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[发明专利]基于多数逻辑门的时序电路-CN202180093004.7在审
发明人： S·马尼帕特鲁尼;Y-S·方;R·梅内塞斯;R·K·多卡尼亚;R·拉梅什;A·马图瑞亚 -专利权人：开普勒计算公司
申请日： 2021-09-01 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H03K19/23 文献下载
摘要：低功率时序电路(例如，锁存器)使用非线性极性电容器以比传统CMOS时序电路更少的晶体管来保持电荷。该时序电路包括具有第一、第二和第三输入以及第一输出的3输入多数逻辑门。该时序电路包括耦合到第一输出的驱动器，其中该驱动器用于产生第二输出。该时序电路还包括用于接收时钟和第二输出的异或(XOR)门，其中该XOR门用于产生耦合到第二输入的第三输出，其中第一输入用于接收数据，并且其中第三输入用于接收第二输出。
基于多数逻辑时序电路

[发明专利]具有压电选择器的交叉点磁性随机存取存储器-CN201680086224.6有效
发明人： S·马尼帕特鲁尼;D·E·尼科诺夫;I·A·扬 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2016-06-28 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：描述了一种磁性随机存取存储器(MRAM)位单元的三维(3D)阵列，其中，所述阵列包括由下述部分构成的网格：沿第一轴延伸的第一互连；沿第二轴延伸的第二互连；以及沿第三轴延伸的第三互连，其中，所述第一轴、所述第二轴和所述第三轴相互正交；并且其中，所述MRAM位单元的位单元包括：包括耦合至所述第一互连的第一电极的磁性结器件；与第二电极相邻的压电(PZe)层，其中，所述第二电极耦合至所述第二互连；以及与所述PZe层和所述磁性结相邻的第一层，其中，所述第一层耦合至第三互连。
具有压电选择器交叉点磁性随机存取存储器

[发明专利]具有自旋霍尔电极和电荷互连的自旋逻辑-CN201580082333.6有效
发明人： S·马尼帕特鲁尼;D·E·尼科诺夫;A·乔杜里;I·A·扬 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2015-09-09 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：描述了一种装置，其包括：输入铁磁体，所述输入铁磁体用于接收第一电荷流并产生第一自旋电流；第一层，所述第一层被配置为经由自旋轨道耦合(SOC)将所述第一自旋电流转换为第二电荷流，其中，所述第一层的至少一部分耦合到所述输入铁磁体；和第二层，所述第二层被配置为经由自旋轨道耦合(SOC)将所述第二电荷流转换为第二自旋电流。
具有自旋霍尔电极电荷互连逻辑

[发明专利]用于逻辑器件和存储器件的金属自旋超晶格-CN201580080352.5有效
发明人： S·马尼帕特鲁尼;A·乔杜里;D·E·尼科诺夫;I·A·扬 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2015-06-24 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： G11C11/155 文献下载
摘要：描述了一种装置，包括：输入铁磁体，其接收第一充电电流并生成对应的自旋电流；以及金属层叠置体，其被配置为将对应的自旋电流转换为第二充电电流，其中，所述金属层叠置体耦合至所述输入磁体。
用于逻辑器件存储金属自旋晶格

[发明专利]掺杂极性层及并入有掺杂极性层的半导体装置-CN202080039278.3在审
发明人： R·拉玛穆尔蒂;S·马尼帕特鲁尼;G·塔雷贾 -专利权人：开普勒计算公司
申请日： 2020-04-07 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： H01L27/11507 文献下载
摘要：一种半导体装置包括形成在硅衬底上的晶体管及通过导电通路来电连接到所述晶体管的电容器；所述电容器包括极性层，所述极性层包括掺杂有掺杂剂的基底极性材料，其中所述基底极性材料包含一或多个金属元素及氧或氮中的一或两者，其中所述掺杂剂包括不同于所述一或多个金属元素的金属元素且以一浓度存在，使得所述电容器的铁电切换电压与具有未掺杂所述掺杂剂的所述基底极性材料的所述电容器的铁电切换电压相差超过约100mV；所述半导体装置另外包括下势垒层，所述下势垒层包括下导电氧化物电极与所述导电通路之间的耐火金属或金属间化合物。
掺杂极性并入半导体装置

[发明专利]掺杂极性层及并入有掺杂极性层的半导体装置-CN202080039183.1在审
发明人： R·拉玛穆尔蒂;S·马尼帕特鲁尼;G·塔雷贾 -专利权人：开普勒计算公司
申请日： 2020-04-07 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： H01G4/30 文献下载
摘要：所公开的技术大体上涉及铁电材料及半导体装置，且更特定来说，涉及并入有掺杂极性材料的半导体存储器装置。在一个方面中，一种半导体装置包括电容器，所述电容器又包括极性层，所述极性层包括掺杂有掺杂剂的基底极性材料。所述基底极性材料包含一或多个金属元素及氧或氮中的一或两者。所述掺杂剂包括不同于所述一或多个金属元素的金属元素且以一浓度存在，使得所述电容器的铁电切换电压与具有未掺杂所述掺杂剂的所述基底极性材料的所述电容器的铁电切换电压相差超过约100mV。电容器堆叠另外包括所述极性层的相对侧上的第一结晶导电氧化物电极及第二结晶导电氧化物电极。
掺杂极性并入半导体装置

[发明专利]掺杂极性层及并入有掺杂极性层的半导体装置-CN202080039195.4在审
发明人： R·拉玛穆尔蒂;S·马尼帕特鲁尼;G·塔雷贾 -专利权人：开普勒计算公司
申请日： 2020-04-07 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： H01G4/30 文献下载
摘要：所公开的技术大体上涉及铁电材料及半导体装置，且更特定来说，涉及并入有掺杂极性材料的半导体存储器装置。在一个方面中，一种半导体装置包括电容器，所述电容器又包括极性层，所述极性层包括掺杂有掺杂剂的结晶基底极性材料。所述基底极性材料包含一或多个金属元素及氧或氮中的一或两者，其中所述掺杂剂包括不同于所述一或多个金属元素的金属元素且以一浓度存在，使得所述电容器的铁电切换电压与具有未掺杂所述掺杂剂的所述基底极性材料的所述电容器的铁电切换电压相差超过约100mV。
掺杂极性并入半导体装置

[发明专利]掺杂极性层及并入有掺杂极性层的半导体装置-CN202080039200.1在审
发明人： R·拉玛穆尔蒂;S·马尼帕特鲁尼;G·塔雷贾 -专利权人：开普勒计算公司
申请日： 2020-04-07 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： H01G4/30 文献下载
摘要：所公开的技术大体上涉及铁电材料及半导体装置，且更特定来说，涉及并入有掺杂极性材料的半导体存储器装置。在一个方面中，一种电容器包括结晶极性层，所述结晶极性层包括置换地掺杂有掺杂剂的基底极性材料。所述基底极性材料包括一或多个金属元素及氧或氮中的一或两者。所述掺杂剂包括不同于所述一或多个金属元素的4d系列、5d系列、4f系列或5f系列中的一者的金属元素，使得所述电容器的铁电切换电压与具有未掺杂所述掺杂剂的所述基底极性材料的所述电容器的铁电切换电压相差超过约100mV。
掺杂极性并入半导体装置

[发明专利]3D集成超高带宽存储器-CN202080035818.0在审
发明人： R·K·多卡尼亚;S·马尼帕特鲁尼;A·马图瑞亚;D·奥劳斯比坎 -专利权人：开普勒计算公司
申请日： 2020-05-14 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：一种改进AI处理系统的性能的封装技术。IC封装包括：衬底；在衬底上的第一管芯和堆叠在第一管芯上的第二管芯。第一管芯包括存储器并且第二管芯包括计算逻辑。第一管芯包括具有比特单元的DRAM。第一管芯的存储器可以存储输入数据和权重因子。第二管芯的计算逻辑耦合到第一管芯的存储器。在一个示例中，第二管芯是推理管芯，其将已训练模型的固定权重应用于输入数据以生成输出。在一个示例中，第二管芯是使得能够学习权重的训练管芯。通过将第一管芯放置在第二管芯下方来改变超高带宽。两个管芯是经由微凸块而晶片对晶片接合或耦合的。
集成超高带宽存储器

[发明专利]具有用于在其中的磁性层上引发应变的界面的自旋转移矩存储器和自旋逻辑器件-CN201480080941.9有效
发明人： S·马尼帕特鲁尼;A·乔杜里;D·尼科诺夫;D·米夏拉克;S·塞亚;I·扬 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2014-09-03 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本公开内容涉及自旋转移矩存储器器件和自旋逻辑器件的制造，其中，应变工程设计界面形成在这些器件内的至少一个磁体内。在一个实施例中，自旋转移矩存储器器件可以包括自由磁性层叠置体，该自由磁性层叠置体包括邻接晶体应力源层的晶体磁性层。在另一个实施例中，自旋逻辑器件可以包括输入磁体、输出磁体；其中，输入磁体和输出磁体中的至少一个包括邻接晶体应力源层的晶体磁性层和/或邻接在输入磁体与输出磁体之间延伸的晶体自旋相干沟道的晶体磁性层。
具有用于中的磁性引发应变界面自旋转移存储器逻辑器件

[发明专利]磁电器件和互连件-CN201480083511.2有效
发明人： D·E·尼科诺夫;S·马尼帕特鲁尼;I·A·扬 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2014-12-18 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：描述了一种互连件，其包括：具有耦合到第一磁电材料层的铁磁层的第一端部；以及具有耦合到所述铁磁层的第二磁电材料层的第二端部，其中所述铁磁层从所述第一端部延伸到所述第二端部。描述了一种多数逻辑门器件，其包括：铁磁层；以及耦合到所述铁磁层的第一、第二、第三和第四磁电材料层。描述了一种设备，其包括：具有耦合到第一磁电材料层的铁磁层的第一端部；以及具有耦合到铁磁层的隧道结器件的第二端部。描述了一种设备，其包括：耦合到隧道结器件的第一端子；耦合到将隧道结器件和磁电器件耦合的层的第二端子；以及耦合到所述磁电器件的第三端子。
磁电器件互连

[发明专利]在存储器内计算(CIM)电路中的后段制程(BEOL)电容器的应用-CN201980042574.6在审
发明人： A·夏尔马;J·T·卡瓦列罗斯;I·A·扬;R·克里希纳穆尔蒂;S·马尼帕特鲁尼;U·阿维奇;G·K·陈;A·马图瑞亚;R·库马尔;P·克纳戈;H·E·苏姆布;N·哈拉蒂普;V·H·勒 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2019-08-22 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： G06N3/063 文献下载
摘要：描述了一种装置。该装置包括存储器内计算(CIM)电路。该CIM电路包括耦合到存储器阵列的数学计算电路。存储器阵列包括嵌入式动态随机存取存储器(eDRAM)存储器阵列。描述了另一种装置。该装置包括存储器内计算(CIM)电路。该CIM电路包括具有开关电容器电路的数学计算电路。开关电容器电路包括在半导体芯片的金属/介电层内耦合到薄膜晶体管的后段制程(BEOL)电容器。描述了另一种装置。该装置包括存储器内计算(CIM)电路。该CIM电路包括具有累加电路的数学计算电路。累加电路包括铁电BEOL电容器，用于存储要与由其他铁电BEOL电容器存储的其他值累加的值。
存储器计算 cim 电路中的后段 beol 电容器应用

[发明专利]促进存储器内计算的振荡器电路-CN201980041575.9在审
发明人： I·A·扬;R·克里什纳墨菲;S·马尼帕特鲁尼;A·马图里亚;A·A·沙尔马;R·库马尔;P·克纳格;H·苏姆布尔;G·陈 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：用于存储器设备基于利用压控振荡器（VCO）检测到的逻辑状态来执行存储器内计算的技术和机制。在实施例中，存储器设备的VCO电路从存储器阵列接收指示基于一个或多个当前存储的数据位的逻辑状态的第一信号。VCO提供从由第一信号的电压特性指示的逻辑状态到由循环信号的相应频率特性指示的逻辑状态的转换。基于频率特性，标识并传送逻辑状态以用于在存储器设备处的存储器内计算中使用。在另一实施例中，将存储器内计算的结果写回到存储器阵列。
促进存储器计算振荡器电路

[发明专利]应变辅助自旋力矩翻转自旋转移力矩存储器-CN201480081445.5有效
发明人： S·马尼帕特鲁尼;D·E·尼科诺夫;A·汗;R·金;T·加尼;I·A·扬 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2014-09-25 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： G11C11/15 文献下载
摘要：描述了一种设备，其包括：磁性隧道结(MTJ)，所述MTJ具有自由磁性层；压电层；以及导电应变传递层，所述导电应变传递层耦合至所述自由磁性层和所述压电层。描述了一种方法，其包括：利用电压驱动的电容性刺激来激励压电层；以及经由应变辅助层写入至耦合至所述压电层的MTJ。还描述了一种设备，其包括：晶体管；导电应变传递层，所述导电应变传递层耦合至所述晶体管；以及MTJ器件，所述MTJ器件具有耦合至所述导电应变传递层的自由磁性层。
应变辅助自旋力矩翻转转移存储器

[发明专利]用于从原位沉积的磁性叠层制造自旋逻辑器件的方法-CN201480083526.9有效
发明人： D·J·米夏拉克;S·马尼帕特鲁尼;J·S·克拉克;D·E·尼科诺夫;I·A·扬 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2014-12-18 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：描述了一种方法，包括：在衬底或模板上形成磁体，所述磁体具有界面；在所述磁体的界面上形成非磁体导电材料的第一层，使得原位形成所述磁体和非磁体导电材料的层。描述了一种装置，包括：形成在衬底或模板上的磁体，所述磁体在结晶、电磁或热力条件下形成，所述磁体具有界面；以及形成在磁体的界面上的非磁体导电材料的第一层，使得原位形成所述磁体和所述非磁体导电材料的层。
用于原位沉积磁性制造自旋逻辑器件方法

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