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[实用新型]一种微型空间星体表面元素探测装置-CN202122697823.2有效
发明人：黄永益 -专利权人：中国科学院紫金山天文台
申请日： 2021-11-05 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： G01T1/203 文献下载
摘要：本实用新型提供一种微型空间星体表面元素探测装置，包括集成在镁合金主体内的晶体探测模块、光电转换模块和后端电子学模块；晶体探测模块包括一个CeBr3晶体和四块反符合塑料闪烁体，CeBr3晶体表面除了出光面均包覆有反射膜，四块反符合塑料闪烁体分布在CeBr3晶体四周；光电转换模块包括3inPMT和四套1inPMT，3inPMT与CeBr3晶体匹配，以用于将CeBr3晶体的光信号转换为电信号，四套1inPMT分别与四块反符合塑料闪烁体匹配本装置体积小、重量轻、低功耗，可用于高效探测星体表面K、Si、Mg、Th、H、O、Fe、Ti的含量和分布情况。
一种微型空间星体表面元素探测装置

[发明专利]一种消除化合物半导体晶体表面损伤层的反应气氛退火方法-CN202210279829.4在审
发明人：刘珂静;王涛 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2022-03-21 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L21/477 文献下载
摘要：本发明提供了一种消除化合物半导体晶体表面损伤层的反应气氛退火方法，解决现有的晶片表面处理过程中引入新的表面损伤，导致晶片质量恶化影响后续器件制备等问题；该方法在晶锭进行切割、磨抛后，在高温下，通入反应性气氛与晶片表面的缺陷和应力层发生反应，生成惰性物质或易挥发气体，并在高温退火时，将生成物变成气态物质，随保护气氛排出，获得理想的晶体表面即。引入反应气氛，除对晶体生长过程中产生的内部缺陷进行调控外，还将表面的加工层进行反应去除。
一种消除化合物半导体晶体表面损伤反应气氛退火方法

[发明专利]一种基于表面电位控制的纳米碳酸钙的制备方法-CN202111547314.X有效
发明人：商登奎;周倪凡;戴正冠;宋能宇;杜丕一;王宗荣 -专利权人：浙江大学;浙江安联矿业有限公司
申请日： 2021-12-16 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： C01F11/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于表面电位控制的纳米碳酸钙的制备方法。晶体表面电位由表面所带的电荷决定，通过引入带正电同源钙离子来提高晶体表面的钙离子数目从而提高表面电位，带高正电位的晶体之间互相排斥保持体系的稳定。碳化法合成碳酸钙会消耗浆液中的钙离子导致表面电位降低，体系失去稳定造成团聚。
一种基于表面电位控制纳米碳酸钙制备方法

[发明专利]一种钯银双金属复合材料及其制备方法-CN201710187975.3有效
发明人：熊宇杰;李亚萍;龙冉 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2017-03-27 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： B01J23/50 文献下载
摘要：本发明提供了一种钯银双金属复合材料，包括：银纳米晶体与包覆于所述银纳米晶体表面的钯银合金层。本申请还提供了上述钯银双金属复合材料的制备方法，包括：将银纳米晶体、还原剂、刻蚀剂、表面保护剂、溶剂与钯源化合物混合后反应，得到钯银双金属复合材料。本申请提供的合成方法制备了一种核壳结构的纳米晶体，分散的钯原子生长在银纳米晶体的表面，有效弱化了钯氢键的强度，有利于氢的脱附，同时复合材料内部选用低成本的银纳米颗粒，且钯的活性点都分布在银纳米晶体表面，
一种双金属复合材料及其制备方法

[发明专利]一种大尺寸蓝宝石晶体的C向定向技术-CN201610417360.0在审
发明人：秦光临;孙敦陆;王禄宝 -专利权人：江苏吉星新材料有限公司
申请日： 2016-06-13 - 公布日： 2016-08-17 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种快速、准确、无尺寸及重量限制的大尺寸蓝宝石晶体的C向定向技术，包括如下步骤：（1）（表面清洁剂）清洁蓝宝石晶体表面，去除油污及其它污染物；（2）将清洁后的大尺寸蓝宝石晶体放在平面偏振光灯箱前方200‑400mm处；（3）用挥发性的植物油沿同一方向涂抹在大尺寸蓝宝石晶体表面；（4）带上偏振光防护目镜；（5）在大尺寸蓝宝石晶体前50‑70mm处观察；（6）边观察边转动蓝宝石晶体；（7）直到视线中出现清晰的马尔他十字（Maltese cross）图像；（8）用记号笔标记出马尔他十字（Maltese cross）的垂直中心线，该垂直中心线即为蓝宝石晶体的C轴。
一种尺寸蓝宝石晶体定向技术

[发明专利]一种晶体加工标记定位装置-CN202010715617.7在审
发明人：肖叶 -专利权人：肖叶
申请日： 2020-07-23 - 公布日： 2020-10-13 - 主分类号： B25H7/04 文献下载
摘要：本发明提供一种晶体加工标记定位装置，涉及晶体加工技术领域。该晶体加工标记定位装置，包括工作室，工作室的内部固定安装有工作台，工作台的内部固定安装有吸气箱，吸气箱的内部固定安装有扇框，扇框的内部活动安装有转动杆，转动杆的外表面固定安装有扇叶，转动杆的底部活动安装有小型电动机该晶体加工标记定位装置，通过动力箱和移动箱内部设置的结构使喷嘴进行多方位的移动，使其可以对晶体任意位置留下标记痕迹，位置精确，同时也不会破坏晶体表面，为后续的加工提供了便利，同时油性标记液在加工后容易清洗，不会污染晶体表面，具有很高的实用性。
一种晶体加工标记定位装置

[发明专利]一种激光分离加工光学晶体的方法与装置-CN201210205314.6有效
发明人：段军;邓磊敏;曾晓雁;蒋明 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2012-06-20 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： B23K26/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种激光分离加工光学晶体的方法与装置，先在光学晶体的凸凹不平表面上沿激光分离加工的轨迹进行简单粗磨擦抛光，将表层的水解雾化层和杂质清除干净，形成了一条宽度大于激光入射光斑直径的透明轨迹；再将相同光学晶体材料的饱和溶液均匀涂抹到擦拭过的光学晶体表面，将光学晶体表面凸凹不平填平；最后采用激光沿着光学晶体饱和溶液的轨迹进行扫描分离加工。可获得无碎裂、分离精度高、分离加工口陡峭、分离面平滑切割且分离质量高的光学晶体薄片，并能有效抑制激光温度过高而导致的负面效应。
一种激光分离加工光学晶体方法装置

[发明专利]通过化学热沉强化冷却技术实现晶体快速生长的单晶炉-CN201610854677.0有效
发明人：刘立军;丁俊岭;赵文翰 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2016-09-27 - 公布日： 2019-04-12 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种通过化学热沉强化冷却技术实现晶体快速生长的单晶炉，主要涉及输送反应物并在其内部进行化学吸热反应的反应装置。该反应装置由石墨筒和反应筒组成。反应筒采用惰性材料制成。反应物由进口通入，在高温下的反应筒中发生化学吸热反应，降低反应装置表面及其附近氩气区域的温度，快速移除晶体表面的热量，反应不完全的反应物和反应产物由出口排出炉体。本发明装置通过化学吸热反应强化冷却生长中的晶体，快速移除晶体表面的热量，显著提升晶体内部的轴向温度梯度，从而提高晶体的生长速度，达到降低晶体制备成本的目的。
通过化学强化冷却技术实现晶体快速生长单晶炉

[实用新型]一种激光分离加工光学晶体的装置-CN201220292836.X有效
发明人：段军;邓磊敏;曾晓雁;蒋明 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2012-06-20 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： B23K26/38 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种激光分离加工光学晶体的装置，先在光学晶体的凸凹不平表面上沿激光分离加工的轨迹进行简单粗磨擦抛光，将表层的水解雾化层和杂质清除干净，形成了一条宽度大于激光入射光斑直径的透明轨迹；再将相同光学晶体材料的饱和溶液均匀涂抹到擦拭过的光学晶体表面，将光学晶体表面凸凹不平填平；最后采用激光沿着光学晶体饱和溶液的轨迹进行扫描分离加工。可获得无碎裂、分离精度高、分离加工口陡峭、分离面平滑切割且分离质量高的光学晶体薄片，并能有效抑制激光温度过高而导致的负面效应。
一种激光分离加工光学晶体装置

[发明专利]一种FOX-7晶体表面缺陷的修饰方法-CN201711322110.X有效
发明人：蔡贾林;谢虓;王德海;祝青;郑保辉 -专利权人：中国工程物理研究院化工材料研究所
申请日： 2017-12-12 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： C06B25/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种FOX‑7晶体表面缺陷的修饰方法，包括：步骤A：配制键合剂溶液；步骤B：将FOX‑7晶体颗粒加入键合剂溶液中对FOX‑7预处理，并搅拌干燥；步骤C：配制氟橡胶溶液；步骤D：FOX‑7颗粒的表面填充：将步骤B得到的FOX‑7晶体颗粒加入氟橡胶填充液中，搅拌后旋转蒸发仪中真空蒸发。步骤F：FOX‑7颗粒的表面清理：将步骤D得到的FOX‑7颗粒加入乙酸丁酯溶剂配制成乙酸丁酯悬浮液，搅拌，过滤，烘干。得到表面修饰完成后的FOX‑7晶体颗粒。本发明通过采用键合剂HX‑878和氟橡胶F2311对FOX‑7晶体表面进行修饰能够有效降低FOX‑7表面的粗燥度，提高FOX‑7基PBX的工艺性能。
一种 fox 晶体表面缺陷修饰方法

[发明专利]一种通过粘性机械剪切剥离制备石墨烯微片的方法-CN201610091883.0有效
发明人：陈庆;曾军堂;叶任海;陈韦坤 -专利权人：成都新柯力化工科技有限公司
申请日： 2016-02-19 - 公布日： 2017-12-22 - 主分类号： C01B32/19 文献下载
摘要：该方法通过将石墨分散在胶粘性溶液中，所述胶粘性溶液与石墨晶体接触后，快速与石墨晶体表面原子相连，且其与石墨晶体表面原子的结合力大于石墨晶体层间结合力，利用胶粘性溶液的粘性剪切力，在搅拌过程中将石墨逐步剥离得到石墨烯
一种通过粘性机械剪切剥离制备石墨烯微片方法

[发明专利]基于n-型有机半导体晶体表面台阶缺陷的修复方法及应用-CN202010377063.4有效
发明人：何涛;陶绪堂 -专利权人：山东大学
申请日： 2020-05-07 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： H01L51/48 文献下载
摘要：本发明公开了基于n‑型有机半导体晶体表面台阶缺陷的修复方法及应用。其修复方法为：采用掺杂剂对将n‑型有机半导体晶体进行化学掺杂，所述掺杂剂为有机胺，所述有机胺的化学结构式如下：基于有机半导体晶体表面台阶缺陷修复方法应用

[发明专利]一种转移金属电极构筑范德华晶体管的方法-CN202210042135.9有效
发明人：张跃;洪孟羽;张铮;杜君莉;杜文龙;高丽;柳柏杉;于慧慧;汤文辉 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2022-01-14 - 公布日： 2023-02-10 - 主分类号： H10K71/16 文献下载
摘要：本发明涉及晶体管技术领域，具体涉及一种转移金属电极构筑范德华晶体管的方法。首先通过模板法制备金属电极，然后通过膜辅助法将制备好的金属电极转移到半导体表面构筑晶体管器件，通过该方法构筑的晶体管，半导体表面和晶格不会被破坏，金属电极和半导体依靠范德华力形成接触，不会产生费米能级钉扎
一种转移金属电极构筑范德华晶体管方法

[发明专利]用激光照射对石英晶体进行微调的方法和设备-CN02139198.X无效
发明人：徐国钢;阙阳;唐北安;巫志忠 -专利权人：武汉迈驰科技实业股份有限公司
申请日： 2002-10-24 - 公布日： 2003-04-23 - 主分类号： G02F1/03 文献下载
摘要：本发明提供一种用激光照射对石英晶体进行微调的方法和设备，是用激光照射石英晶体表面镀银层，使其汽化的方法对石英晶体谐振频率进行微调。用高速频率动态采集系统对石英晶体谐振频率进行采集作为反馈信号，控制激光输出参数。计算机分析系统接收到频率数据后，与设定值进行比较，将频率差值换算成需照射功率的差值，调整脉冲宽度，计算出脉冲个数，控制激光功率输出，直到石英晶体的频率达到要求值。具体通过导线即探针将石英晶体谐振频率传导到高速频率动态采集系统，由此形成闭环控制达到提高微调精度的效果。通过光纤传输激光束到达石英晶体表面，对其进行汽化以达到调节频率的目的。
激光照射石英晶体进行微调方法设备

[实用新型]一种双氟磺酰亚胺锂晶体洗涤装置-CN201922045562.9有效
发明人：朵道高草;曹祎焘;蔡元礼;周振伦 -专利权人：天祝宏氟锂业科技发展有限公司
申请日： 2019-11-25 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： B08B1/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种双氟磺酰亚胺锂晶体洗涤装置，包括清洗装置本体，所述清洗装置本体的内部固定连接有清洗机构，且清洗机构的下端通过内杆与下料机构相抵触。本实用新型通过设置有清洗机构，毛刷将双氟磺酰亚胺锂晶体表面进行洗涤，从而防止双氟磺酰亚胺锂晶体表面受到污染，从而影响双氟磺酰亚胺锂晶体使用效果,通过设置有下料机构，从而通过清洗机构带动下料轴转动，从而防止下料堵塞，同时减缓下料速度，从而避免下料过快导致筛选部均匀,通过设置有筛分机构，筛分网对双氟磺酰亚胺锂晶体进行筛分，从而得到不同大小的双氟磺酰亚胺锂晶体，进而保证双氟磺酰亚胺锂晶体的品质。
一种双氟磺酰亚胺晶体洗涤装置

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