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[发明专利]切割晶片的设备和方法、晶片吸盘、制造发光器件的方法-CN201410173244.X有效
发明人：崔和燮;张有成;严泰荣;李智镐 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2014-04-28 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供了切割晶片的设备和方法、晶片吸盘、制造发光器件的方法。晶片吸盘将晶片保持在其表面上，从而晶片的图像能够由被晶片吸盘的表面反射的光形成。晶片吸盘的表面为平坦表面，该表面具有等于或大于40％的反射率和/或等于或大于90的白度指数值。晶片吸盘可以包括含有铝氧化物的陶瓷，该铝氧化物具有等于或大于95％的纯度。晶片吸盘的平坦表面使得照射晶片吸盘的表面的光被晶片吸盘的表面反射穿过晶片。晶片吸盘可以与用于切割晶片的设备一起使用，并且由该表面反射的光可以用于形成晶片的图像，该晶片的图像用于识别晶片上的切割线。
切割晶片设备方法吸盘制造发光器件

[发明专利]晶片表面处理机构及晶片表面处理设备-CN202311042731.8在审
发明人：朱亮;李阳健;陈道光;罗洪吉;夏希林 -专利权人：浙江求是半导体设备有限公司;浙江晶盛机电股份有限公司
申请日： 2023-08-18 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种晶片表面处理机构及晶片表面处理设备，晶片表面处理机构包括供水系统、刷辊支架和至少两个转动安装于刷辊支架的刷辊，至少一个刷辊的外周沿轴向依次设有至少两个刷套，位于所述刷辊的至少两个刷套具有不同的热膨胀系数刷套获得液体后在温度影响下胀缩形变，同一根刷辊中不同刷套发生不同程度的形变和体积变化，故不同刷套接触晶片的情况不同，不再是整根刷辊上所有刷套都同时接触晶片，由此缩短了刷辊上和晶片接触的区域的长度，意味着刷辊和晶片之间的沟槽更短
晶片表面处理机构设备

[发明专利]混合集成电路结构-CN201880081238.8在审
发明人： F·G·赫罗;D·布朗;哈桑·谢里菲;J·C·王;D·C·里根;唐艳;H·冯 -专利权人： HRL实验有限公司
申请日： 2018-10-11 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：一种电子组件包括：载体晶片，具有顶部晶片表面和底部晶片表面；电子集成电路，形成在所述载体晶片中并包括位于所述顶部晶片表面上的晶片接触垫；所述载体晶片包括具有将所述顶部晶片表面与所述底部晶片表面连接的贯通晶片腔体；部件芯片，具有部件芯片顶表面、部件芯片底表面和部件芯片侧表面，所述部件芯片通过附接材料而保持在所述贯通晶片腔体中，所述附接材料将所述贯通晶片腔体的至少一个壁附接至所述部件芯片底表面和部件芯片侧表面中的至少一个；所述部件芯片包括位于所述部件芯片顶部底表面上的至少一个部件接触垫；以及第一导体，将所述晶片接触垫与所述部件接触垫连接。
混合集成电路结构

[发明专利]晶片研磨后增加等离子体工艺的晶片薄化方法-CN201911094629.6在审
发明人：巫勤达;徐坤基;邱垂良;曾仁栋 -专利权人：力成科技股份有限公司
申请日： 2019-11-11 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种晶片研磨后增加等离子体工艺的晶片薄化方法，其包括提供一晶片，晶片包括一第一表面、一第二表面以及一晶片表面线路。第二表面相对于第一表面，以及晶片表面线路设置在晶片的第一表面。对晶片的第二表面进行一研磨处理，以形成晶片的一第三表面，且第三表面相对于第一表面。对晶片的第三表面进行一等离子体工艺并于第三表面上形成多个破坏纹路，其中等离子体工艺使用的气体包括氩气。
晶片研磨增加等离子体工艺方法

[发明专利]一种确定双面研磨中晶片上下表面去除量的方法-CN202211194544.7有效
发明人：高飞;张弛;王英民;李晖;王健;霍晓青;李宝珠;程红娟 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： B24B37/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种确定双面研磨中晶片上下表面去除量的方法，选择晶片Ⅰ和晶片Ⅱ；测量晶片Ⅰ和晶片Ⅱ的厚度，测量点为晶片的中心点和边缘三点，做好标记为；将晶片I和晶片II的A面贴合，将贴合好的晶片进行滚圆处理成为一个同心圆；开启双面研磨机对晶片进行研磨，研磨结束后去除晶片表面的磨料；将晶片Ⅰ和晶片Ⅱ分离；对晶片Ⅰ和晶片Ⅱ进行清洗去除粘贴剂；测量晶片Ⅰ和晶片Ⅱ的厚度，测量点为晶片的中心点、边缘三点，做好标记为；测量点与粘贴前的测量点保持一致，晶片Ⅰ的测量点标记为通过差减法计算晶片表面同一点研磨前后的厚度变化量，得到双面研磨过程中晶片上表面、下表面、边缘的去除量，提高了测量准确度。
一种确定双面研磨晶片上下表面去除方法

[发明专利]倒装芯片封装单元及封装方法-CN202110435879.2在审
发明人：蒲应江;蒋航;郭秀宏 -专利权人：成都芯源系统有限公司
申请日： 2021-04-22 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：该倒装芯片封装单元可以包括：集成电路晶片，具有晶片第一表面和与该晶片第一表面相对的晶片第二表面，该晶片第一表面上制作有多个金属柱；绕线基板，其具有基板第一表面和与该基板第一表面相对的基板第二表面，所述集成电路晶片的晶片第一表面朝向该基板第二表面焊接于该绕线基板上；底部填充材料，填充该集成电路晶片的晶片第一表面与所述基板第二表面之间的间隙；以及导热保护层，至少包裹覆盖并直接接触该集成电路晶片的晶片第二表面及晶片侧面的一部分，有助于提升集成电路晶片的散热性能，同时该导热保护层可以对集成电路晶片起到较好的保护作用
倒装芯片封装单元方法

[发明专利]倒装芯片封装单元及相关封装方法-CN202110435460.7在审
发明人：蒲应江;蒋航;郭秀宏 -专利权人：成都芯源系统有限公司
申请日： 2021-04-22 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：该倒装芯片封装单元可以包括：集成电路晶片，具有晶片第一表面和与该晶片第一表面相对的晶片第二表面，该晶片第一表面上制作有多个金属柱；绕线基板，其具有基板第一表面和与该基板第一表面相对的基板第二表面，所述集成电路晶片的晶片第一表面朝向该基板第二表面焊接于该绕线基板上；底部填充材料，填充该集成电路晶片的晶片第一表面与所述基板第二表面之间的间隙；以及背面保护膜，直接黏贴于该集成电路晶片的晶片第二表面，该背面保护膜包括一层或多层粘合剂薄膜，其可以与晶片背面贴合良好、经UV光照固化后不易变型、不易脱落，同时兼顾晶片背面保护和晶片散热需求。
倒装芯片封装单元相关方法

[实用新型]晶片封装体-CN200520008662.X无效
发明人：杨智安 -专利权人：威盛电子股份有限公司
申请日： 2005-03-21 - 公布日： 2006-10-25 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本实用新型揭露一种晶片封装体，以兼顾晶片散热效率及降低晶片损坏。晶片封装体包含一晶片承载器、一晶片、复数个导体以及一胶体。晶片承载于晶片承载器上，且具有一第一表面、一第二表面、复数个接垫配置于第一表面、以及至少一缓冲垫配置于第二表面的边缘。复数个导体用以电性连接晶片的接垫及晶片承载器，而胶体则包覆导体、晶片承载器的部份及晶片的部份，其中第二表面及缓冲垫外露于胶体。
晶片封装

[发明专利]晶片的表面平滑方法和其装置-CN200780002621.1有效
发明人：加藤健夫;桥井友裕;村山克彦;古屋田荣;高石和成 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2007-01-17 - 公布日： 2009-02-18 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：将晶片的至少一侧表面进行平滑化的方法，所述晶片是将半导体晶锭进行切割而得到的晶片，该方法通过根据上述晶片表面的凸部而应用流体来减少凸部。或者通过在晶片表面上应用流体而将晶片表面整体进行平滑化，同时减少晶片表面的凸部。
晶片表面平滑方法装置

[发明专利]一种SiC外延片的化学机械清洗方法-CN201410353373.7有效
发明人：张新河;孙国胜;李锡光;萧黎鑫;刘丹;谢建良;范志颂 -专利权人：东莞市天域半导体科技有限公司
申请日： 2014-07-23 - 公布日： 2018-06-01 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种SiC外延片的化学机械清洗方法以及该方法中的专用工具，该清洗方法包括：先将SiC外延晶片放置在基座上固定，晶片将通过基座实现旋转；其次，采用毛刷作为抛光刷，抛光刷自转并沿着晶片半径方向往复移动，对晶片的表面进行化学抛光清洗，其中，抛光液将通过抛光刷喷洒在晶片的表面；然后，提起抛光刷放下清洗刷，清洗刷自转并沿着晶片半径方向往复移动，对晶片的表面进行清洗，其中，去离子水将通过清洗刷喷洒在晶片的表面；接着，提起清洗刷，并用去离子水冲洗晶片表面；最后，用热氮气吹扫旋转的晶片表面，干燥晶片。本发明可以高效去除晶片表面污染残留物，并对晶片表面进行一定的修饰，达到提高表面粗糙度和去除表面应力的作用。
晶片晶片表面抛光刷清洗刷清洗化学机械去离子水外延片自转去除喷洒表面粗糙度污染残留物表面应力干燥晶片化学抛光外延晶片专用工具抛光液热氮气吹扫毛刷修饰冲洗并用

[发明专利]碳化硅晶片抛光设备-CN202211294837.2在审
发明人：张学良;袁巨龙;邓乾发;杭伟;王佳焕 -专利权人：浙江工业大学
申请日： 2022-10-21 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： B24B29/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳化硅晶片抛光设备，包括抛光机械臂、晶片表面等离子软化处理装置、晶片表面抛光装置。抛光机械臂的晶片吸盘上设有晶片电极，晶片电极与晶片吸盘拾取的碳化硅晶片导通，晶片表面等离子软化处理装置包括脉冲电源、不锈钢电极。水基电解液在脉冲电压作用下与碳化硅晶片的表面发生等离子体活化改性反应生成软化层，再通过晶片表面抛光装置打磨去除碳化硅晶片表面上的软化层。本发明采用抛光机械臂、晶片表面等离子软化处理装置、晶片表面抛光装置相结合的自动化精密抛光工艺，相比现有主要依靠人工操作，缺乏专用的抛光设备的工艺方案具有抛光效率高、抛光效果更佳的特点。
碳化硅晶片抛光设备

[发明专利]一种晶片表面检查装置和检查方法-CN202211609434.2在审
发明人：徐新华 -专利权人：杭州中欣晶圆半导体股份有限公司
申请日： 2022-12-15 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G01N21/95 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶片表面检查检查方法，包括以下步骤：用激光源向晶片表面沿竖直方向投射光束；当用激光源投射晶片的表面时，用工业相机拍摄晶片表面条纹反射光图案；当用工业相机拍摄晶片表面条纹反射光图案时，工业相机相对于晶片表面拍摄相位点不少于5组，用控制模块提取晶片表面拍摄条纹反射光图案的相位分布，并展开获取条纹反射连续相位分布；基于条纹反射连续相位分布，计算晶片表面水平方向和竖直方向上的梯度分布，所获取晶片表面水平方向和竖直方向上的梯度分布在出现骤增或骤减情况下，则说明晶片表面存在缺陷如划痕或污渍导致，从而快速确定晶片的表面上是否有缺陷。
一种晶片表面检查装置方法

[实用新型]一种晶片托盘-CN201220320302.3有效
发明人：毕绿燕;刘鹏;赵红军;袁志鹏;王永旺;张国义;童玉珍;孙永健 -专利权人：东莞市中镓半导体科技有限公司;北京大学
申请日： 2012-07-04 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种晶片托盘，可连续运用于晶片的生产和清洗工序。本实用新型包含托盘本体，托盘本体包含一上表面和一下表面，上表面包含晶片槽、流通孔、晶片支撑架、晶片取放槽、编码数字、小连接槽，下表面包含连接柱，上表面设有一个以上凹形的晶片槽，晶片槽内壁设有三条以上的晶片支撑架，晶片槽底部设有一个以上流通孔，晶片槽周边处设有一个以上晶片取放槽。本实用新型的晶片托盘在整套生产流程只需要发放晶片的操作员记录晶片编号，后续程序只需记录晶片对应的编码数字，达到晶片便于统筹管理，便于取放，便于计数的目的。
一种晶片托盘

[发明专利]晶片堆叠的组装-CN201710929068.1有效
发明人：哈特穆特·鲁德曼 -专利权人：赫普塔冈微光有限公司
申请日： 2013-05-15 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本文涉及一种形成晶片堆叠的方法，所述方法包括提供包含第一晶片和第二晶片的子堆叠。所述子堆叠包括在第一晶片的上表面与第二晶片的下表面之间的界面处的第一热固化黏合剂。第三晶片放置在第二晶片的上表面上。第二热固化黏合剂存在于第二晶片的上表面与第三晶片的下表面之间的界面处。在第三晶片的上表面的方向上提供紫外(UV)辐射以固化在第二晶片中的开口中且与第三晶片的部分接触的UV固化黏合剂，以在离散位置处将第三晶片接合至子堆叠。随后，加热第三晶片和子堆叠以固化第一及第二热固化黏合剂。
晶片堆叠组装

[发明专利]晶片堆叠的组装-CN201380027156.2有效
发明人：哈特穆特·鲁德曼 -专利权人：赫普塔冈微光有限公司
申请日： 2013-05-15 - 公布日： 2017-11-03 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本文涉及一种形成晶片堆叠的方法，所述方法包括提供包含第一晶片和第二晶片的子堆叠。所述子堆叠包括在第一晶片的上表面与第二晶片的下表面之间的界面处的第一热固化黏合剂。第三晶片放置在第二晶片的上表面上。第二热固化黏合剂存在于第二晶片的上表面与第三晶片的下表面之间的界面处。在第三晶片的上表面的方向上提供紫外(UV)辐射以固化在第二晶片中的开口中且与第三晶片的部分接触的UV固化黏合剂，以在离散位置处将第三晶片接合至子堆叠。随后，加热第三晶片和子堆叠以固化第一及第二热固化黏合剂。
晶片堆叠组装

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