专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]存储-CN202011548151.2在审
  • 沈揆理;高宽协;姜大焕 - 三星电子株式会社
  • 2017-01-25 - 2021-04-13 - H01L27/22
  • 本发明构思提供一种存储。在该存储中,存储单元布置为具有小的电特性变化并从而提高可靠性。在存储中,在不同水平的存储单元可以用具有不同厚度的间隔物覆盖,这可以控制存储单元的电阻特性(例如设置电阻)并且减小存储单元的电特性的竖直变化。此外,通过调整间隔物的厚度,存储单元的感测裕度可以增加。
  • 存储器件
  • [发明专利]存储-CN202210042789.1在审
  • 中山昌彦;须之内一正 - 铠侠股份有限公司
  • 2022-01-14 - 2022-09-20 - G11C16/08
  • 实施例提供了一种能够执行高效读取操作的存储。根据一个实施例,一种存储包括存储基元阵列,其中分别包括可变电阻存储元件的多个存储基元被划分为多个存储块,所述多个存储基元包括位于同一存储块中的第一存储基元和第二存储基元;以及检测电路在第一存储基元为读取目标的读取操作期间,检测电路将第一电阻值与第二电阻值进行比较,并且基于第一电阻值是否高于或低于第二电阻值来确定存储在第一存储基元中的数据的值,第一电阻值是第一存储基元中的可变电阻存储元件的电阻值,第二电阻值是第二存储基元中的可变电阻存储元件的电阻值。
  • 存储器件
  • [发明专利]存储-CN201710176184.0在审
  • 申有哲;金泰勋 - 三星电子株式会社
  • 2017-03-22 - 2017-12-12 - H01L27/11582
  • 在一个实施例中,半导体器件包括具有杂质区的衬底,并且衬底和杂质区具有不同的杂质特性。半导体器件还包括在衬底上交替的第一层间绝缘层和栅电极层的堆叠;在所述堆叠上形成的至少一个第二层间绝缘层;在第二层间绝缘层上形成的多个位线;和在衬底上穿过所述堆叠形成的多个第一沟道结构。
  • 存储器件
  • [发明专利]存储-CN202110210534.7在审
  • 野口纮希;王奕 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2021-02-25 - 2021-08-27 - G06F11/10
  • 一种存储包括具有存储宏的存储阵列、旗标及控制器。存储存储宏中的数据的每一位被表示为第一位类型或第二位类型。在所述至少一个存储宏的写入操作中,控制器确定输入数据是否满足所选择情形模式。响应于输入数据满足所选择情形模式,控制器禁用旗标且将输入数据写入到存储宏中。响应于输入数据不满足所选择情形模式,控制器启用旗标,将输入数据反相,且将经反相输入数据写入到存储宏中。
  • 存储器件

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