专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]标准单元接触孔的形成方法-CN202210181282.4在审
  • 高俊九;曾贤成;李若园 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2022-02-25 - 2023-09-05 - H01L21/768
  • 本申请提供一种标准单元接触孔的形成方法,包括:提供衬底,所述衬底包括依次堆叠的绝缘层、第一掩膜层、第二牺牲层和第一介质层,所述第一介质层上形成有侧壁具有第一侧墙的第一牺牲层图案;去除所述第一牺牲层图案,在所述第一介质层上形成第二掩膜层,所述第二掩膜层和所述第一侧墙形成新的第二掩膜层图案;以所述第二掩膜层图案为掩膜,刻蚀所述第一介质层和所述第二牺牲层,形成第二牺牲层图案;在所述第二牺牲层图案的侧壁形成第二侧墙,并去除所述第二牺牲层图案;以所述第二侧墙为掩膜,刻蚀所述第一掩膜层并停止在所述绝缘层上,形成标准单元接触孔。本申请技术方案可以形成宽度不均匀的标准单元接触孔。
  • 标准单元接触形成方法
  • [实用新型]一种虹膜识别智能门锁-CN201921323528.7有效
  • 高俊雄;曾贤成;黄登;杨茂 - 武汉虹识技术有限公司
  • 2019-08-15 - 2020-07-14 - E05B49/00
  • 本实用新型涉及生物识别智能锁具技术领域,提供一种虹膜识别智能门锁,包括虹膜识别装置以及与所述虹膜识别装置配合的锁体,所述锁体用于布置在门板的开合侧边,所述虹膜识别装置包括两个虹膜识别锁头,两个所述虹膜识别锁头分别用于布置在所述门板的外侧和内侧,各所述虹膜识别锁头对应设置有离合机构,所述离合机构与对应的所述虹膜识别锁头电连接,所述离合机构与所述锁体连接。本实用新型提供的虹膜识别智能门锁,通过在门板的两侧分别设置能够开启锁体的虹膜识别锁头,方便收集出入人员的信息,有利于管理人员对出入人员进行管理和查找,防止人员滞留,避免出现财产损失或人身安全隐患。
  • 一种虹膜识别智能门锁
  • [实用新型]一种镜头视角调节机构及虹膜识别装置-CN201921351793.6有效
  • 易开军;曾贤成;黄登 - 武汉虹识技术有限公司
  • 2019-08-20 - 2020-04-21 - G02B7/02
  • 本实用新型涉及虹膜识别技术领域,提供一种镜头视角调节机构及虹膜识别装置,镜头视角调节机构包括支撑组件、镜头支架、齿轮、齿条、滑键和齿轮自锁机构,镜头支架与支撑组件可转动地连接,镜头支架与齿轮可传动地连接,齿条与滑键连接,齿轮与齿条啮合,齿轮自锁机构与支撑组件连接,齿轮自锁机构的输出端与齿轮传动连接。本实用新型提供的镜头视角调节机构及虹膜识别装置,通过在与镜头支架相连的齿轮端部设置齿轮自锁机构,利用齿轮自锁机构的定位扭矩可限制齿轮的转动,从而对镜头视角实现任意角度的调节和自锁保持,避免镜头支架在重力作用下回转至初始位置,用户在初次调整后无需再重新调整镜头角度,提高了识别效率,有利于增强用户体验。
  • 一种镜头视角调节机构虹膜识别装置
  • [实用新型]一种基于升降式虹膜识别的闸机-CN201921263698.0有效
  • 高俊雄;黄辉萍;黄登;曾贤成 - 武汉虹识技术有限公司
  • 2019-08-06 - 2020-04-21 - G07C9/37
  • 本实用新型涉及通道设备技术领域,提供了一种基于升降式虹膜识别的闸机,包括闸机本体,还包括虹膜识别器;闸机本体包括箱体、阻拦体以及机芯,阻拦体设置在箱体的侧面,机芯设置在箱体的内部,机芯与阻拦体相连;虹膜识别器可升降的设置在箱体的顶面,虹膜识别器与机芯电连接。本实用新型提供的基于升降式虹膜识别的闸机,将虹膜识别器可升降的设置在箱体的顶面,可以根据不同用户的身高来调节虹膜识别器的高度,采集有效的虹膜图像,可以方便快速的获取闸机的通行权限,有利于大规模的推广应用。
  • 一种基于升降虹膜识别
  • [发明专利]磁性随机存储器及其制造方法-CN201310323978.7有效
  • 曾贤成 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2013-07-29 - 2018-12-25 - H01L43/12
  • 本发明提供了一种磁性随机存储器及其制造方法,其中,所述磁性随机存储器的制造方法包括:提供一半导体衬底,所述半导体衬底具有接触孔;对所述接触孔执行金属填充;在金属填充后的半导体衬底的表面形成导电层;刻蚀所述导电层形成导线;在形成导线后的半导体衬底的表面形成MTJ层;刻蚀所述MTJ层形成MTJ存储单元。本发明磁性随机存储器的制造方法中,在金属填充后的半导体衬底的表面增加了一层非常平整的导电层,MTJ层沉积在所述导电层的表面,使得刻蚀形成的MTJ存储单元不会出现Mx波纹。
  • 磁性随机存储器及其制造方法
  • [发明专利]一种半导体器件的制造方法-CN201310754004.4有效
  • 曾贤成 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2013-12-31 - 2018-05-04 - H01L21/8246
  • 本发明提供一种半导体器件的制造方法,包括提供半导体衬底,在半导体衬底上形成有层间介电层,在层间介电层中形成有互连线;在半导体衬底上依次沉积形成底部电极材料层、磁通道结材料层、蚀刻停止层、硬掩膜层、金属硬掩膜层和覆盖层,覆盖层间介电层和互连线的顶部;在覆盖层上依次形成BARC层和具有磁通道结图案的光刻胶层;实施蚀刻,形成磁通道结,其中,金属硬掩膜层和硬掩膜层构成用于蚀刻磁通道结材料层的掩膜。根据本发明,作为蚀刻掩膜的金属硬掩膜层的侧壁轮廓几近垂直,从而确保经过蚀刻得到的MTJ的特征尺寸的均一性,同时提升器件富余。
  • 一种半导体器件制造方法
  • [发明专利]MRAM器件形成工艺中的对准方法-CN201410261096.7有效
  • 湛兴龙;曾贤成 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2014-06-12 - 2018-04-10 - H01L43/12
  • 本发明提供了一种MRAM器件形成工艺中的对准方法,包括提供半导体衬底,该半导体衬底包括并列的器件区域和对准区域,该器件区域包含至少一金属互连层,该金属互连层延伸至所述对准区域;对所述对准区域的半导体衬底进行刻蚀,形成具有凹凸形貌的对准图形;形成磁隧道结层,该磁隧道结层覆盖所述半导体衬底的器件区域和对准区域,所述对准区域的磁隧道结层具有与所述对准图形相适应的凹凸形貌;在所述磁隧道结层上形成掩膜层;利用所述对准区域的对准图形进行光刻对准,以对所述硬掩膜层进行图形化。本发明能够解决互连结构损伤造成的对准问题,有利于提高对准精度。
  • mram器件形成工艺中的对准方法

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