“袁振洲”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果123个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种碳化硅单晶生长的保温结构及其制作方法与应用-CN202310991407.4在审
发明人：张永伟;袁振洲;丁同悦;刘欣宇 -专利权人：江苏超芯星半导体有限公司
申请日： 2023-08-07 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明提供一种碳化硅单晶生长的保温结构及其制作方法与应用，所述保温结构包括围绕于碳化硅单晶生长装置外部的侧部保温单元、顶部保温单元和底部保温单元；所述侧部保温单元由矩形保温条绕制而成，且所述矩形保温条的两个连接端部分别独立地设置有斜坡结构，包括外端斜坡和内端斜坡；所述外端斜坡位于远离碳化硅单晶生长装置的连接端部，所述内端斜坡位于靠近碳化硅单晶生长装置的连接端部；设定所述外端斜坡的斜边长度为L1，所述内端斜坡的斜边长度为L2，则所述保温结构满足：L1L2。本发明提供的保温结构提升了隔热性能和保温均一性，延长了使用寿命，改善了晶体质量，同时降低了制作成本，有利于大规模推广应用。
一种碳化硅生长保温结构及其制作方法应用

[发明专利]籽晶处理方法及碳化硅晶体的生长方法-CN202310874871.5在审
发明人：张永伟;袁振洲;刘欣宇 -专利权人：江苏超芯星半导体有限公司
申请日： 2023-07-17 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明提供了籽晶处理方法及碳化硅晶体的生长方法，所述籽晶处理方法包括以下步骤：(1)向籽晶所在的容器通入刻蚀气体，进行退火刻蚀；(2)采用第一粘结剂将所述籽晶的粘接面和第一粘接板进行粘接，碳化，然后在所述粘接板的背面涂覆第二粘结剂，并与第二粘接板进行粘接，固化后得到处理后的籽晶；其中，第一粘接板的孔隙率大于第二粘接板的孔隙率。本发明首先对碳化硅籽晶进行预处理，不仅释放了籽晶应力，为降低晶体的位错缺陷奠定了基础，而且在籽晶表面形成了致密保护层，有效抑制了位错增殖；然后采用二次生长的方式在籽晶上生长得到了位错密度低的碳化硅晶体。该方法操作简单，推动了大尺寸碳化硅晶体的量产工艺。
籽晶处理方法碳化硅晶体生长

[发明专利]一种粉料清洗的装置、粉料清洗方法与应用-CN202310737345.4在审
发明人：张永伟;袁振洲;汝慧慧;王子杰;刘欣宇 -专利权人：江苏超芯星半导体有限公司
申请日： 2023-06-20 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： B08B3/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种粉料清洗的装置、粉料清洗方法与应用，所述装置包括壳体，壳体内为流动清洗腔，沿壳体的顶部到底部的方向，流动清洗腔内设置有至少一层镂空支撑板，每层镂空支撑板上设置有至少一个物料容纳器，物料容纳器的底部和/或侧面上设置有至少一个漏孔，物料容纳器用于容纳待洗粉料；所述装置还包括液体循环组件，液体循环组件分别与壳体顶部设置的液体进口及所述壳体底部设置的进出口连通，壳体的侧壁上还设置有与所述液体循环组件连通的液体出口，液体出口位于邻近所述壳体顶部的镂空支撑板的上方。所述装置对粉料清洗的耗时短，对酸液与水的消耗量较小，使用成本较低，且能较为彻底地去除碳化硅粉料表面的金属与酸液。
一种清洗装置方法应用

[发明专利]一种无金属污染的碳化硅合成料块破碎装置-CN202310738442.5在审
发明人：张永伟;汝慧慧;袁振洲;刘欣宇 -专利权人：江苏超芯星半导体有限公司
申请日： 2023-06-21 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： B02C1/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种无金属污染的碳化硅合成料块破碎装置，所述碳化硅合成料块破碎装置中压板的顶部电性连接有驱动电机，驱动电机用于驱动压板和刮件移动，压板的底部边缘和筛网板的边缘通过导向轴活动连接；筛网板朝向压板的一侧中部设置有承压台和刮件，刮件用于拨动物料，筛网板的另一侧且对应承压台处设置有支撑件的一端，支撑件的另一端固定连接至集料装置的顶部内；集料装置的底部安装有振动装置，振动装置沿物料走向的一侧设置有出料口。本发明通过各部件的组合设置，保护合成粉料的原有形貌，增大了小于40目的大颗粒料的产出，且全程无需使用酸洗工艺，只需使用纯水清洗1～5次即可获得符合生长条件的高纯碳化硅粉料。
一种金属污染碳化硅合成破碎装置

[发明专利]一种碳化硅及其生长装置和生长方法-CN202310623791.2在审
发明人：张永伟;袁振洲;刘欣宇 -专利权人：江苏超芯星半导体有限公司
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： C30B25/00 文献下载
摘要：本发明提供一种碳化硅及其生长装置和生长方法，所述生长装置包括：容器本体；保温层，设置于所述容器本体的内部，所述保温层的顶部设置有一开口，所述开口能容纳测温装置；坩埚，设置于所述保温层的内部，所述坩埚的底部设置有凸设于所述坩埚内部的腔室，所述坩埚包括坩埚盖，位于所述坩埚的顶部，所述坩埚盖上开设有贯穿的孔洞；发热体，所述发热体包括柱体和盘体，所述柱体嵌入到所述腔室内，所述盘体设置于所述保温层的内部；感应线圈，设置于所述容器本体的周围。采用该装置合成的碳化硅后续无需酸洗，且料块松散，无需采用常规破碎工艺，可有效避免金属污染问题，并且破碎后仅采用少量纯水即可进行冲洗，有效减少了纯水用量，降低了成本。
一种碳化硅及其生长装置方法

[发明专利]一种碳化硅粉料的制备方法与碳化硅粉料-CN202310731030.9在审
发明人：张永伟;袁振洲;刘欣宇 -专利权人：江苏超芯星半导体有限公司
申请日： 2023-06-20 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： C01B32/984 文献下载
摘要：本发明提供了一种碳化硅粉料的制备方法与碳化硅粉料，所述制备方法包括：硅粉与碳粉的混合粉料、碳化硅粉及粘结剂溶液混合后，通过喷雾造粒得到原料微球，所得原料微球进行热处理，得到碳化硅粉料；所述混合粉料的D50粒径为100～5000nm，所述碳化硅粉的D50粒径为50～300μm。本发明提供的制备方法的制备时间较短，大大缩短了碳化硅粉料的制备周期，从而降低了生产成本，有利于碳化硅粉料的批量化生产；同时，所述制备方法制备的碳化硅粉料的粒径均匀，颗粒较大，0.5mm以上粒径的碳化硅粉料的占比可达80％，且杂质含量较低。
一种碳化硅制备方法

[发明专利]一种碳化硅粉料的自动装料装置及装料方法-CN202310577505.3在审
发明人：张永伟;王雪洁;袁振洲;刘欣宇 -专利权人：江苏超芯星半导体有限公司
申请日： 2023-05-22 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： B65G65/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种碳化硅粉料的自动装料装置及装料方法，所述自动装料装置中进料机构的顶部设置有进料口，底部设置有第一出料口，第一出料口连接至称重机构的一端，称重机构的另一端设置有第二出料口，称重机构包括设置于第一出料口底部的称重传感器；传动机构用于放置和移动盛料机构；升降机构设置于传动机构对应盛料机构的底部，用于调节盛料机构的高度；控制单元用于控制操作，且便于操作人员远程操作。本发明通过各部件的组合设置，实现自动装料过程，同时监控装料高度、装料重量和装料上下致密度一致，保证了粉料内部受热和蒸发速度的一致性，对稳定晶体质量起到了积极作用；且极大程度缩短了作业时间，结构简单，适合产业化生产。
一种碳化硅自动装料装置方法

[发明专利]碳化硅粉料的装料方法、碳化硅晶体及其制备方法和应用-CN202310486104.7在审
发明人：张永伟;袁振洲;刘欣宇 -专利权人：江苏超芯星半导体有限公司
申请日： 2023-05-04 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明提供了一种碳化硅粉料的装料方法、碳化硅晶体及其制备方法和应用，所述装料方法包括以下步骤：将球粒状碳化硅细粉、针柱状碳化硅粗粉和片状碳化硅粉料置于装料装置中，完成装料。本发明改变装料方式，采用球粒状碳化硅细粉、针柱状碳化硅粗粉和片状碳化硅粉料三种粉料组合装料，在不改变热场和成本的前提下，解决了碳化硅晶体生长中后期发散状包裹的问题。
碳化硅装料方法晶体及其制备应用

[发明专利]一种针对不同厚度碳化硅晶体的退火工艺选择方法-CN202210498191.3有效
发明人： 袁振洲;刘欣宇 -专利权人：江苏超芯星半导体有限公司
申请日： 2022-05-09 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本发明提供一种针对不同厚度碳化硅晶体的退火工艺选择方法，所述退火工艺选择方法包括：根据碳化硅晶体的不同厚度选择不同的退火温度和不同的退火保温时间；其中，所述退火温度与碳化硅晶体的厚度呈正向关系，所述退火保温时间与碳化硅晶体的厚度呈正向关系。本发明能够为不同厚度晶体的生产提供准确的退火工艺指导，应用范围广，可提高退火质量，节约能耗，从而降低后续加工过程中碳化硅晶体破损率，提高碳化硅晶体的产率。
一种针对不同厚度碳化硅晶体退火工艺选择方法

[发明专利]一种以单一气体为源气体制备碳化硅晶体的方法-CN202111215370.3有效
发明人： 袁振洲;刘欣宇 -专利权人：江苏超芯星半导体有限公司
申请日： 2021-10-19 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种以单一气体为源气体制备碳化硅晶体的方法，该方法所采用的设备包括依次通过气体管路连接的低温腔、高温腔、结晶腔；步骤为：(1)以硅烷衍生物气体或氯硅烷衍生物气体作为源气体，通入低温腔，使源气体裂解；(2)然后通过入口气体管路通入载流气体，将低温腔中裂解后的产物带入高温腔，在高温腔中，使CxHy或CmHnClo和Si进行反应，得到SiαCβ气体；(3)高温腔中的SiαCβ气体被载流气体带入结晶腔，SiαCβ气体分子在碳化硅籽晶表面上进行沉积并结晶，最终形成碳化硅晶体。本发明实现了只用单一气体生长碳化硅晶体，相比于比硅烷更加稳定，不会在空气中自燃，因此使用和维护成本、风险大大降低。
一种单一气体制备碳化硅晶体方法

[发明专利]一种P型碳化硅晶体及其生长方法和生长装置-CN202310029517.2在审
发明人： 袁振洲;刘欣宇 -专利权人：江苏超芯星半导体有限公司
申请日： 2023-01-09 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： C30B31/02 文献下载
摘要：本发明提供一种P型碳化硅晶体及其生长方法和生长装置，所述生长方法包括：将铝源层和碳化硅粉层交替置于反应腔室中，进行反应，得到所述P型碳化硅晶体；其中，所述铝源层为至少一层。本发明通过将铝源层和碳化硅粉层交替设置，确保了整个P型碳化硅晶体生长过程中铝原子的掺杂均匀，使得反应后可以得到高品质的P型碳化硅晶体。该生长方法工艺成熟，简单且成本低，具有良好的应用潜力。
一种碳化硅晶体及其生长方法装置

[发明专利]一种多坩埚系统的碳化硅粉料合成装置及其应用-CN202310029120.3在审
发明人：张永伟;袁振洲;刘欣宇 -专利权人：江苏超芯星半导体有限公司
申请日： 2023-01-09 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： C30B35/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种多坩埚系统的碳化硅粉料合成装置及其应用，所述碳化硅粉料合成装置包括至少2组感应线圈和至少2个坩埚；所述感应线圈的内部设置有至少1个坩埚；所述坩埚的底部设置有填充层和支撑板；所述坩埚的外部依次设置有同轴心的外筒和侧保温层。本发明通过改进坩埚结构及合成方法，改善了温度分布，可实现单次投料量＞50kg，同时提升了原料合成率及粉料品质，降低了粉料合成成本。
一种坩埚系统碳化硅合成装置及其应用

[发明专利]一种低电阻N型碳化硅晶体及其制备方法-CN202310029504.5在审
发明人： 袁振洲;刘欣宇 -专利权人：江苏超芯星半导体有限公司
申请日： 2023-01-09 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： C30B31/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种低电阻N型碳化硅晶体及其制备方法。所述制备方法包括：在反应腔体内填入反应粉料并安装碳化硅籽晶，然后将反应腔体放入晶体生长装置内，反应后得到所述低电阻N型碳化硅晶体；所述反应粉料包括至少两层碳化硅粉层，且每两层碳化硅粉层之间设置有铝源层；所述反应粉料的最上层和最下层分别独立地设置有碳化硅粉层。本发明通过在制备过程中同时引入氮原子和铝原子制备得到低电阻N型碳化硅晶体，既可以保证晶体质量，又能实现低阻的效果，可以满足下游器件客户对碳化硅器件电阻率的需求；所述制备方法简单，有利于工业化生产。
一种电阻碳化硅晶体及其制备方法

[发明专利]一种无色莫桑石的制备方法-CN201910173192.9有效
发明人：刘欣宇;袁振洲 -专利权人：江苏超芯星半导体有限公司
申请日： 2019-03-07 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： C01B32/956 文献下载
摘要：本发明公开了一种无色莫桑石的制备方法，包括：将高纯半绝缘碳化硅晶片放入坩埚，装炉并设置生长参数，通过加热所述坩埚，所述高纯半绝缘晶片升华而在坩埚顶部进行再结晶，冷却出炉得到无色莫桑石。其中所述生长参数为：温度在2000~2300℃，压力在1~700 Torr。成功解决了原料氮含量掺杂、莫桑石颜色灰黄、不合格碳化硅晶片再利用的问题。提高了碳化硅不合格晶片利用率，并获得无色莫桑石。
一种无色莫桑石制备方法

[实用新型]一种压缩机储液器-CN202222303739.2有效
发明人：袁玉辉;袁振洲;朱竹新 -专利权人：南通美迪金属制品有限公司
申请日： 2022-08-31 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： F25B43/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及储液器技术领域，尤其涉及一种压缩机储液器。其技术方案包括输送管、罐体、电机、压力泵、蜗杆和安装箱，所述罐体上端设置有抽气管，所述罐体下端一侧贯穿有进气管，所述罐体上端内壁设置有滤网，所述罐体上端一侧设置有输送管，所述罐体一侧内部安装有安装箱，所述安装箱内部一侧设置有电机，所述电机一端设置有蜗轮，所述进气管一侧设置有蜗杆，所述蜗杆上端设置有密封盖，所述安装箱位于罐体外侧上端设置有压力泵。本实用新型通过压力泵与输送管结构之间的配合，对滤网上端喷射高压气流，滤网清理时，密封盖通过蜗轮转动对进气管上端遮蔽，滤网中堵塞的物质得到脱离清理，保障了设备的使用效果。
一种压缩机储液器

1
2
3
4
5
6
7
8
9
下一页»
尾页
共 123 条