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[实用新型]一种基于全息干涉术的光子晶体制造装置-CN201220456025.9有效
发明人：沈少鑫;任雪畅;李彦双;刘守 -专利权人：厦门大学
申请日： 2012-09-07 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： G02B6/138 文献下载
摘要：一种基于全息干涉术的光子晶体制造装置，涉及光子晶体制造装置。波片和光刻胶板；激光器发出的激光经过空间滤波器的扩束后照射到全息光学元件上，经全息光学元件产生四束相干的干涉光束，1/2波片置于全息光学元件的其中1个出光口之后，入射1/2波片的线偏振光的振动方向与1/2波片晶体表面光轴间的角度为设定值，四束光重叠射在光刻胶板上，在光刻胶板上对四束光重叠的干涉结构进行单次曝光，经显影流程得大面积周期性间隙阵列结构的光子晶体。所述入射1/2波片的线偏振光的振动方向与1/2波片晶体表面光轴间的角度的设定值为15°～23.5°。
一种基于全息干涉光子晶体制造装置

[实用新型]一种生产荧光增白剂的晶体烘干装置-CN202022131641.4有效
发明人：谢宣 -专利权人：湖北武穴银莹化工有限公司
申请日： 2020-09-25 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： F26B9/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种生产荧光增白剂的晶体烘干装置，包括底座，所述底座下方焊接固定有支撑腿，底座上方焊接固定有烘干箱和加热箱，所述烘干箱置于底座中间，烘干箱的一侧开有箱门，箱门通过合页与烘干箱连接，箱门上安装有玻璃窗和把手烘干箱内有温度传感器和烘干架，烘干箱的两侧对称固定有两个加热箱，所述加热箱的侧壁上开有通风口，加热箱内有电热管和风机；本实用新型中，烘干箱内溢出的热气重新进入烘干箱内，实现热量循环，压电陶瓷通电后产生冲击气流，冲破晶体表面的滞留层，使热气直接接触晶体表面，加快晶体烘干的速度，降低了热量的流失，提高了晶体烘干效率。
一种生产荧光增白剂晶体烘干装置

[发明专利]一种空间限制的二维杂化钙钛矿晶体生长方法-CN201811266456.7在审
发明人：王迪;张海欣;栢宇;张明静;吴国政;薛豪 -专利权人：天津理工大学
申请日： 2018-10-29 - 公布日： 2019-02-19 - 主分类号： C30B29/64 文献下载
摘要：本发明为一种空间限制的二维杂化钙钛矿晶体生长方法。该方法使用上下两片衬底组成晶体生长区域并在其中灌充晶体生长溶液，利用该局域的生长溶液限制钙钛矿晶体在二维平面内生长，抑制其垂直面外的生长，从而在衬底表面获得大尺寸、高质量二维杂化钙钛矿晶体的方法。另一方面，晶体生长溶液中添加油酸或是类油酸类表面修饰剂，表面修饰剂吸附晶体表面进一步限制其二维平面外的生长。该方法能够克服传统溶液法生长二维杂化钙钛矿晶体尺寸较小，气相沉积法生长二维杂化钙钛矿晶体工艺流程繁琐、设备昂贵等诸多缺点。
钙钛矿晶体二维杂化生长油酸晶体生长溶液表面修饰剂空间限制晶体生长区域气相沉积法衬底表面传统溶液二维平面方法使用晶体表面生长溶液工艺流程垂直面衬底灌充吸附

[实用新型]直拉硅单晶检测用测量道的制作装置-CN201120247003.7有效
发明人：赵娟 -专利权人：西安华晶电子技术股份有限公司
申请日： 2011-07-13 - 公布日： 2012-02-15 - 主分类号： B24B23/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种直拉硅单晶检测用测量道的制作装置，包括水平固定在工作平台上且用于固定被检测硅单晶的U形槽和与U形槽相配合使用且在被检测硅单晶的晶体表面打磨测量道的打磨工具，被检测硅单晶为采用直拉法生产的单晶硅棒材固定安装在传动轴前端部的角磨片、固定安装在传动轴后部的手持式把手和安装在手持式把手内且带动传动轴进行连续转动的电动驱动机构，传动轴与电动驱动机构之间通过传动机构进行传动连接，角磨片为在传动轴带动下在被检测硅单晶的晶体表面打磨测量道的磨头本实用新型结构简单、设计合理、使用操作简便且使用效果好，硅单晶晶体表面测量道的制作过程易控，并且不会对外界环境造成任何污染。
直拉硅单晶检测测量制作装置

[发明专利]一种表征KDP晶体表面缺陷微铣削修复过程切削模式的方法-CN202310611461.1在审
发明人：程健;雷鸿钦;张紫晓;陈继祥;陈广;陈明君;赵林杰;王景贺;丁雯钰 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2023-05-29 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G06F30/17 文献下载
摘要：本发明一种表征KDP晶体表面缺陷微铣削修复过程切削模式的方法，涉及光学元件加工技术领域，为解决现有方法将工件材料的表面假设为无缺陷表面，尚未建立考虑微缺陷存在的球头微铣削切削比能三维模型的问题。包括如下步骤：步骤一、选择修复工艺参数，测量晶体表面缺陷深度；步骤二、建立球头微铣削平均切削面积的三维计算模型；步骤三、采集表面缺陷微铣削修复过程中切削力；步骤四、构建球头微铣削修复过程的切削比能模型；本发明为实际修复过程中表面质量的改善、尺寸效应的控制及工艺参数的优选提供参考，以进一步提高KDP晶体元件的修复表面质量。
一种表征 kdp 晶体表面缺陷铣削修复过程切削模式方法

[发明专利]一种光固化增材制造用银粉、银浆料以及银粉的制备方法-CN202310248804.2在审
发明人：张超;李中玺;雷奔张申;郑威;孙浩 -专利权人：西安汇创贵金属新材料研究院有限公司
申请日： 2023-03-15 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： B22F1/065 文献下载
摘要：该银粉包括：银粉的晶粒尺寸大于50纳米，银粉的晶体形貌为类球形多面体，银粉的晶体表面为光滑的结晶面。这种银粉由于粒径较大、且银粉的晶体形貌为类球形多面体，晶体表面较光滑，因此，这种银粉可以有效降低对紫外光的吸收。
一种光固化制造银粉浆料以及制备方法

[发明专利]一种ERI构型的磷铝分子筛膜及其制备方法和应用-CN201610573999.8有效
发明人：周俊静;李莎莎 -专利权人：南京方膜高科技有限公司
申请日： 2016-07-19 - 公布日： 2018-09-14 - 主分类号： C01B39/54 文献下载
摘要：本发明公开了一种高CO2分离性能的ERI构型磷铝分子筛膜，包括多孔支撑体，其特征在于，所述的多孔支撑体表面覆盖SAPO‑17或AlPO‑17沸石分子筛晶体形成的膜。所述的ERI构型磷铝分子筛膜的制备，采用纳米T型分子筛作为晶态硅源，诱导合成出高结晶度的亚微米SAPO‑17分子筛晶体，并且以此晶体作为晶种，采用二次水热法在多孔支撑体表面合成出致密的ERI构型AlPO所述的分子筛膜晶体大小均匀，生长紧密，膜厚度均匀，结晶度高，覆盖完全，具有较高的二氧化碳分离性能，适合于天然气和烟道气中分离二氧化碳气体。
一种 eri 构型分子筛及其制备方法应用

[发明专利]一种自抗菌银纳米粒子与纤维素纳米晶体复合滤膜的制备方法及其应用-CN202110280552.2有效
发明人：常春雨;彭昆 -专利权人：武汉大学
申请日： 2021-03-16 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： B01D71/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种自抗菌银纳米粒子/纤维素纳米晶体复合滤膜的制备方法，先将硝酸银溶液与纤维素纳米晶水分散液混合均匀，将所得混合溶液在80℃～150℃，47kPa～475k Pa压力下进行水热反应，得到银纳米粒子负载的纤维素纳米晶水分散液，利用所得银纳米粒子负载的纤维素纳米晶水分散液通过真空辅助过滤直接成膜，得到自抗菌银纳米粒子/纤维素纳米晶体复合滤膜。本发明无需任何添加剂，通过水热还原法在纤维素纳米晶体表面原位合成银纳米粒子，有效提高了银纳米粒子在纤维素纳米晶体表面的分散性能，使所得滤膜具有抗菌性能的同时还不影响材料本身的浸润性。
一种抗菌纳米粒子纤维素晶体复合滤膜制备方法及其应用

[发明专利]一种制备周期极化KTiOPO4平面波导的方法-CN201510006340.X有效
发明人：王亮玲;崔晓军 -专利权人：济南大学
申请日： 2015-01-07 - 公布日： 2018-05-01 - 主分类号： G02B6/13 文献下载
摘要：本发明涉及周期极化波导制备技术领域，特别涉及一种制备周期极化KTiOPO4平面波导的方法采用离子注入的方法，在KTiOPO4晶体内形成晶格损伤层；在KTiOPO4晶体表面形成周期性光刻胶图形，在光刻基础上镀金属膜，清洗掉光刻胶，在KTiOPO4晶体表面形成周期性结构的金属膜；将KTiOPO4晶体进行离子交换，使表面不含有金属膜部分充分交换，并使交换区域的铁电畴发生反转，含有金属膜部分保持原有特性，清洗掉金属膜后获得周期极化
一种制备周期极化 ktiopo4 平面波导方法

[发明专利]一种含有二氧化硅纳米晶体的精细功能陶瓷及其制备方法-CN202010445252.0有效
发明人：林贵基;林宝明;罗桂 -专利权人：福建华夏金刚科技股份有限公司
申请日： 2020-05-24 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： C04B35/488 文献下载
摘要：本发明涉及陶瓷材料领域，特别是指一种含有二氧化硅纳米晶体的精细功能陶瓷及其制备方法。该精细功能陶瓷包括有如下重量份的组分，二氧化硅纳米晶体粉末8～10份；钛酸钡25～30份；氢氧化铝8～12份；二氧化锆45～55份；碳化硅10～18份；六甲基二硅氮烷4～8份；浓氨水2～5份；去离子水12其中二氧化硅纳米晶体表面通过六甲基二硅氮烷和浓氨水进行改性，使二氧化硅纳米晶体表面以凹凸不平的原子台阶形式存在，为其表面与其他组分连接提供条件，从而增加精细功能陶瓷整体结构的强度,以使精细功能陶瓷具有更好的结构强度
一种含有二氧化硅纳米晶体精细功能陶瓷及其制备方法

[发明专利]研磨浆料、制备研磨浆料的方法、氮化物晶体材料以及氮化物晶体材料的表面研磨方法-CN200880000166.6无效
发明人：川端计博;中山茂吉;石桥惠二 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2008-02-13 - 公布日： 2009-09-23 - 主分类号： B24B37/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于氮化物晶体表面研磨的浆料。所述研磨浆料包括氧化物磨粒，选自阴离子性有机分散剂和无机分散剂的至少一种分散剂，以及氧化剂。所述研磨浆料具有小于7的pH值。所述浆料有效地研磨氮化物晶体的表面。
研磨浆料制备方法氮化物晶体材料以及表面

[发明专利]一种消除晶体体发热的KGW晶体制备方法及得到的晶体-CN202211298925.X在审
发明人：周玉兰;陈伟;陈秋华;陈养国;陈周烨;张杨 -专利权人：福建福晶科技股份有限公司
申请日： 2022-10-24 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：一种消除晶体体发热的KGW晶体制备方法及得到的晶体，所述方法为采用三氧化钨、氧化钆和碳酸钾为原料，按比例配制并充分研磨混合，梯度高温预烧后，制备晶体生长多晶料，将晶体生长多晶料加热熔化，再用搅拌器搅拌完全均匀，采用顶部籽晶熔体法晶体生长工艺，在熔体表面或熔体中进行晶体生长。用以上方法进行原材料预处理和晶体生长来达到了消除KGW晶体在应用中体发热的效应，极大提高了产品品质，稳定晶体器件的性能。
一种消除晶体发热 kgw 制备方法得到

[发明专利]基于人眼剩余调节力的大焦深人工晶体-CN201510292026.2有效
发明人：刘永基;王晓琳;王肇圻 -专利权人：南开大学
申请日： 2015-06-01 - 公布日： 2015-08-19 - 主分类号： G02B3/02 文献下载
摘要：一种基于人眼剩余调节力的大焦深人工晶体。本发明是一种用聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)为材料做成的大焦深人工晶体，可以用于替代老视人眼的自然晶状体，实现老视的矫正。该人工晶体前后表面为双凸非球面且周向对称，屈光度为22D。并且，人工晶体分为光学部和与光学部连接的袢，光学部直径为4.55mm，支撑袢的作用是固定人工晶体。选取0～4D的物距范围，来优化人工晶体表面参数，获得大焦深人工晶体的结构。最后对人工晶体眼的光学性能进行分析，验证人工晶体的大焦深性能。
基于剩余调节焦深人工晶体

[发明专利]单面光学晶体的生长方法-CN200510043605.X无效
发明人：袁刚;黄汉长;王克服;许永久;谭允民;刘训珍;董汉俊;周辉 -专利权人：淄博宇峰实业有限责任公司
申请日： 2005-05-20 - 公布日： 2006-11-22 - 主分类号： C30B7/10 文献下载
摘要：单面光学晶体的生长方法，采用水热法，其特征在于籽晶限制板垫层采用聚四氟乙烯板。利用聚四氟乙烯限制板垫层生长的单面光学晶体表面光滑，外形无局部破裂。彻底解决了单面光学晶体外形的局部破裂问题，提高了光学晶体的加工利用率。同时本发明提供了最佳化的生长参数匹配技术，杜绝了生长的单面光学晶体针裂现象。
单面光学晶体生长方法

[发明专利]通过在含氢气氛中的升华生长减少碳化硅晶体中的氮含量-CN200480021731.9有效
发明人： G·J·小费科;J·R·珍妮;H·M·霍伯谷德;V·F·斯维特科夫;C·H·小卡特 -专利权人：克里公司
申请日： 2004-07-26 - 公布日： 2006-09-06 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明涉及控制碳化硅晶体中的氮含量，具体的，涉及在碳化硅升华生长过程中减少氮的引入。本发明通过在生长腔室中提供完全的氢环境气氛来控制生长的碳化硅晶体中的氮浓度。从效果上，氢原子可以阻碍，减少或者阻滞氮原子在生长晶体表面上的引入。
通过氢气中的升华生长减少碳化硅晶体含量