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[实用新型]集成石英晶体表面贴装元器件-CN200420040004.4无效
发明人：韩克水;石小松;秦武 -专利权人：韩克水
申请日： 2004-04-14 - 公布日： 2005-09-21 - 主分类号： H03H9/19 文献下载
摘要：本实用新型提供一种集成石英晶体表面贴装元器件，其中电子元件为2~6个，其特征在于：增设绝缘材料外衣将多个电子元件封装在一起，构成规正的长方体，外衣贴装面的两端部均镶嵌有电子元件的引脚，且位于贴装面两端部的引脚呈扁平状本实用新型与现有技术相比，将多个电子元件用绝缘材料外衣封装在一起，且外衣贴装面的两端部均镶嵌有电子元件的引脚，这样表面贴装元器件的贴装面两端都有焊点，且焊点处的引脚呈扁平状，增大了焊接面积，进而保证表面贴装元器件的牢固焊接，低成本实现了多种石英晶体器件的一次表面贴装完成。
集成石英晶体表面元器件

[发明专利]一种利用纳米压痕提高压电材料压电系数的方法-CN202110482739.0有效
发明人：刘铎;颜为山;罗雯耀;赵超鹏;张汪阳;韩素芹 -专利权人：山东大学
申请日： 2021-04-30 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01L41/333 文献下载
摘要：本发明涉及一种利用纳米压痕提高压电材料压电系数的方法，该方法对压电晶体施加载荷外力，使压电晶体表面获得周期性纳米级图形化压痕结构，大大提高了压电晶体的压电系数，由17pC/N提高到44pC/N，采用的用纳米压痕技术直接在压电晶体表面制备大面积周期性纳米压痕结构
一种利用纳米压痕提高压电材料系数方法

[发明专利]具有高精度阈值电压的MOS晶体管的制造方法-CN200610147577.0无效
发明人：陈康民 -专利权人：上海贝岭股份有限公司
申请日： 2006-12-20 - 公布日： 2008-06-25 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种具有高精度阈值电压的MOS晶体管的制造方法：在制作MOS晶体管之前，先在该晶体管的基体表面注入与该基体杂质类型相同的杂质，然后高温扩散推进所注入的杂质以在所述基体表面形成加浓层，最后在所形成的加浓层上按常规工艺制造MOS晶体管。
具有高精度阈值电压 mos 晶体管制造方法

[发明专利]一种人工晶体及其制备方法-CN202310156644.9有效
发明人：王云兵;傅代华;张凡军;戴燕;辛剑宇 -专利权人：四川兴泰普乐医疗科技有限公司
申请日： 2023-02-23 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： A61L27/34 文献下载
摘要：本发明涉及眼科医用植入材料领域，公开了一种人工晶体及其制备方法，人工晶体的表面带有分子刷，分子刷接枝有亲水抗蛋白聚合物；形成分子刷的单体，包括至少一个双键，用以人工晶体的表面引发聚合，包括至少一个反应活性基团本发明将亲水抗污的聚合物或多肽共价键接到人工晶体表面，使其具有良好的亲水性和抗污性，能长效抵抗蛋白、细胞以及细菌等污染物在晶状体表面粘附，提高人工晶体植入的稳定性和有效性。
一种人工晶体及其制备方法

[发明专利]与控制硅晶体生长的系统一起使用的无失真摄像机-CN96114458.0无效
发明人：罗伯特·H·福豪夫 -专利权人： MEMC电子材料有限公司
申请日： 1996-11-13 - 公布日： 1998-02-11 - 主分类号： C30B15/26 文献下载
摘要：用于确定从硅熔体拉制的硅晶体的直径的系统,用于控制硅晶体生长设备。该熔体具有平的表面,该表面包括呈现为与硅晶体相邻的明亮环的弯月形液面。位于熔体表面上方并离开晶体的一个摄像机包括大体上与熔体表面平行的像平面,并响应于来自亮环的光以产生亮环部分的图像。由此,该摄像机补偿了摄像机相对于晶体的位置造成的图像失真。
控制晶体生长系统一起使用失真摄像机

[发明专利]一种用于光学晶体超精密加工亚表面损伤的无损检测方法-CN201711009856.5在审
发明人：张勇;侯宁;梁斌;胡旷南 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2017-10-25 - 公布日： 2018-03-20 - 主分类号： G01N23/20 文献下载
摘要：一种用于光学晶体超精密加工亚表面损伤的无损检测方法，本发明涉及超精密加工亚表面损伤的无损检测方法。本发明的目的是为了解决现有技术主要是基于某一特定的亚表面损伤形式或对某一微小截面区域的亚表面损伤形式进行检测，检测过程往往具有破坏性，其检测结果不能全面准确地反映实际加工过程中光学晶体材料的亚表面损伤形式的问题过程为一、将被检测光学晶体置于可移动工作台上；二、使X射线源产生的X射线与被检测光学晶体表面平行；三、使X射线与晶体表面形成一定夹角；四、得到X射线与晶体结构发生衍射时的衍射特征谱线信息；五、重复三、四，完成对光学晶体超精密加工亚表面损伤的无损检测。
一种用于光学晶体精密加工表面损伤无损检测方法

[发明专利]一种晶体加工的高效打磨装置-CN202111177585.0在审
发明人：李东振 -专利权人：南京同溧晶体材料研究院有限公司
申请日： 2021-10-09 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： B24B7/22 文献下载
摘要：本发明涉及晶体加工技术领域，公开了一种晶体加工的高效打磨装置，包括底座，所述底座的顶部固定连接有放置盘，所述放置盘的圆心处开设有通孔，所述通孔的内腔插接有连接杆，所述连接杆的外侧固定安装有第一齿轮。本发明通过将晶体放入在放置孔内，然后拧动螺母将上磨盘与晶体表面接触，从而配合第一弹簧能够使上磨盘与晶体表面始终接触，然后启动驱动电机带动第一齿轮和上磨盘转动，从而上磨盘对晶体上表面进行打磨，同时带动齿轮盘在下磨盘上旋转，从而下磨盘对晶体的下表面进行打磨，进一步的提高晶体打磨的效率和质量，并且不同规格的放置孔能够对不同规格的晶体进行打磨，从而有效的提升晶体打磨装置的实用性。
一种晶体加工高效打磨装置

[发明专利]一种晶体硅铸锭用籽晶及其制备方法和晶体硅及其制备方法-CN201610817314.X在审
发明人：陈红荣;徐云飞;胡动力;何亮 -专利权人：江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
申请日： 2016-09-12 - 公布日： 2016-12-14 - 主分类号： C30B11/14 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶体硅铸锭用籽晶，包括籽晶本体以及包覆在籽晶本体表面的硅系化合物膜，硅系化合物膜的熔点大于或等于硅的熔点。该硅系化合物膜可保护籽晶避免被杂质污染，在该籽晶上生长出来的晶体硅位错较少，少子寿命较高。另外，该籽晶可实现多次重复使用，大大降低了铸造晶体硅的成本。本发明还提供了该晶体硅铸锭用籽晶的制备方法，包括：提供籽晶本体，通过气相沉积法在籽晶本体表面沉积硅系化合物，形成硅系化合物膜，从而得到晶体硅铸锭用籽晶，或将籽晶本体置于反应室中，在800℃‑1400℃温度下，通入可与硅反应生成硅系化合物的气体，使气体与籽晶表面的硅反应生成硅系化合物，从而在籽晶本体表面形成硅系化合物膜，得到晶体硅铸锭用籽晶。
一种晶体铸锭籽晶及其制备方法

[发明专利]一种强电离辐射环境下的温度测量方法及系统-CN201810442429.4在审
发明人：杨俊亮;张小威;赵越;朱晔;李瑭 -专利权人：中国科学院高能物理研究所
申请日： 2018-05-10 - 公布日： 2018-08-10 - 主分类号： G01K11/00 文献下载
摘要：本方法为根据待测晶体的晶格长的变化计算得到该待测晶体的温度变化；具体而言，选取或制备一波长选择器，该波长选择器仅允许通过某一确定波长λ的光束，将一束光入射到该待测晶体表面，该波长选择器用于接收入射光束经该待测晶体表面产生的波长为λ的衍射光束，并记录衍射光束强度I；当I值发生变化时，改变该待测晶体与入射光束之间的入射角度，当接收的衍射光束强度为I时，记录角度变化量为Δθ；然后根据Δθ与该待测晶体的温度值变化关系得到温度变化。本发明既解决了强电离辐射环境下温度测量问题，同时也精确测得了强电离辐射环境下晶体表面的温度值。
强电离辐射环境波长选择器晶体表面温度测量衍射光束晶体的波长角度变化量变化关系入射光束光入射入射角记录晶格制备收入

[发明专利]一种激光诱导铌酸锂表面金属性的方法-CN202210218620.7在审
发明人：金克新;申津州;王定邦 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2022-03-01 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种激光诱导铌酸锂表面金属性的方法，首先对取向为0001的片状铌酸锂晶体表面进行预处理，然后将铌酸锂晶体放入真空室中的基板座上，对真空室腔体抽真空后通入氧气，最后加载脉冲激光，直接并连续地辐照铌酸锂晶体表面，最终在铌酸锂表面诱导产生金属性导电层。本方法可以简单且高效地在铌酸锂表面实现金属性。
一种激光诱导铌酸锂表面金属性方法

[发明专利]一种晶体生长表面微结构的实时观测方法-CN200910015472.3无效
发明人：钟德高;滕冰 -专利权人：青岛大学
申请日： 2009-05-23 - 公布日： 2009-10-21 - 主分类号： G01N21/84 文献下载
摘要：本发明涉及溶液法晶体生长过程表面微结构在三维方向上的实时定量测试分析技术领域，属于一种利用激光数字移相干涉系统装置实时观测水溶性晶体、有机晶体生长表面微结构的方法，引入菲索干涉仪在干涉光路中，将菲索干涉仪中的两个参考平面镜之一替换为正在生长的晶体表面，使经参考平面镜和生长晶体表面反射的激光发生干涉，使干涉条纹中包含晶体生长表面的信息，再利用移相干涉方法提取出晶体生长表面结构信息，然后通过计算机软件计算分析得到晶体生长表面的等高图和三维透视图实现实时观测，其工作原理简单可靠，所用设备自动化程度高，实时观测效果好，特别是可以将晶体生长过程全方位转换成显示信息，形象直观性强。
一种晶体生长表面微结构实时观测方法

[发明专利]KDP光学表面平坦化方法-CN201510261654.4在审
发明人：蔡长龙;刘卫国;姬娇;刘欢;周顺;陈智利;秦文罡;惠迎雪;包强 -专利权人：西安工业大学
申请日： 2015-05-21 - 公布日： 2015-09-23 - 主分类号： B05D5/00 文献下载
摘要：本发明涉及KDP光学表面平坦化方法。目前KDP晶体的超精密加工方法会在KDP晶体表面残留抛光液，在KDP晶体表面产生小尺度波纹，影响KDP晶体的光学表面质量。本发明以经过单点金刚石车削抛光后的KH₂PO₄光学晶体材料作为加工对象，采用自旋涂胶的方法在KH₂PO₄光学晶体材料的光学表面涂覆一层聚合物膜，再经真空热处理后在KH₂PO₄光学晶体材料表面形成一层表面粗糙度低的聚合物层，聚合物层的上表面为平坦化表面。本发明在KDP表面形成一层机械性能良好、性质稳定、表面粗糙度低的聚合物膜，工艺过程简单，对设备要求低，成本低廉，在KDP光学表面可获得较好的平坦化效果，且应用前景可观。
kdp 光学表面平坦方法

[发明专利]半导体探测器-CN201610797083.0有效
发明人：张岚;杜迎帅;李波;吴宗桂;李军;曹雪朋;胡海帆;顾建平;徐光明;刘必成 -专利权人：同方威视技术股份有限公司
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： G01T1/00 文献下载
摘要：所述半导体探测器包括：探测器晶体，包括晶体主体、阳极和阴极；场增强电极，用于向探测器晶体施加电压；绝缘材料，设置于所述场增强电极和所述探测器晶体表面之间。所述半导体探测器还包括场增强电极电路板，所述增强电极电路板具有与探测器晶体表面接触的底部连接层和与所述底部连接层相对的顶层，其中所述顶层连接半导体探测器的高压输入，所述底部连接层与所述探测器晶体的探测器表面之间存在绝缘材料
半导体探测器

[发明专利]铌酸锂晶体化学机械抛光后的应力控制方法-CN201010231679.7有效
发明人：刘玉岭;孙鸣;田军 -专利权人：河北工业大学
申请日： 2010-07-21 - 公布日： 2010-12-15 - 主分类号： B08B3/10 文献下载
摘要：本发明涉及铌酸锂(LiNbO3)晶体化学机械抛光(CMP)后，铌酸锂晶体表面的应力控制方法。本发明铌酸锂晶体CMP后应力控制方法，CMP刚刚完成后清洗时，采用逐渐慢慢加大水抛清洗液流量，充分释放铌酸锂晶体表面的热应力，达到铌酸锂晶体内外热应力一致，从而有效地避免了铌酸锂晶体清洗过程中易产生开裂、碎晶的问题发生，完美实现了铌酸锂晶体CMP后的应力控制，大大提高了铌酸锂晶体因开裂、碎晶导致的加工良率。
铌酸锂晶体化学机械抛光应力控制方法

[发明专利]带有闪烁光慢成分抑制滤光片的氟化钡（BaF2）晶体-CN01139016.6无效
发明人：吴永刚;顾牡;陈玲燕;曹二华 -专利权人：同济大学
申请日： 2001-12-03 - 公布日： 2003-06-11 - 主分类号： C30B29/12 文献下载
摘要：带有闪烁光慢成分抑制滤光片的氟化钡(BaF2)晶体,涉及氟化钡晶体的镀膜和改善晶体性能技术,适用于高能物理、核医学、γ射线天文学、物理勘探。通过在氟化钡(BaF2)晶体表面镀覆光谱选择性多层膜系,将多层光学滤光膜系直接镀制在氟化钡(BaF2)晶体表面,镀膜系总厚度仅为1μm左右,结构紧凑,不增加任何体积,并使得晶体的闪烁光快慢成分比例由0.16提高到12.8,即多层光学膜系统对氟化钡(BaF2)晶体的闪烁光快慢成分的抑制比达到80倍。本发明晶体具有很好的使用前景。
带有闪烁成分抑制滤光氟化钡 baf2 晶体