专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]存储单元-CN201410155887.1有效
  • 廖忠志 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2014-04-17 - 2017-07-28 - G11C15/04
  • 本发明公开了用于存储单元单元布局,诸如,用于三元内容可寻址存储器(TCAM)。一些单元布局包括阱带结构。单元布局可以沿着布局顺序地包括p掺杂阱、n掺杂阱、以及p掺杂阱。另一个单元布局可以沿着布局顺序地包括p掺杂阱、n掺杂阱、p掺杂阱、以及n掺杂阱。阱带结构可以位于p掺杂阱或n掺杂阱中。可以通过存储单元布局使用具有网的多种金属化层。
  • 存储单元
  • [实用新型]存储单元-CN200420118174.X无效
  • 廖忠志 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2004-11-24 - 2006-01-11 - H01L27/10
  • 本实用新型提供一种用于CMOS的存储器结构,用以降低软错误(soft-errors)的发生。在此存储单元的布局中,晶体管的源极至漏极轴与存储单元的较短边平行,且此存储单元具有一较长边与一较短边,其中较长边较佳为较短边的2倍长,如此可利用较短的井路径来降低晶体管与井条状处间的电阻,且较短的井条状处可降低操作时的电压与减少软错误的发生
  • 存储单元
  • [发明专利]存储单元-CN200880124130.9有效
  • T·蒙克肯尼斯 - 艾色拉公司
  • 2008-10-24 - 2011-01-05 - H01L27/11
  • 一种用于制造集成电路(IC)的方法,包括:限定多个要形成器件的连续有源区;形成在所述有源区之上延伸的多个导线;以及将所述导线用作掩模,将掺杂剂引入到所述有源区中。提供所述掺杂区域与导线之间的连接以形成第一电路部分和第二电路部分,其中至少一个有源区在所述部分之间是连续的。在该有源区中,提供所述掺杂区域与导线之间的连接以在第一与第二电路部分之间形成二极管连接的彼此反向偏置的成对的晶体管,所述成对的晶体管被连接为使得在所述成对的晶体管之间留下共用的未被连接的掺杂区域。本发明还涉及一种相应的IC。
  • 存储单元
  • [发明专利]存储单元-CN03825092.6无效
  • 巴里·H·哈里森;西马·迪米特里耶夫 - 格里菲斯大学
  • 2003-09-12 - 2005-11-09 - G11C11/36
  • 一种利用碳化硅(SiC),以提供不平衡的电荷隔离以及快速和非破坏性的充电/放电的一晶体管(1T)NVRAM单元。为了能够检测受控制的电阻(和许多存储器电平)而不是电容器,单元引入可以用硅或SiC实现的存储晶体管。1T单元具有二极管隔离,以便能够实现在目前的快闪存储器中使用的结构,特别是NOR和NAND阵列。具有二极管隔离的1T单元并不局限于SiC二极管。制造方法包括在SiC衬底上形成氮化的二氧化硅栅极,并随后进行离子注入,然后完成自对准MOSFET形成的步骤。
  • 存储单元
  • [发明专利]存储单元阵列及存储单元-CN200610145144.1有效
  • 廖忠志 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2006-11-13 - 2007-10-31 - H01L23/522
  • 本发明提供一种存储单元阵列及存储单元,应用于分离字线型的存储单元改良电源栅格设计。一存储单元阵列包括一第一金属层以供局部连接用,一第二金属层以供一位线、一互补位线、以及一设置于该位线与该互补位线之间的第一电压线用,各自大体上为一第一走向,一第三金属层以供一第一多个的第二电压线以及一设置于该第一多个的第二电压线之间的字线用本发明所述的存储单元存储单元阵列,能提供较低的RC延迟以及较佳的稳定性,此外,其能降低字线的电容。
  • 存储单元阵列

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