“晶体表面”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果4941291个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]晶体表面除尘装置-CN201320879959.8有效
发明人：吴延剑 -专利权人：珠海东精大电子科技有限公司
申请日： 2013-12-30 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： B08B5/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种晶片表面除尘装置，旨在提供一种结构简单、使用方便、能提高晶片载入率、能除去晶片表面粉尘而提高产品良品率的晶片表面除尘装置。该晶片表面除尘装置包括吸附治具、连接管、真空发生器、电磁阀、控制开关，所述吸附治具通过连接管与所述真空发生器的吸气口相联通，所述真空发生器的进气口与外部的空压机相联通，所述电磁阀设置在所述进气口处，所述电磁阀
晶体表面除尘装置

[实用新型]晶体表面检测装置-CN202122438124.6有效
发明人：陈桥玉 -专利权人：甘肃旭晶新材料有限公司;东旭科技集团有限公司
申请日： 2021-10-12 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： G01B5/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种晶体表面检测装置，包括：基座，所述基座的底面为平面，所述基座的侧面设有多个安装槽；多个千分表，所述千分表固定在所述安装槽内，所述千分表的测量头从所述基座的底面伸出，所述千分表的测量杆垂直于所述基座的底面本实用新型能够对晶体的表面特征进行检测，提高检测精度和检测效率。
晶体表面检测装置

[发明专利]光子晶体表面态-CN200780009116.X无效
发明人： R·A·海德;N·P·梅尔沃德 -专利权人：西尔瑞特有限公司
申请日： 2007-03-16 - 公布日： 2009-08-05 - 主分类号： G02B6/00 文献下载
摘要：光子晶体可被配置成支持用于逻辑的表面态。
光子晶体表面

[发明专利]一种稀土钕或镱掺杂YAG激光晶体的键合方法-CN202210200175.1在审
发明人：林东晖;彭方;马孙明 -专利权人：林东晖
申请日： 2022-03-02 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： C30B33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种稀土钕或镱掺杂YAG激光晶体的键合方法，包括：S1：提供稀土掺杂的YAG激光晶体；S2：提供另一键合晶体；S3：对稀土掺杂的YAG激光晶体表面和另一键合晶体表面进行清洁；S4：对稀土掺杂的YAG激光晶体表面进行湿法刻蚀，以使得稀土掺杂的YAG激光晶体表面形成多个凹陷；S5：对另一键合晶体表面进行湿法刻蚀，以使得另一键合晶体表面形成多个凸起；S6：将具有多个凹陷的稀土掺杂的YAG激光晶体表面与具有多个凸起的另一键合晶体表面贴合以形成层叠体
一种稀土掺杂 yag 激光晶体方法

[发明专利]基于二维光子晶体表面模的微环共振滤波器-CN200910154419.1无效
发明人：任宏亮;覃亚丽;刘恺;吴哲夫 -专利权人：浙江工业大学
申请日： 2009-10-23 - 公布日： 2010-04-21 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：一种基于二维光子晶体表面模的微环共振滤波器，包括二根光子晶体表面模波导和一个准周期性的圆形光子晶体构成的表面模微环，所述二根光子晶体表面模波导通过在平面二维光子晶体表面改变一行光子晶体介质柱半径获得；所述表面模微环由一种准周期性的圆形光子晶体通过改变最外层圆周上的光子晶体介质柱半径获得；二根光子晶体表面模波导对称地位于表面模微环的两边，二根光子晶体表面模波导与所述表面模微环的间距相等。
基于二维光子晶体表面共振滤波器

[发明专利]利用金属吸附控制晶体表面形态的方法-CN200510082076.4无效
发明人：宋世安;亚历山大·V·拉蒂谢夫;瑟吉·S·科索洛波夫;安东·K·古塔科夫斯基;卢德米拉·I·费迪娜 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2005-07-01 - 公布日： 2006-02-15 - 主分类号： H01L21/322 文献下载
摘要：本发明提供一种利用金属吸附形成具有均匀单原子阶的晶体表面的方法。该控制晶体表面形态的方法包括：在晶体的两端施加直流(DC)电压，以将晶体加热至预定的温度；及以预定的沉积速度，将金属原子沉积到加热至预定温度的晶体表面，同时保持施加DC电压，以便在晶体表面形成单原子阶。
利用金属吸附控制晶体表面形态方法

[发明专利]大尺寸KDP晶体表面磁-射流清洗装置及清洗工艺-CN201510020153.7有效
发明人：刘增文;黄传真;王军;朱洪涛;刘含莲;徐国强 -专利权人：山东大学
申请日： 2015-01-15 - 公布日： 2015-05-06 - 主分类号： B08B3/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种大尺寸KDP晶体表面磁-射流清洗装置及清洗工艺。将与抛光液相溶的低分子化学溶剂加压后，注入磁性清洗装置，导流槽将清洗剂沿垂直KDP晶体表面的运动转化为平行KDP晶体表面的运动，避免了垂直于KDP晶体表面的冲击力引起KDP晶体表面产生裂纹、损伤。清洗过程中，清洗剂射流的冲蚀作用一方面加速清洗剂对抛光液的溶解，另一方面利用清洗剂射流的冲蚀动能去除KDP晶体表面被清洗剂溶解的抛光液和游离的铁粉等残留物；磁性清洗装置的磁力吸引附着在KDP晶体表面的铁粉，并且与清洗剂射流的冲蚀力共同作用将附着或嵌入KDP晶体表面的铁粉拔出、去除。
尺寸 kdp 晶体表面射流清洗装置工艺

[发明专利]小尺寸KDP晶体表面磁-射流清洗装置及清洗工艺-CN201510020968.5有效
发明人：刘增文;黄传真;王军;朱洪涛;刘含莲;徐国强 -专利权人：山东大学
申请日： 2015-01-15 - 公布日： 2015-05-13 - 主分类号： B08B7/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种小尺寸KDP晶体表面磁-射流清洗装置及清洗工艺。将与抛光液相溶的低分子化学溶剂加压后，注入磁性清洗装置，导流槽将清洗剂沿垂直KDP晶体表面的运动转化为平行KDP晶体表面的运动，避免了垂直于KDP晶体表面的冲击力引起KDP晶体表面产生裂纹、损伤。清洗过程中，清洗剂射流的冲蚀作用一方面加速清洗剂对抛光液的溶解，另一方面利用清洗剂射流的冲蚀动能去除KDP晶体表面被清洗剂溶解的抛光液和游离的铁粉等残留物；磁性清洗装置的磁力吸引附着在KDP晶体表面的铁粉，并且与清洗剂射流的冲蚀力共同作用将附着或嵌入KDP晶体表面的铁粉拔出、去除。
尺寸 kdp 晶体表面射流清洗装置工艺

[实用新型]一种处理晶体表面使晶体表面平整的激光器-CN202320139866.5有效
发明人：徐昌;王希玮;王盛林;王勇;王希江;曹振忠;王笃福 -专利权人：济南金刚石科技有限公司
申请日： 2023-02-07 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： B23K26/352 文献下载
摘要：本发明涉及晶体加工技术领域，具体涉及一种处理晶体表面使晶体表面平整的激光器。包括机架、激光机构、控制台机构、高清测量机构、冷却水循环机构、高压空气吹扫机构、操作机构和晶体；在机架上方设置激光机构，所述激光机构包括激光发生器，在激光发生器的前方设置反射棱镜，在所述激光发生器的前方设置两个聚焦镜头在所述机架内设置控制台机构，所述控圆形的磁铁机构，在所述磁铁机构的下方设置旋转组件；所述高清测量机构包括若干高清测量摄像头，所述高压空气吹扫机构包括设置在机架侧面的空气压缩机，在空气压缩机上设置管道，所述管道的出风口设置在晶体的斜上方
一种处理晶体表面平整激光器

[发明专利]一种检测晶体平整度的方法-CN201911181841.6在审
发明人：陈琳;张明文;潘永志;龙洪波;陈坚 -专利权人：湖南大合新材料有限公司
申请日： 2019-11-27 - 公布日： 2020-01-21 - 主分类号： G01B21/30 文献下载
摘要：本发明提供了一种检测晶体平整度的方法，包括将待检测的晶体放置在检测装置表面上，并选定晶体表面的检测点；检测装置启动，对晶体检测面上的各个检测点进行检测；控制器采集检测信息；检测信息的对比，确定晶体平整度本发明中，通过利用检测装置采集检测晶体表面到检测装置之间的距离，控制器将采集到的距离信息进行分析比对，以判断晶体表面的平整度，如此，可以采集到晶体表面的多个数据值，提高了检测精度，而且不容易受到环境的影响
检测装置晶体表面平整度采集检测控制器检测点检测采集分析比对检测信息晶体检测距离信息种检测

[发明专利]一种在硼酸盐晶体表面制备有机硅防潮保护膜的方法-CN200810104670.2无效
发明人：吴以成;鲁路;傅佩珍 -专利权人：中国科学院理化技术研究所
申请日： 2008-04-23 - 公布日： 2009-10-28 - 主分类号： C30B33/00 文献下载
摘要：一种在硼酸盐晶体表面制备有机硅防潮保护膜的方法，步骤如下：将硅烷偶联剂、乙酸、去离子水和低沸点有机溶剂混合，硅烷偶联剂发生水解反应得到镀膜溶胶液；硅烷偶联剂R-Si(OCH₃)₃，R为n-十二烷基、辛基或γ-环氧丙氧丙基；低沸点有机溶剂为乙醇、甲醇或丙酮；将镀膜溶胶液均匀涂抹在硼酸盐晶体表面，经阴干，硼酸盐晶体表面制得预聚合有机硅疏水膜；再于80～140℃下进行热处理，晶体表面上形成致密的有机硅防潮保护膜；其优点：带-Si(OCH₃)₃官能团的硅烷偶联剂在晶体表面形成有机硅聚合物，与晶体表面共价键相连接，硅烷偶联剂的有机官能团具疏水性，可阻隔空气中水分子与晶体表面接触，提高晶体抗潮解能力。
一种硼酸盐晶体表面制备有机硅防潮保护膜方法

[发明专利]一种硒化锌晶体的表面预处理方法-CN202111174182.0在审
发明人：刘鹏;刘荣娟;马杰;姜忠赛;张长华;王俊;沈德元;唐定远 -专利权人：江苏师范大学
申请日： 2021-10-09 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： C30B33/12 文献下载
摘要：本发明公开一种硒化锌晶体的表面预处理方法，包括以下步骤：将硒化锌晶体表面抛光；将抛光后的硒化锌晶体放入丙酮溶液中浸泡清洗后，用超纯水循环清洗硒化锌晶体；将清洗后的硒化锌晶体放入烘箱中烘干；将烘干后的硒化锌晶体放入等离子刻蚀机的等离子真空腔中，并用等离子体清洗硒化锌晶体表面；将等离子体清洗后的硒化锌晶体置于氩气气氛的手套箱中，用封装袋对硒化锌晶体进行封装。本发明不仅能够除掉硒化锌晶体表面存在的氧化层，还能使硒化锌晶体表面形成高活性悬键。
一种硒化锌晶体表面预处理方法

[发明专利]一种用于提高晶体键合质量的晶体表面加工质量表征方法-CN201710883648.1在审
发明人：李强;惠勇凌;姜梦华;雷訇 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2017-09-26 - 公布日： 2018-02-02 - 主分类号： G01B11/00 文献下载
摘要：一种用于提高晶体键合质量的晶体表面加工质量表征方法，属于激光晶体和固体激光技术领域。本发明提出的表征方法由三个参量表面平整度、粗糙度、微凸起间距共同约束晶体表面加工质量，作为对提高晶体键合质量至关重要的参数，克服现有表征方法缺少对晶体表面横向微观形貌约束的不足，避免键合晶体接触面出现残留空隙，提高晶体键合质量和成品率，克服目前晶体键合面较小的不足。
一种用于提高晶体质量表面加工表征方法

[发明专利]一种提高碳化硅晶体表面透明度的方法-CN202210917570.1在审
发明人：薛卫明;马远;李梦佳;潘尧波 -专利权人：中电化合物半导体有限公司
申请日： 2022-08-01 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： G01N21/95 文献下载
摘要：本发明提供了一种提高碳化硅晶体表面透明度的方法，具体包括以下步骤：提供一碳化硅晶体，制备与所述碳化硅晶体折射率相适配的树脂溶液，将所述树脂溶液涂敷在所述碳化硅晶体表面并在其表面形成树脂层，将所述树脂层进行固化处理使其在所述碳化硅晶体表面形成透明树脂薄膜本发明通过在碳化硅晶体表面制备透明树脂薄膜避免了对碳化硅晶体的精细磨抛操作，方便检测碳化硅的微管、杂质包裹物及多型嵌入的情况，节省了加工成本。
一种提高碳化硅晶体表面透明度方法

[发明专利]Nd:YAG晶体及其表面抛光方法-CN201611059072.9在审
发明人：张海涛;王丽萍;金春水;张文龙 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2016-11-25 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明涉及一种NdYAG晶体及其表面抛光方法。本发明提供的NdYAG晶体表面抛光方法，包括步骤步骤S1、对NdYAG晶体表面进行超声波清洗，烘干，去除所述NdYAG晶体表面的杂质；步骤S2、在真空中利用低能离子束对步骤S1所得样品溅射刻蚀，控制低能离子束在晶体表面以均匀的速度和等量步距进行扫描该方法无机械抛光应力，抛光过程在真空中进行且不使用抛光粉等辅助材料，可有有效的减少表面微划痕、亚表面损伤等加工缺陷，改善表面粗糙度，提高表面质量，进而提高晶体在高能激光应用中的损伤阈值。
nd yag 晶体及其表面抛光方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条