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[发明专利]一种多点位的超声石英弯曲微探针阵列及其制备方法-CN202310914803.7在审
发明人：李萌;寻科鑫;祝新昂;刘迪;施佳林;石慧瑶 -专利权人：沈阳工业大学
申请日： 2023-07-25 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： B81C3/00 文献下载
摘要：本发明提供一种多点位的超声石英弯曲微探针阵列的制备方法，具体步骤包括：确定所需超声石英弯曲微探针的个数和超声石英弯曲微探针的加工参数；对石英玻璃管横向拉制和法向打弯，得到符合加工参数的超声石英弯曲微探针；利用激光测振仪对压电陶瓷片进行测试，获得符合选取参数的压电陶瓷片；利用solidwork建模获得多探针夹持器；将超声石英弯曲微探针和压电陶瓷片放入多探针夹持器，获得超声石英弯曲微探针阵列；对组装后的超声石英弯曲微探针进行稳定性测试，最终得到多点位的超声石英弯曲微探针阵列。本发明通过制备多点位的超声石英弯曲微探针阵列实现了声流场的复合与叠加，进而对超声石英弯曲微探针激发的声流场进行更好地调节与控制。
一种多点超声石英弯曲探针阵列及其制备方法

[发明专利]微型流体泵送器件的制备方法及微型流体泵器件-CN202310929324.2在审
发明人：王焕焕;葛斌 -专利权人：常州元晶电子科技有限公司
申请日： 2023-07-27 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： B81C3/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种微型流体泵送器件的制备方法及微型流体泵器件，制备方法包括：S1，基于MEMS微细加工技术将SOI硅片制备成SOI泵体；S2，利用阳极键合工艺将第一玻璃基片与所述SOI泵体的第一表面键合，形成键合样片；S3，对所述键合样片进行阳极导通处理，使得所述SOI泵体在其第二表面键合第二玻璃基片的过程中可连接阳极；S4，利用阳极键合工艺将第二玻璃基片与SOI泵体的第二表面键合，形成微型流体泵送器件。本发明适用于制备小体积的流体泵送器件，且工艺简单，操作方便，生产效率高，生产成本低，适合批量化生产。
微型流体器件制备方法

[发明专利]一种微结构操作方法及操作装置-CN201811185302.5有效
发明人：张超;陶卫东;夏锦涛 -专利权人：宁波大学
申请日： 2018-10-11 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： B81C3/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种微结构操作方法，在显微镜的观察下，利用毛细管靠近微结构，并通过注射器为毛细管提供的吸力、推力，带动微结构附近的液体介质流动，进而带动微结构准确的完成拾取、移动、释放、装配操作。该微结构操作方法在普通的显微镜下即能完成微结构操作，操作简单方便。本发明还涉及一种微结构操作装置，包括显微镜、毛细管、位于显微镜旁的毛细管驱动机构，通过软管与毛细管相连接的注射器，毛细管安装在毛细管驱动机构上并在毛细管驱动机构的驱动下进行三维方向上的运动，该微结构操作装置结构简单、成本低、易于加工制作。
一种微结构操作方法操作装置

[实用新型]一种微流控塑料芯片键合装置-CN202321155555.4有效
发明人：朱彦艳;吴焕;周智君;蔡程风 -专利权人：顶旭（苏州）微控技术有限公司
申请日： 2023-05-15 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： B81C3/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种微流控塑料芯片键合装置，包括底板、限位框和第一电动推杆，底板的内部开设有卡槽，卡槽的内部可拆卸连接有限位框，本实用新型的有益效果是：通过在卡槽内放入不同规格的限位框，可以适配不同规格的芯片，提高了设备的应用范围，通过双向丝杆配合滑板和推板，可以对存储箱内部的空间进行调节，进而满足不同规格芯片放置的需求，通过第一电动推杆配合挡板达到了自动上料的效果，提高了设备的工作效率，通过刷胶组件可以在芯片键合时自动刷胶的效果，提高了设备的自动化，通过挤压组件可以对芯片键合时进行自动压紧，通过减力柱和弹簧的配合，避免了挤压板在挤压芯片时，出现力度过大，芯片损坏的现象。
一种微流控塑料芯片装置

[发明专利]一种MEMS芯模的制备方法-CN202310728498.2在审
发明人：刘芹篁;龚跃武;陈婷;李志贤;官盛果;涂良成;杨山清 -专利权人：中山大学南昌研究院
申请日： 2023-06-19 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： B81C3/00 文献下载
摘要：本发明属于涉及半导体器件技术领域，涉及一种MEMS芯模的制备方法，包括以下步骤：先将硅片的氧化层侧与晶圆衬底通过热解膜粘合，同时采用深反应离子刻蚀在硅片表面形成所需图形，并在表面沉积金属膜；然后将硅片金属膜侧与晶圆衬底过热解膜粘合，进一步刻蚀形成所需图形，加热分离，剥离金属膜、去除氧化层，即得MEMS芯模；其中，S1和S2中所述热解膜由聚对苯二甲酸乙二醇酯基膜和涂覆于基膜两面的亚克力胶层组成。本发明利用热解膜与硅片的氧化层和金属膜相结合，有效避免叠片及释放过程中硅片与热解膜相接触，从而减少刻蚀过程中或刻蚀完成后对MEMS芯模的污染及损伤，还可以实现快速释放。
一种 mems 制备方法

[发明专利]一种晶圆键合方法及晶圆键合结构-CN202310890090.5在审
发明人：王新龙 -专利权人：绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
申请日： 2023-07-19 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： B81C3/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶圆键合方法及晶圆键合结构。键合方法包括：提供第一晶圆，在第一晶圆的键合面形成第一键合环层；提供第二晶圆，在第二晶圆的键合面形成第二键合环层，该第二键合环层与第一键合环层相对应；在第二晶圆的第二键合环层内形成第一凹腔；形成贯穿至少一个晶圆的气路通道，该气路通道位于晶圆的非功能器件区；键合并形成键合环。键合结构包括第一晶圆、第二晶圆、第一凹腔、气路通道和键合环。本发明与传统器件相比，通过在晶圆上形成气路通道，使得在抽真空和回填气体时，气体交换更加充分，真空度更接近真值且均匀性更好，回填气体更纯，封装气压能做到更低，提高了器件的性能。
一种晶圆键合方法结构

[发明专利]一种传感器芯片的封装方法和封装结构-CN202310693404.2有效
发明人：吕军;席建超;陈小龙 -专利权人：苏州科阳半导体有限公司
申请日： 2023-06-13 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： B81C3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种传感器芯片的封装方法和封装结构，该传感器芯片的封装方法，包括：提供基板，基板包括相对设置的第一表面和第二表面；在第一表面制备凹槽结构和第一连接结构，凹槽结构贯穿部分基板；在凹槽结构内至少贴附传感器芯片，传感器芯片包括芯片衬底以及位于芯片衬底一侧的传感结构和连接电极；连接电极和第一连接结构电连接；在基板的第一表面一侧对基板和传感器芯片进行封装制备封装层；在基板的第二表面一侧对基板和芯片衬底进行减薄，减薄后的芯片衬底的厚度d满足25μm≤d＜150μm。采用本发明提供的封装方法，可以同时将基板和传感器芯片进一步减薄，使得封装后的结构厚度大大降低，适配客户的需求范围更加广泛。
一种传感器芯片封装方法结构

[发明专利]芯片组件和制造芯片组件的方法-CN202180087602.3在审
发明人：阿拉斯泰尔·辛克莱;圭多·威尔珀斯;考沙尔·乔尼;迈克尔·彼得·拉尔森 -专利权人： NPL管理有限公司
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： B81C3/00 文献下载
摘要：用于光导纤维组件的对准特征(132‑136)直接形成在离子阱芯片(50)中，以使光学模块(10)相对于离子阱芯片(50)对准。这是使用微制造技术以将对准元件蚀刻到离子阱芯片(50)的表面中来实现的，有利地以实现应用的光束几何形状所需的对准精度的光刻精度来执行，对准精度为几微米。对准元件(132‑136)有利地沿着芯片(50)的硅衬底(100)的限定晶面蚀刻。外部微结构可以用光刻精度进行微加工，以包含将装配或“插入”到例如离子阱芯片的芯片的凹槽中的定位特征。
芯片组件制造方法

[发明专利]压阻式MEMS绝对压力传感器及其制造方法-CN202310378463.0在审
发明人：薛维佳;王兴阳;王辉 -专利权人：莱斯能特（苏州）科技有限公司
申请日： 2023-04-11 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： B81C3/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种压阻式MEMS绝对压力传感器及其制造方法，属于MEMS传感器领域。该方法中，在硅衬底处形成凹槽结构，凹槽结构在后续硅衬底与顶层硅片键合下形成真空腔体，顶层硅片处形成压阻结构，对压阻结构曝光时，通过微孔阵列定位硅衬底上的零层对准标记，这样在不使用双面光刻工艺的情况下，能够通过一次曝光工艺实现顶硅层片的压阻结构与硅衬底的真空腔体的精确对准，避免多次双面光刻工艺后給上下两层图形对准带来偏移误差的问题。
压阻式 mems 绝对压力传感器及其制造方法

[发明专利]一种MEMS环行器的批量共晶工装及方法-CN202310641396.7在审
发明人：许鹏;梁晓伟;谢姝静;郭文卓;段强 -专利权人：河北美泰电子科技有限公司
申请日： 2023-06-01 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： B81C3/00 文献下载
摘要：本申请适用于MEMS环行器生产技术领域，提供了一种MEMS环行器的批量共晶工装及方法，该批量共晶工装包括：堆叠限位结构、磁力施加结构和手持结构；堆叠限位结构上设置有呈阵列分布的凹槽和定位孔，每一凹槽用于盛放堆叠结构；磁力施加结构位于堆叠限位结构上方，用于将永磁体置于堆叠结构上；磁力施加结构设置有多组磁铁定位孔；多组磁铁定位孔中放置有永磁体；每组磁铁定位孔正对于堆叠结构；磁力施加结构通过定位销钉与堆叠限位结构的定位孔对齐；手持结构位于磁力施加结构的上方，用于施加压力给到堆叠结构。本申请的批量共晶工装能够降低堆叠固定MEMS环形器的操作难度，实现MEMS环形器的批量生产。
一种 mems 环行器批量工装方法

[发明专利]用于碱金属直充的原子气室制作一体化键合装置及方法-CN202011495581.2有效
发明人：王晓飞;李强;武春风;姜永亮;胡金萌;吕亮;成红;李子熙;张璐;庹文波;任杰;赵坤 -专利权人：武汉光谷航天三江激光产业技术研究院有限公司
申请日： 2020-12-17 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： B81C3/00 文献下载
摘要：本发明公开了用于碱金属直充的原子气室制作一体化键合装置及方法，其装置包括：真空传送机构；用于实现碱金属直充氛围的保护机构；用于实现输送及碱金属直充操作的移物机构；以及，用于实现硅片和高硼硅玻璃阳极键合的阳极键合机构；保护机构包括底座和密封罩，密封罩密封罩设于底座以形成一封闭空间；移物机构和阳极键合机构均容设于封闭空间；真空传送机构与封闭空间连通；移物机构用于将硅片和高硼硅玻璃传送至阳极键合机构。本发明实现了原子气室制作的碱金属直充的制作氛围，同时其与真空传送机构还提供了洁净、干燥的传送氛围；实现了原子气室的阳极键合、封装、碱金属填充的集成化生产，自动化较高，生产效率和成品率良好。
用于碱金属原子制作一体化装置方法

[发明专利]半导体基底的制作方法及微机电装置-CN202210086594.7在审
发明人：拉奇许·昌德;穆尼安迪·顺穆甘;拉玛奇德拉玛尔斯·彼拉迪·叶蕾哈卡 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： B81C3/00 文献下载
摘要：一种半导体基底的制作方法，包括以下步骤。提供一第一晶圆，并且蚀刻该第一晶圆的一第一表面以形成多个空腔。在该第一表面上形成一第二晶圆，其中形成该第二晶圆包括以下步骤：提供一核心基底；在该核心基底上形成一第一绝缘层；以及在该第一绝缘层和该核心基底上沉积一多晶硅层。此外，该多晶硅层与该第一晶圆键合以覆盖该些空腔，其中该多晶硅层设置于该第一绝缘层和该第一晶圆之间。此外，还提供了使用该半导体基底的微机电装置。
半导体基底制作方法微机装置

[发明专利]MEMS器件及其制造方法、电子装置-CN202310379478.9在审
发明人：许继辉 -专利权人：绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
申请日： 2023-04-06 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： B81C3/00 文献下载
摘要：一种MEMS器件及其制造方法、电子装置，该方法包括：提供第一衬底和第二衬底，第一衬底包括第一区域和位于第一区域外侧的第二区域，第二衬底包括第三区域和位于第三区域外侧的第四区域；刻蚀第一衬底以在第一区域形成多个间隔设置的第一梳齿；在第二衬底的第三区域形成多个间隔设置的第二梳齿；执行键合工艺，以使第一衬底形成有第一梳齿的一面和第二衬底形成有第二梳齿的一面相接合构成器件基底，并且多个第一梳齿与多个第二梳齿彼此交错设置。本申请的方法有效减少了硅草的产生，提高了MEMS器件的可靠性、性能和使用寿命。
mems 器件及其制造方法电子装置

[发明专利]基于显微毛细管注射的单颗粒微电极制备方法-CN202310292184.2在审
发明人：李哲;左安昊;方儒卿 -专利权人：清华大学
申请日： 2023-03-23 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： B81C3/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于显微毛细管注射的单颗粒微电极制备方法，控制探针的尖端和颗粒体相互靠近，向毛细输送管的输入进口端注入粘接物质，从毛细输送管的输送出口端施加在探针和颗粒体之间，利用粘接物质将探针和颗粒体导电连接。利用输送组件的毛细输送管输送粘接物质将探针和颗粒体导电连接的过程中，整个工艺过程不再需要真空环境，摒弃了借助于FIB/SEM系统的真空环境，在探针上沉积金属后完成单颗粒微电极的制备方案，不需要在每制备出一个单颗粒微电极后都需要更换探针，再次对FIB/SEM系统的操作室重新抽真空的步骤，从制备原理的根本上解决了单颗粒微电极制备过程耗时长的技术问题，也根本上地解决了频繁打开操作室导致灰尘进入，导致系统损坏的问题。
基于显微毛细管注射颗粒微电极制备方法

[发明专利]MEMS器件的封装方法及其结构-CN202310607160.1在审
发明人：刘湛;苏俊辉;张乾丰;李星星;邱天;陆许明;邹鹏;张昕 -专利权人：五邑大学
申请日： 2023-05-25 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： B81C3/00 文献下载
摘要：本发明涉及微机电系统封装技术领域，特别涉及一种MEMS器件的封装方法及其结构。其中MEMS器件的封装方法包括：通过刻蚀工艺制作基体晶圆、玻璃封盖晶圆和键合环晶圆；基于第一键合方式，根据第二对准标识和第三对准标识将玻璃封盖晶圆和键合环晶圆进行键合，形成盖帽晶圆；在盖帽晶圆的键合环台阶的表面制作金属中间层；基于第二键合方式，根据第一对准标识和第二对准标识通过金属中间层将盖帽晶圆和基体晶圆进行键合，形成具有真空密闭腔室的封装晶圆；分别沿第一划片槽和第二划片槽对封装晶圆进行晶圆划片，得到MEMS芯片单元。根据本发明的技术方案，既能够实现高气密性、高可靠性和低成本的封装效果，又能够提高MEMS器件的封装效率和封装良率。
mems 器件封装方法及其结构

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