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- [发明专利]磷酸二氢钾晶体潮解抛光方法-CN200810064046.4无效
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张飞虎;郭少龙;张勇
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哈尔滨工业大学
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2008-02-29
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2008-11-26
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B24B9/14
- 磷酸二氢钾晶体潮解抛光方法，它涉及晶体的抛光方法。它解决了现有超精密加工方法加工KDP晶体时晶体表面会产生小尺度波纹和粒子嵌入、晶体表面难以清洗以及加工效率低、成本高的问题。本发明方法为：一、采用KDP晶体抛光装置；二、采用现有切削技术对KDP晶体(4)坯料的待抛光面进行预处理；三、对载样盘(5)纵向施加一定压力；四、使潮解抛光液或水蒸气潮解经步骤二预处理后的KDP晶体表面；五、启动载样盘(5)的控制开关和抛光盘(3)的控制开关，对经步骤二预处理后的KDP晶体的表面进行潮解抛光。本发明的方法新颖、独特、简单、加工效率高、成本低，加工的KDP晶体表面无小尺度波纹，无粒子嵌入，容易清洗，表面粗糙度达到1～8nm。
- 磷酸二氢钾晶体潮解抛光方法
- [发明专利]低噪声放大器-CN200480016313.0无效
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大见忠弘;西牟田武史;宫城弘;须川成利;寺本章伸
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株式会社丰田自动织机;新泻精密株式会社;大见忠弘
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2004-06-11
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2006-07-19
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H03F1/26
- 一种低噪声放大器，其具有用于将噪声抑制在低电平并放大输入信号的MIS晶体管。MIS晶体管包括：半导体衬底，其具有作为主表面的第一晶体表面；半导体结构，其是作为半导体衬底的一部分形成；以及相同导电型扩散区。半导体结构具有：一对侧壁面，其是由不同于第一晶体表面的第二晶体表面限定；顶面，其是由不同于第二晶体表面的第三晶体表面限定；栅极绝缘膜，其以均匀的厚度覆盖主表面、侧壁面和顶面；以及栅电极，其使用插入的栅极绝缘膜连续覆盖主表面使用插入的栅极绝缘膜在一端和另一端上形成扩散区，并且沿主表面、侧壁面和顶面连续扩展该扩散区。这种结构急剧降低了低噪声放大器输出信号的1/f噪声和信号失真，从而不需要用于补偿降低的电路，并减小了尺寸。
- 低噪声放大器
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