瓷基材(10)，其具有通槽(11)和/或凹槽(12)；和金属层(20)，其形成于陶瓷基材(10)的表面(13)、槽底(14)和槽壁(15)上，其中，金属层(20)与陶瓷基材(10)之间的结合力为1kg/cm2以上，并且金属层(20)的电阻率为1.80μΩ·cm以下。制造微波介质陶瓷器件的方法包括：对陶瓷基材(10)进行前处理，所述陶瓷基材具有通槽(11)和/或凹槽(12)；和在陶瓷基材(10)的表面(13)、槽底(14)和槽壁(15)上形成金属层(20)，使得所述金属层(20)与陶瓷基材(10)之间的结合力为1kg/cm2以上，并且金属层的电阻率为1.80μΩ·cm以下。
微波介质陶瓷器件及其制造方法

[发明专利]电路板加工方法-CN201710096053.1有效
发明人：杨志刚;宋红林;王志建 -专利权人： 武汉光谷创元电子有限公司
申请日： 2017-02-22 - 公布日： 2020-10-02 - 主分类号： H05K3/10 文献下载
摘要：本发明涉及电路板加工方法，该方法包括如下步骤：在基材的至少一个表面上覆盖带有对应于线路图案的中空部分的模具；对所述模具的表面和未被所述模具覆盖的所述基材的表面进行离子注入与等离子体沉积处理，从而在所述模具的表面和未被所述模具覆盖的所述基材的表面形成导电籽晶层；对形成导电籽晶层的所述模具的表面以及未被所述模具覆盖的所述基材的表面镀覆金属加厚层，从而形成包括导电籽晶层和金属加厚层的导体层；以及直接去除所述模具，从而制得单层电路板。
电路板加工方法

[实用新型]电镀线及其治具和挂具-CN201920923490.0有效
发明人：张志强;张金强 -专利权人： 武汉光谷创元电子有限公司
申请日： 2019-06-19 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： C25D17/08 文献下载
摘要：本实用新型涉及电镀线及其治具和挂具。一种电镀线(40)，用于对带有盲孔的多面体器件(10)进行电镀，该电镀线(40)包括：用于水洗槽的治具(20)，其包括多个带有网格(22)的夹板(21)、和用于夹持夹板(21)的边缘的夹扣(23)，并且构造成将多面体器件(10)保持在两个夹板(21)之间；以及用于电镀槽的挂具(30)，其包括器件挂钩(35)，该器件挂钩(35)构造成以倾斜的姿势将多面体器件(10)可移除地悬挂固定至挂具(30)。
电镀及其

[发明专利]张力控制系统-CN201710034299.6有效
发明人：潘登;马邦科;郭久林 -专利权人： 武汉光谷创元电子有限公司
申请日： 2017-01-18 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： B65H59/38 文献下载
摘要：本发明提供一种张力控制系统，旨在解决现有技术中的张力控制系统的控制方式不够灵活的问题。该张力控制系统包括：放卷段控制部分，其构造成通过控制放卷段中的柔性基材的张力而实现对所述柔性基材的恒张力放卷；电镀段控制部分，其构造成控制电镀段中的柔性基材的张力；收卷段控制部分，其构造成对收卷段中的柔性基材进行恒力矩收卷。本发明的张力控制系统考虑到收卷段中的成卷的柔性基材的半径变化较小，因此将收卷段控制部分构造成对收卷段中的柔性基材进行恒力矩收卷，其控制方式灵活和简单。
张力控制系统

[发明专利]微波介质部件及其制造方法-CN201710218040.7有效
发明人：王志建;宋红林;吴香兰;白四平 -专利权人： 武汉光谷创元电子有限公司
申请日： 2017-04-05 - 公布日： 2019-12-31 - 主分类号： C23C14/48 文献下载
摘要：本发明提供一种微波介质部件及其制造方法，旨在解决现有技术中的微波介质部件的金属层表面粗糙度大、金属层与微波介质基材结合力差等问题。该微波介质部件包括微波介质基材和金属层。该金属层结合在该微波介质基材的表面上。该金属层包括导电籽晶层和金属加厚层，该导电籽晶层包括注入该微波介质基材的表面内的离子注入层和附着在该离子注入层上的等离子体沉积层，并且该金属加厚层附着在该等离子体沉积层上。本发明所制得的金属层表面粗糙度低，且由于导电籽晶层嵌入微波介质基材内部一定深度，因此所形成的金属层与微波介质基材间具有较高的剥离强度。
微波介质基金属层导电籽晶层微波介质等离子体沉积金属层表面金属加厚层离子注入层粗糙度附着结合力嵌入剥离制造

[发明专利]单层电路板、多层电路板以及它们的制造方法-CN201510747884.1有效
发明人：白四平;吴香兰;王志建;杨志刚;程文则;张金强 -专利权人： 武汉光谷创元电子有限公司
申请日： 2015-11-06 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： H05K3/42 文献下载
摘要：本发明涉及单层电路板、多层电路板以及它们的制造方法。一种制造单层电路板的方法包括以下步骤：在基材上钻孔，其包括盲孔和/或通孔(S1)；在基材的表面上形成带有电路负像的光阻层(S2)；在基材的表面和孔的孔壁形成导电籽晶层(S3)；以及去除光阻层，以在基材的表面上形成电路图案(S4)，其中，步骤S3包括通过离子注入将导电材料注入到基材的表面下方和孔的孔壁下方，以形成离子注入层作为导电籽晶层的至少一部分。
单层电路板多层以及它们制造方法

[发明专利]基板及其制造方法-CN201510747931.2有效
发明人：吴香兰;王志建;白四平;杨志刚;程文则;张金强 -专利权人： 武汉光谷创元电子有限公司
申请日： 2015-11-06 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： H05K3/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种基板及其制造方法。该基板包括：基材；和离子注入层，其注入到基材的表面下方。制造基板的方法包括：对基材进行前处理(S1)；以及通过离子注入将导电材料注入到经前处理后的基材的表面下方，形成离子注入层(S2)。
及其制造方法

[发明专利]薄膜电阻器及其制造方法-CN201610659515.1有效
发明人：王志建;吴香兰;宋红林;张志强 -专利权人： 武汉光谷创元电子有限公司
申请日： 2016-08-12 - 公布日： 2019-04-09 - 主分类号： H01C7/00 文献下载
摘要：本发明涉及薄膜电阻器及其制造方法。一种制造薄膜电阻器(100)的方法，包括：步骤S1，对基材(10)进行前处理；步骤S2，使用靶材，对基材的表面(12)进行离子注入和/或等离子体沉积处理，以在基材的表面上形成电阻层(14)；以及步骤S3，在电阻层的两侧形成电极(18)。
薄膜电阻器及其制造方法

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