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[实用新型]一种晶体生长漂浮物捕捉和籽晶保护装置-CN202321076603.0有效
发明人：刘景峰 -专利权人：北京奇峰蓝达光学科技发展有限公司
申请日： 2023-05-08 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本实用新型涉及晶体生长设备技术领域，具体涉及一种晶体生长漂浮物捕捉和籽晶保护装置，包括捕捉器主体和升降机构；捕捉器主体设置在晶体炉内，且设置在坩埚上方；升降机构安装在晶体炉上，与捕捉器主体连接；升降机构用于通过控制捕捉器主体的升降，来控制捕捉器主体对原料熔体表面漂浮物的捕捉。本实用新型通过升降机构以及设置在晶体炉内，并与升降连接的捕捉器主体的设置，对漂浮在坩埚内原料熔体表面的漂浮物进行捕捉；通过对原料熔体表面漂浮物的捕捉，消除了漂浮物对晶体生长过程尤其是引晶阶段的不利影响；通过捕捉器的结构设计，最大限度保护籽晶在生长前期表面不被炉内挥发物污染，提高引晶部位质量，有利于提高晶体生长后的质量。
一种晶体生长漂浮捕捉籽晶保护装置

[发明专利]一种拉伸试样表面云纹光栅的制作方法-CN200910079285.1无效
发明人：蓝鼎;王育人;谢季佳 -专利权人：中国科学院力学研究所
申请日： 2009-03-06 - 公布日： 2009-08-05 - 主分类号： G01N1/28 文献下载
摘要：本发明涉及一种拉伸试样表面云纹光栅的制作方法，步骤为：1.在基体表面上制备一层二维胶体晶体；2.在二维胶体晶体空隙中填充材料，使填充材料与基体表面相接合，并在二维胶体晶体厚度方向使填充材料层表面不超过胶体颗粒球心；3.去除胶体晶体，在基体表面形成由填充材料构成的云纹光栅。其中胶体晶体所使用的胶体颗粒为高分子或无机材料微球，基体材料为金属或无机材料或有机材料。
一种拉伸试样表面光栅制作方法

[发明专利]基于光子晶体表面态的二维光子晶体T型波导-CN201110062131.9有效
发明人：江斌;刘安金;陈微;周文君;郑婉华 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2011-03-15 - 公布日： 2011-06-08 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于光子晶体表面态的二维光子晶体T型波导，包括一个四方晶格光子晶体W1波导，在该光子晶体W1波导的出口端两侧的光子晶体表面具有一排缺陷层四方晶格光子晶体介质柱，并在光子晶体W1波导出口端外侧具有若干排起反射作用的四方晶格光子晶体介质柱，对光子晶体W1波导出口端的最近邻一排的几个四方晶格光子晶体介质柱的大小进行微调，使其与反射层四方晶格光子晶体介质柱一起调节光场分布。利用本发明，可以设计面积约为传统T型波导面积一半的高效率波导，而且波导的传输率高达90.9％，与传统T型波导相比，本发明提供的基于光子晶体表面态的二维光子晶体T型波导另一个优势是入射端的反射率可以非常小
基于光子晶体表面二维波导

[实用新型]一种LBO晶体生长用的装置-CN202120945702.2有效
发明人：王昌运;陈伟;陈秋华 -专利权人：福建福晶科技股份有限公司
申请日： 2021-05-06 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： C30B9/12 文献下载
摘要：本发明公开一种LBO晶体生长用的装置，利用上下层结构，有效防止挥发物掉入晶体表面，腐蚀晶体。
一种 lbo 晶体生长装置

[发明专利]一种基于AFM的KDP晶体表层微纳缺陷检修装置、系统及方法-CN202310603520.0在审
发明人：程健;徐文才;赵林杰;陈广;陈明君;丁雯钰;雷鸿钦 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2023-05-26 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： G01N21/88 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于AFM的KDP晶体表层微纳缺陷检修装置、系统及方法，属于KDP晶体缺陷检修技术领域。为了解决现有KDP晶体在修复时主要采用微机械修复，但会在晶体表面残留修复痕迹，多次修复后会造成损伤；且检测精度有限，无法检测20μm以下缺陷的问题。包括双工位检测装置和AFM装置，利用双工位检测装置进行粗定位和精定位，二者的结合既能实现精准定位又能提高检测速度；利用AFM装置进行修复，相对于微机械修复来说，不会对KDP晶体表面造成机械损伤，可进行重复多次的修复
一种基于 afm kdp 晶体表层缺陷检修装置系统方法

[发明专利]同步辐射单色器晶体热膨胀形变检测方法-CN200510126320.2无效
发明人：袁清习;黄万霞;朱佩平;王寯越;舒航;吴自玉 -专利权人：中国科学院高能物理研究所
申请日： 2005-12-07 - 公布日： 2007-06-13 - 主分类号： G01B21/32 文献下载
摘要：同步辐射单色器晶体热膨胀形变检测方法，根据单色器晶体受热变形导致晶体反射效率降低和反射光线偏转特性，将晶体反射效率和反射光线偏转角度作为检测信号，利用X射线衍射增强成像方法的信息分离技术，测得热膨胀形变引起的反射效率和反射光线偏转角度变化，根据测得数据求得单色器晶体表热膨胀形变。可检测单色器晶体在同步辐射白光X射线照射下热膨胀形变，也可用同一晶体衍射面的高次布拉格衍射获得不同形变量的最佳检测精度。S1，单色器晶体热膨胀衍射增强成像数据采集；S2，单色器晶体热膨胀的衍射增强成像信息分离；S3，晶体表面热膨胀变形后面形斜率获取；S4，晶体表面热膨胀形变量确定。
同步辐射单色晶体热膨胀形变检测方法

[发明专利]掺铕碘化锶闪烁晶体的防潮保护膜及其制备方法-CN201110459244.2无效
发明人：秦来顺;张烨;史宏声;舒康颖 -专利权人：中国计量学院
申请日： 2011-12-27 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： C30B33/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种掺铕碘化锶闪烁晶体的防潮保护膜及其制备方法。针对掺铕碘化锶闪烁晶体极易潮解的问题，在晶体表面上采用电子束蒸发技术沉积氟化锶薄膜，该薄膜可阻隔工作环境中的水分与晶体表面的接触，提高晶体的抗潮解能力和使用寿命。该技术易控制，适合批量生产。本发明所制备的镀膜的掺铕碘化锶闪烁晶体适用于安检设备、核医学成像和核辐射探测等领域的应用。
碘化闪烁晶体防潮保护膜及其制备方法

[发明专利]氮化物晶体、氮化物晶体衬底、含有外延层的氮化物晶体衬底、半导体器件及其制备方法-CN200610093296.1有效
发明人：石桥惠二;楫登纪子;中畑成二;西浦隆幸 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2006-06-23 - 公布日： 2007-01-17 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：一种氮化物晶体的特征在于，关于氮化物晶体(1)的任意特定平行晶格平面(1d)的平面间距，由|d₁－d₂|/d₂的值表示的所述晶体的表面层(1a)上的均匀畸变等于或低于2.1×10^－3，其中在满足所述特定平行晶格平面(1d)的X－射线衍射条件的同时通过改变X－射线从晶体表面的穿透深度来进行X－射线衍射测量而获得所述平面间距上述构造提供了具有晶体表面层的氮化物晶体，该晶体表面层在不破坏晶体的情况下直接和可靠地被评估，因此它可以以优选方式用作半导体器件的衬底以及上述构造还提供氮化物晶体衬底、含有外延层的氮化物晶体衬底、半导体器件以及制备它们的方法
氮化物晶体衬底含有外延半导体器件及其制备方法

[发明专利]一种用于氮化铝晶体的湿法腐蚀工艺-CN201710998653.7在审
发明人：吴亮;刘理想;贺广东;王智昊;龚加玮;黄嘉丽;雷丹 -专利权人：苏州奥趋光电技术有限公司
申请日： 2017-10-20 - 公布日： 2018-03-23 - 主分类号： C30B33/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于氮化铝晶体的湿法腐蚀工艺，选用熔融NaOH‑KOH低共融混合物作为腐蚀液，可以有效的侵蚀氮化铝晶体的表面，使不同性质的氮化铝晶体表面产生不同特征的形貌；通过对湿法腐蚀温度及湿法腐蚀时间的合理控制，可保证腐蚀过程的平稳；腐蚀前后采用有机溶剂进行清洗，腐蚀后采用浓酸洗去氮化铝晶体表面的熔融碱，使样品表面基本无污染物，避免干扰腐蚀反应及腐蚀后的形貌观察。
一种用于氮化晶体湿法腐蚀工艺

[发明专利]处理Ⅲ族氮化物晶体表面的方法和Ⅲ族氮化物晶体衬底-CN200710100996.3无效
发明人：西浦隆幸;石桥惠二 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2007-05-08 - 公布日： 2007-11-07 - 主分类号： B24B29/00 文献下载
摘要：提供一种处理Ⅲ族氮化物晶体表面的方法，该方法包括步骤：用包含磨粒的抛光浆料抛光Ⅲ族氮化物晶体(1)的表面；其后用抛光液(27)抛光Ⅲ族氮化物晶体(1)的表面至少一次，并且用抛光液(27)抛光的每个步骤都使用碱性抛光液或者酸性抛光液作为抛光液用碱性或者酸性抛光液抛光的步聚允许去除杂质，所述杂质诸如是在用包含磨粒的浆抛光之后残留在Ⅲ族氮化物晶体表面上的磨粒。
处理氮化物晶体表面方法衬底

[实用新型]一种晶体表面打磨机-CN201721821234.8有效
发明人：郑东锋;袁满良 -专利权人：弋阳县聚宏工艺品制造有限公司
申请日： 2017-12-23 - 公布日： 2018-09-04 - 主分类号： B24B19/22 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种晶体表面打磨机，包括工作箱体，所述工作箱体的内壁螺纹连接有调节环，所述调节环的内圈固定连接有安装环，所述安装环的内壁通过轴承固定连接有转轴，所述转轴的一端固定连接有连接板，所述连接板的一侧固定连接有螺纹管该晶体表面打磨机，能够在使用过程中通过水平翻转连接板即可改变上下打磨角度，翻转后通过限位螺栓利用与第一翻转限位螺纹孔和第二翻转限位螺纹孔的连接对其进行限位，方便进行多角度打磨，同时通过限位螺杆与螺纹管的连接，方便对不同大小形状的晶体进行夹紧，提高打磨机的适用性。
打磨机晶体表面连接板螺纹管翻转限位工作箱体内壁螺纹限位螺杆安装环螺纹孔转轴本实用新型多角度打磨内圈固定水平翻转限位螺栓轴承固定夹紧板翻转夹紧螺杆内壁限位打磨

[实用新型]一种石英晶体表面干燥装置-CN201720281646.0有效
发明人：左红;王飞;刘乐;司马威;黄卫龙 -专利权人：湖南英思达电波科技有限公司
申请日： 2017-03-22 - 公布日： 2017-12-15 - 主分类号： F26B11/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种石英晶体表面干燥装置，包括箱体和底座，箱体和底座之间通过支柱连接，所述箱体顶部固定设置有控制盒，所述控制盒内部设置有报警喇叭、定时控显示器、设置按钮、转速旋钮、开关按钮、电源开关和红灯；箱体侧面设置有热风枪，后侧安装传动电机，传动电机的电机轴上设置有圆盘状工件夹，所述工件夹边缘处设置有圆弧形的夹爪，夹爪上可拆卸连接有圆筒状网篮，所述网篮表面设置有网孔。本实用新型可以用于石英晶体表面干燥，可以实现产品在干燥过程中自动旋转，防止产品叠在一起，能够干燥完全。
一种石英晶体表面干燥装置

[实用新型]去除晶体表面氧化物的装置-CN202120418414.1有效
发明人：孟杰;赵静敏;袁泽海;赵邦超;周晓霞;董娓 -专利权人：有研光电新材料有限责任公司
申请日： 2021-02-25 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： B24B27/033 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种去除晶体表面氧化物的装置，该装置包括装置本体、固定件、打磨器组件和控制组件；所述固定件和所述打磨器组件均设置在所述装置本体上，并且通过所述固定件固定待加工样品；所述控制组件连接并驱动所述打磨器组件工作
去除晶体表面氧化物装置

[实用新型]一种石英晶体表面除尘设备-CN202123342673.X有效
发明人：杨道松 -专利权人：郴州慧虹科技有限公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： B08B1/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种石英晶体表面除尘设备，包括工作台和支撑腿，所述工作台底端两侧的两端分别固定连接有一组支撑腿，所述工作台的顶端开设有安装腔，所述工作台底端的两侧分别固定连接有一组安装槽，所述工作台顶端的两侧分别固定连接有一组活动槽该石英晶体表面除尘设备通过在进行除尘之前，将石英晶体固定在工作台的顶端后，拉动插杆使其脱离插孔的内部后，根据石英晶体的大小调节升降板的高度，从而调节辊筒和毛刷的高度，高度合适后，松开插杆在弹簧的推动下，插杆快速插入对应位置的插孔内部，对升降板进行定位，解决的是在进行除尘时无法根据石英晶体的大小调节除尘组件的高度的问题。
一种石英晶体表面除尘设备

[实用新型]梨形蓝宝石晶体表面绘圆工具-CN202221805211.9有效
发明人：徐进;宋亚滨;秦俊 -专利权人：新疆蓝晶新材料科技有限公司;北京远大信达科技有限公司
申请日： 2022-07-07 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： B25H7/04 文献下载
摘要：本公开涉及一种梨形蓝宝石晶体表面绘圆工具，包括环状的外筒和内筒、以及多个沿周向环绕设置在所述外筒和所述内筒之间的插片，所述外筒与所述内筒固定连接，多个所述插片环绕形成环状结构，所述插片包括固定插片和移动插片这样，利用该绘圆工具在梨形蓝宝石晶体表面绘制出的圆形精确性高，能够充分考虑各圆的边界情况，从而使梨形蓝宝石晶体得到充分利用。
蓝宝石晶体表面工具