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[发明专利]离子晶体表面限域组装二维晶态多孔金属氧化物纳米片的合成方法-CN202211303696.6有效
发明人：张永辉;杨玄宇;赵瑞杰;岳丽娟;巩飞龙;陈俊利;王培远;张浩力;金贵新 -专利权人：郑州轻工业大学
申请日： 2022-10-24 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C01F17/235 文献下载
摘要：本发明公开了一种离子晶体表面限域组装二维晶态多孔金属氧化物纳米片的合成方法。首先将离子晶体和金属无机盐于水中超声溶解，在酸性条件下抑制金属前驱体水解，使溶液混合均匀。然后在液氮条件下快速冷冻混合溶液，利用水的相变结晶，使离子晶体从体系中析出，利用离子晶体表面弱电负性吸附金属阳离子；冷冻干燥得到预制备样品；通过控制焙烧温度形成金属氧化物纳米片被吸附在离子晶体表面的复合结构本发明所制备样品比表面积大，厚度较薄，产率高，大大提高了二维晶态金属氧化物纳米片的制备效率和产率，且方法简单，原料易得，具有较强的普适性，可用于放大生产。
离子晶体表面组装二维晶态多孔金属氧化物纳米合成方法

[发明专利]一种向晶体表面转移二维材料的真空装置及方法-CN202211319481.3在审
发明人：明方飞;李炳睿;邓少芝 -专利权人：中山大学
申请日： 2022-10-26 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： B81C3/00 文献下载
摘要：本发明涉及二维材料技术领域，公开了一种向晶体表面转移二维材料的真空装置及方法，通过第一抽气装置和第二抽气装置，可实现超高真空环境，并通过设置烘烤单元，使入样腔体和主腔体可烘烤以充分去除内表面吸附的气体，从而同时保护目标衬底的表面晶体结构和二维材料的结构通过离子轰击装置可进行离子轰击，实现目标衬底表面的晶体化，洁净度更高，提高转移的成功率和质量。通过第二加热装置和第三加热装置可实现晶体表面重构，通过热蒸发装置可以在晶体表面上生长特定结构。
一种晶体表面转移二维材料真空装置方法

[发明专利]一种蓝宝石晶体表面研磨专用工具及方法-CN201811419755.X有效
发明人：张岩;付吉国;董伟;赵然;周卫东;曾蕾 -专利权人：国宏中晶集团有限公司
申请日： 2018-11-26 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： B24B37/00 文献下载
摘要：一种蓝宝石晶体表面研磨专用工具，包括球罩，球罩表面通孔内安置研磨杆，限位块卡通孔外侧，球罩底部有腰圈，固定孔内有固定栓，腰圈底部固定底座上，固定装置设置有伸缩杆和台面，伸缩杆设置有内杆和外管，外管内壁两侧设有滑槽，外管内壁横向设置调节槽，台面上表面设有安置槽，固定座中部有固定带，固定带中部有放置孔。蓝宝石晶体表面研磨专用方法利用固定带保证其不会掉落，根据晶体大小改变满足不同尺寸的晶体。
一种蓝宝石晶体表面研磨专用工具方法

[发明专利]一种低成本碳化钽涂层的制备方法-CN201611179306.3在审
发明人：袁振洲;刘欣宇;何丽娟 -专利权人：北京世纪金光半导体有限公司
申请日： 2016-12-19 - 公布日： 2017-05-24 - 主分类号： C04B41/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种低成本碳化钽涂层的制备方法，所述方法为首先对基体进行预处理，然后采用碳化钽、烧结助剂、粘接剂与溶剂配置悬浊液，将悬浊液均匀喷涂或刷涂于所述基体表面，最后将喷好或刷好涂层的基体进行预温与烧结处理本发明可以在基体表面包敷一层完全致密结构的TaC涂层，该涂层可以使基体表面受到很大程度的隔离与保护；可用于晶体、半导体生产用装置或部件的高性能涂层的制备，防止晶体生长时装置或部件表层颗粒进入晶体内，进而造成晶体缺陷与CVD沉积技术相比，本发明工艺过程成本低、相对简单，易操作，重复性好，可直接在材料表面形成成致密、无裂纹的涂层。
一种低成本碳化涂层制备方法

[发明专利]化学机械研磨方法以及化学机械研磨装置-CN201410443217.X有效
发明人：唐强;魏红建;肖德元 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2014-09-02 - 公布日： 2018-08-10 - 主分类号： B24B37/04 文献下载
摘要：本发明提供一种化学机械研磨方法以及化学机械研磨装置，化学机械研磨方法包括：提供研磨垫、调节器；提供研磨晶体，在研磨晶体表面设置磁性材料层；将研磨晶体安置在调节器中；在调节器上设置一磁性吸附盘，用于吸附收集从调节器掉落的研磨晶体化学机械研磨装置包括研磨垫、调节器、研磨晶体，研磨晶体表面具有磁性材料层，研磨晶体嵌于调节器中；磁性吸附盘设于调节器上，用于吸附收集从调节器掉落的研磨晶体。本发明的有益效果在于，磁性吸附盘可能够及时的将掉落的具有磁性材料层研磨晶体从研磨垫上吸附起来，这样不会对待研磨的晶圆造成划伤。
研磨调节器化学机械研磨装置化学机械研磨磁性材料层磁性吸附盘研磨垫掉落吸附晶体表面划伤晶圆安置

[发明专利]一种控制表面缺陷及表面电位的层状复合金属氢氧化物制备方法-CN201110108024.5有效
发明人：林彦军;钟凯;王桂荣;段雪 -专利权人：北京化工大学
申请日： 2011-04-28 - 公布日： 2011-10-05 - 主分类号： C01F7/00 文献下载
摘要：本发明公开了属于无机功能材料制备技术领域的一种控制表面缺陷及表面电位的层状复合金属氢氧化物制备方法。本发明是在层状复合金属氢氧化物晶化反应结束后，采用不同的降温方法对晶体的表面缺陷及表面电性同时进行控制，操作简单易于实现。降温速率越快得到的层状复合金属氢氧化物晶体表面缺陷越多，电荷在晶体表面分布越不均匀，Zeta(ζ)电位越低，进而对产品的催化、紫外阻隔、阻燃作用产生影响。
一种控制表面缺陷电位层状复合金属氢氧化物制备方法

[发明专利]水溶性荧光材料及其制备方法-CN200580039035.5无效
发明人：神隆;金城政孝;田村守;藤井文彦;坂田启司 -专利权人：独立行政法人科学技术振兴机构;国立大学法人北海道大学
申请日： 2005-09-22 - 公布日： 2007-10-17 - 主分类号： C09K11/08 文献下载
摘要：本发明提供在可见光范围内具有发光区域、并具有优异的发光效率的水溶性荧光材料，本发明涉及一种水溶性荧光材料，其具有半导体纳米晶体；包覆该半导体纳米晶体表面的至少一部分、具有亲水性基团和疏水性基团的线性或环状酚化合物；以及包覆该半导体纳米晶体表面的至少一部分的配位性有机化合物。
水溶性荧光材料及其制备方法

[发明专利]一种降低氮化镓晶体表面颗粒浓度的处理方法-CN201811586333.1在审
发明人：赵杰;徐涛 -专利权人：天津市耀宇科技有限公司
申请日： 2018-12-25 - 公布日： 2019-04-09 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种降低氮化镓晶体表面颗粒浓度的处理方法，涉及氮化镓晶体表面处理技术领域，包括以下步骤：步骤1)、固定：步骤2)、抛光：步骤3)、表面硫醇处理。本发明方法简单实用，通过氮化镓的表面进行处理，去除氮化镓表面的天然氧化层，降低氮化镓与栅介质层、阻挡层之间的界面缺陷，降低漏电流，提升氮化镓的可靠性，通过硫醇的处理可以在氮化镓表面形成保护膜，防止氮化镓表面处理过后暴露在空气中发生再氧化，效的提高氮化镓的整体性能，延长了其整体使用寿命，在抛光的同时采用紫外线灯由上至下照射在晶体表面，可加速氧化剂与氮化镓晶片表面的化学反应速率，使晶片表面粗糙度降低，并能提高抛光速率。
氮化镓氮化镓晶体表面氮化镓表面抛光硫醇整体使用寿命化学反应氧化剂氮化镓晶片天然氧化层界面缺陷晶片表面晶体表面栅介质层紫外线灯保护膜粗糙度漏电流再氧化阻挡层去除照射暴露

[实用新型]一种晶体打磨机-CN201821215816.6有效
发明人：廖永建;周里华;张福亮 -专利权人：惠磊光电科技（上海）有限公司
申请日： 2018-07-27 - 公布日： 2019-03-22 - 主分类号： B24B19/22 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种晶体打磨机，涉及晶体打磨技术领域，解决了因打磨过程中晶体表面堆积的晶体粉料导致晶体打磨效果不佳的问题。晶体打磨机包括支架，支架上设置有工作台，工作台上设置有水槽，水槽中设置有磨盘，磨盘靠近支架的一端设置有转轴，转轴穿出工作台连接有驱动机构，且工作台上设置有控制箱；工作台上设置有水箱，水箱上设置有出水管，所述晶体打磨机在对晶体进行打磨的过程中，可以用纯水冲洗掉晶体表面堆积的晶体粉料，对晶体能够起到良好的打磨效果，且可以清楚的观察晶体打磨的情况。
打磨打磨机水箱支架水槽晶体表面晶体粉料出水管磨盘工作台转轴堆积本实用新型纯水冲洗驱动机构一端设置控制阀控制箱穿出盛装观察

[实用新型]一种变桨系统调试器-CN202221272599.0有效
发明人：吴飞;吴廷波 -专利权人：上海溥灵能源科技集团有限公司
申请日： 2022-05-25 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： F03D7/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种变桨系统调试器，包括调试器本体，所述调试器本体外表面的一侧开设有滑槽，所述滑槽的内壁滑动连接有盖板，所述盖板的一侧面固定连接有固定柱，所述固定柱的外表面插接有螺纹杆，所述螺纹杆内壁的一侧面滑动连接有定位杆，所述螺纹杆的外表面螺纹连接有螺纹板。该一种变桨系统调试器，通过盖板对调试器本体表面的晶体屏进行遮挡，然后固定柱插入到调试器本体额内部，然后固定柱通过螺纹杆进行固定，实现将盖板固定在调试器本体表面，从而实现对调试器本体表面的晶体屏进行保护，避免晶体屏受到碰撞，达到解决现有的调试器使用后，晶体屏和操作界面均暴露在外侧，容易受到外界的撞击，导致调试器损毁的问题。
一种系统调试

[发明专利]一种离子注入单晶体宝石呈色的制备方法-CN201110449077.3无效
发明人：于杰;陈敬超;叶未;唐雪莲;杨淼;祖恩东 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2011-12-29 - 公布日： 2012-06-13 - 主分类号： C30B29/20 文献下载
摘要：本发明提出一种离子注入单晶体宝石呈色的制备方法，属于宝石单晶体材料领域。采用离子注入和热处理相结合对宝石单晶体进行颜色优化的方法，通过将宝石单晶体表面进行抛光、采用高能离子束注入致色元素，在宝石晶体表层0.1um-0.5um范围内造成一种晶体色心缺陷，在宝石单晶体对应熔点温度本发明能避免常规宝石单晶体颜色优化过程中所面临的热处理温度高、使用过程中的表层易脱落的问题，是一种呈色稳定、着色均匀、色彩丰富的着色方法，并不影响宝石的折射率、表面光泽和硬度，同时能在宝石表面能得到特定的图案
一种离子注入单晶体宝石制备方法

[发明专利]一种表面接枝改性纳米纤维素晶体的制备方法-CN201310171570.2有效
发明人：罗卫华;王正良 -专利权人：罗卫华
申请日： 2013-05-11 - 公布日： 2013-07-24 - 主分类号： C08F251/02 文献下载
摘要：本发明属于纤维素改性及利用领域，涉及一种表面接枝改性纳米纤维素晶体的制备方法。具体方法如下：将纳米纤维素晶体分散于有机溶剂中，首先通过马来酸酐与纳米纤维素晶体表面羟基间的反应，在纳米纤维素晶体表面引入不饱和双键，再加入引发剂、不饱和单体，通过自由基聚合反应制备表面接枝改性纳米纤维素晶体该表面接枝改性纳米纤维素晶体在聚合物基体中分散均匀，与聚合物基体之间界面相容性好，制备的聚合物纳米复合材料的拉伸强度和断裂伸长率都有提高。
一种表面接枝改性纳米纤维素晶体制备方法

[实用新型]一种用于提升晶片晶向角度的工装-CN202121888235.0有效
发明人：许子俊;马曾增;陈伟 -专利权人：江苏中科晶元信息材料有限公司
申请日： 2021-08-12 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： B24B19/22 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种用于提升晶片晶向角度的工装，包括水平设置在晶向角度磨削机上的底座，所述底座上表面等距开设有晶体放置槽，所述底座上方设有X轴总成，所述X轴总成上设有激光测距仪。该用于提升晶片晶向角度的工装，通过气缸推动有效的提高磨削速度，通过底座在晶体表面行走的方式，判断晶体基准面是否垂直，以保证晶体表面的完好无损，同时激光测距仪使测量速度增快，加工精度高，精度可达到±3′，确保了晶体晶向角度的高精度及表面高品质，符合加工要求，使晶片表面无明显切割痕迹，高平整度可控制在±3′，确保成品率及其稳定性，不会对晶体产生划痕、压碎、磕边、污染等不良现象。
一种用于提升晶片角度工装

[实用新型]单侧泵浦全固化Yb:YAG块外腔激光器-CN03221883.4无效
发明人：陈长水;吴边;龚传波;殷绍唐;王爱华;张庆礼;孙敦路 -专利权人：中国科学院安徽光学精密机械研究所
申请日： 2003-05-14 - 公布日： 2004-06-09 - 主分类号： H01S3/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种单侧泵浦全固化Yb：YAG块外腔激光器，包括二极管泵浦源，耦合匹配透镜机构，光纤，Yb：YAG激光晶体及其冷却机构，二极管泵浦的激光晶体表面与激光器的激光出射表面分离；激光晶体的泵浦耦合表面镀940nm的透射膜，其平行对面镀940m的全反射膜；激光晶体的另二个平行表面分别镀1030nm的全反射膜和1030nm的增透射膜；晶体外侧有输出腔镜，和镀1030m的全反射膜的晶体表面构成激光谐振腔，获得全固化
单侧泵浦全固化 yb yag 块外腔激光器

[发明专利]用于确定晶面相对于晶体表面定向的设备和方法-CN200510091603.8有效
发明人：拉尔夫·哈默;拉尔夫·格鲁茨恩斯凯;安德烈·科莱因韦希特;蒂洛·弗拉德 -专利权人：弗赖贝格化合物原料有限公司
申请日： 2002-06-11 - 公布日： 2006-02-22 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：本发明涉及用于确定晶面(100)相对于晶体表面(2)定向的设备及方法，按此方法，定向与晶体粘结缺陷或晶体支架不清洁无关。为此，测量要测量的晶体表面与基准轴线的夹角和晶面与基准轴线的夹角并算出它们之差。接着，在包括X－Y定位装置的钢丝锯设备内借助测得的定向进行期望的修正，与此同时沿水平和垂直位置调整晶体。由此保证晶体在切割面内的另一个旋转自由度，以达到垂直于进给方向和旋转方向无力地切割，所以不发生工具偏移和使切割力最小。此外提高了定向精度。
用于确定面相对于晶体表面定向设备方法