[发明专利]具有自旋霍尔MTJ器件的交叉点阵列MRAM有效
| 申请号： | 201380073013.5 | 申请日： | 2013-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN104995682B | 公开（公告）日： | 2018-01-19 |
| 发明（设计）人： | S·马尼帕特鲁尼;D·E·尼科诺夫;I·A·扬 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | G11C11/18 | 分类号： | G11C11/18;H01L43/08;H01L27/22;G11C11/16 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人： | 王英,陈松涛 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 描述了实施基于自旋霍尔磁性隧道结(MTJ)的器件的交叉点阵列磁阻随机存取存储器(MRAM)以及这样的阵列的操作方法。例如，用于非易失性存储器的位单元包括设置在衬底上方的磁性隧道结(MTJ)叠置体，磁性隧道结叠置体具有设置在电介质层上方的自由磁性层，电介质层被设置在固定磁性层上方。位单元还包括设置在MTJ叠置体的自由磁性层上方的自旋霍尔金属电极。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 自旋 霍尔 mtj 器件 交叉点 阵列 mram | ||
【主权项】：
一种交叉点阵列巨自旋霍尔效应磁阻随机存取存储器(GSHE‑MRAM)，包括：多个位单元，所述多个位单元中的每个位单元包括与磁性隧道结(MTJ)叠置体耦合的自旋霍尔金属电极，以及与所述MTJ叠置体耦合的第二电极，其中，每个位单元的所述自旋霍尔金属电极包括选自由β‑钽(β‑Ta)、β‑钨(β‑W)和铂(Pt)的构成的组的金属，所述金属被设置在所述位单元的所述MTJ叠置体的自由磁性层上，并且其中，每个位单元不包括相关联的选择晶体管；多条选择线，所述多条选择线中的每条选择线在所述多个位单元中的一个或多个位单元的每个自旋霍尔金属电极的第一端处耦合到所述多个位单元中的所述一个或多个位单元；多条位线，所述多条位线中的每条位线在所述多个位单元中的一个或多个位单元的每个自旋霍尔金属电极的第二不同端处耦合到所述多个位单元中的所述一个或多个位单元；以及多条字线，所述多条字线中的每条字线在所述多个位单元中的一个或多个位单元的每个位单元的所述第二电极处耦合到所述多个位单元中的所述一个或多个位单元。
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