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[发明专利]晶体材料光吸收系数的测量方法-CN201110254195.9无效
发明人：沈华;朱日宏;李建欣;陈磊;何勇;高志山;王青;张志聪;黄亚 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2011-08-31 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： G01N21/45 文献下载
摘要：本发明涉及光吸收系数测量领域，特别是一种晶体材料光吸收系数的测量方法；抽运激光照射装置起到了热变透镜效应中激励光的作用，通过高功率的抽运光入射到晶体表面，使其产生热形变；干涉仪发射出一个标准平面波其通过被抽运激光作用的晶体表面后，平面反射镜将标准平面波按原路反射回来，这时干涉仪接收到是携带有两次晶体表面形貌信息的波阵面，利用相位解包算法算出因抽运光的照射引起的晶体表面形变量，通过公式算出晶体材料的光吸收系数；本发明设计原理科学
晶体材料光吸收系数测量方法

[发明专利]压电谐振器-CN200480004174.X无效
发明人：特奥多·阿斯托普;简·史密斯;亨利克·安德森 -专利权人：阿塔纳股份公司
申请日： 2004-02-11 - 公布日： 2006-03-22 - 主分类号： G01N11/16 文献下载
摘要：一种用于检测或测量介质中分析物的传感器配置中的压电谐振器，包括具有第一晶体表面和第二晶体表面的石英晶体板。第一晶体表面提供有具有小于15mm²的表面积的第一电极，第二晶体表面提供有第二电极。第一电极可以具有矩形的表面形状。
压电谐振器

[发明专利]激光晶体等离子体辅助刻蚀加工方法-CN201610959658.4有效
发明人：房丰洲;张楠;张效栋;吕鹏 -专利权人：天津大学
申请日： 2016-10-27 - 公布日： 2018-06-12 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种激光晶体等离子体辅助刻蚀加工PaE方法，用于加工倍半氧化物激光晶体表面，包括下列步骤：对倍半氧化物激光晶体毛坯材料进行形貌测量和损伤层厚度测量，以确定材料表面需要去除的深度；根据去除深度，对倍半氧化物激光晶体毛坯材料进行等离子体表面处理，在倍半氧化物中引入H离子，把倍半氧化物转变为氢氧化物；利用无机酸对晶体表面刻蚀加工；对被加工表面进行形貌测试和损伤厚度测试，检测是否达到预期量，并决定是否继续进行表面处理及刻蚀加工，直至被加工表面达到预期加工目标。本发明可以高效、无损伤、高精度地加工的激光晶体元件超光滑表面。
倍半氧化物激光晶体刻蚀加工等离子体辅助加工表面毛坯材料去除等离子体表面处理激光晶体表面超光滑表面厚度测量厚度测试加工目标晶体表面氢氧化物形貌测量形貌测试损伤层无机酸无损伤离子损伤引入检测

[发明专利]一种有机DAST晶体的表面清洗工艺-CN201510414545.1有效
发明人：武聪;孟大磊;庞子博;徐永宽;程红娟 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2015-07-15 - 公布日： 2017-01-25 - 主分类号： B08B3/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机DAST晶体的表面清洗工艺。该清洗工艺流程为1、将DAST晶体置于由按体积比70%～95%乙酸乙酯和5%～30%异丙醇配制的清洗剂中，超声清洗10～30s；2、将DAST晶体置于由按体积比76%～98%无水乙醇和2%～24%四氢呋喃配制的清洗剂中，超声清洗10～30s；3、将DAST晶体置于甲醇溶液中，超声清洗2～8s；4、将清洗干净的DAST晶体在45～55℃条件下，真空干燥15～30min。采用本工艺能够有效地清除DAST晶体表面的杂质，尤其是能彻底清洗DAST晶体表面因吸水而变色的表层，且易挥发，可得到洁净干燥的晶体表面。
一种有机 dast 晶体表面清洗工艺

[发明专利]一种考虑光增强效应的光学晶体表面微缺陷修复方法-CN201810517278.4有效
发明人：程健;陈明君;杨浩;刘启;肖勇;赵林杰;王廷章;刘志超;王健;许乔 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2018-05-25 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：一种考虑光增强效应的光学晶体表面微缺陷修复方法，涉及一种光学晶体表面微缺陷修复方法。本发明为了解决目前还未实现光学晶体表面微缺陷精密微铣削修复工艺定型的问题。本发明首先采用显微镜对光学晶体表面缺陷点形貌和尺寸进行检测，获得表面待修复缺陷点的横向尺寸和纵向尺寸；通过对比待修复缺陷点的横向尺寸与数控轨迹加工可修复临界尺寸的大小决定微缺陷修复方式；然后基于电磁场理论本发明适用于光学晶体表面微缺陷修复。
一种考虑增强效应光学晶体表面缺陷修复方法

[发明专利]一种激光倍频晶体表面立式测量系统及性能表征方法-CN201810499225.4在审
发明人：王辉;张政;李永杰;全旭松;裴国庆;周海;袁晓东 -专利权人：清华大学;中国工程物理研究院激光聚变研究中心
申请日： 2018-05-23 - 公布日： 2018-11-20 - 主分类号： G01B11/30 文献下载
摘要：一种激光倍频晶体表面立式测量系统及性能表征方法，该系统包括高刚度基板、支撑框架、载物板、晶体安装框、高精度激光位移传感器、控制器模块和X、Y、Z向精密电动平移台；通过Y向和X向平移台的交替间续运动，高精度激光位移传感器对倍频晶体通光口径表面进行逐点采样，获取面形信息；在高洁净光学测量环境中进行大口径激光倍频晶体表面性能表征操作时，在完成初始操作后，测量系统可在其控制器模块的控制下自动按特定轨迹完成采样并计算出用来表征倍频晶体表面性能的GRMS值；本发明测量系统可满足大口径激光倍频晶体表面水平姿态测量需求，表征方法科学、简明，适用于高功率惯性约束聚变激光器中倍频晶体面形控制方法研究和现场装配校准测试。
激光倍频晶体倍频晶体高精度激光控制器模块位移传感器表面性能测量系统立式测量性能表征大口径采样惯性约束聚变电动平移台表面水平初始操作光学测量晶体安装面形控制面形信息通光口径校准测试支撑框架姿态测量激光器高刚度高功率载物板基板精密装配洁净研究

[发明专利]一种用于KDP晶体的化学抛光液、制备方法及抛光方法-CN202010704951.2有效
发明人：董会;潘金龙;王英英;叶作彦;王利利;李晓媛;叶敏恒;秦代成;高伟;黄姝珂;王超 -专利权人：中国工程物理研究院机械制造工艺研究所
申请日： 2020-07-21 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于KDP晶体的化学抛光液、制备方法及抛光方法。该抛光液由植物油、有机酸、离子液体、表面活性剂、助表面活性剂组成，是一种新型的完全无水的微乳液。本发明的抛光液，制备方法简单、性质稳定且使用方法简单，能够实现KDP晶体表面的均匀可控去除；本发明的抛光液为完全无固体颗粒的有机溶液，抛光后采用相匹配的有机溶剂对KDP晶体表面进行漂洗即可实现表面的清洁，不会对KDP晶体表面造成二次损伤。基于本发明的新型化学抛光液及其抛光方法，兼具了微乳液高点选择性去除特性和化学抛光无应力加工优点，能够改善KDP晶体表面质量且不引入新的应力损伤。
一种用于 kdp 晶体化学抛光制备方法抛光

[发明专利]一种测量晶体表面结构之间距离的方法-CN201510245731.7有效
发明人：龚学庆;丁攀;卢冠忠;胡培君;王海丰;曹宵鸣;郭杨龙;郭耘;王艳芹;王筠松 -专利权人：华东理工大学
申请日： 2015-05-15 - 公布日： 2019-04-30 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：一种测量晶体表面结构之间距离的方法，其解决了现存的测量方法物理意义不明确和准确度不高的缺陷。本方法根据几何对称性及晶体周期性原理，发明了周期性空间内两点位移的测量方法，先对两个晶体表面结构的空间内对应位置的原子的位移矢量的模进行平方，然后求和，最后再开方求算术平方根，从而得到两个晶体表面结构之间的距离
一种测量晶体表面结构之间距离方法

[实用新型]适用于碱金属盐晶体的表面清理装置-CN202223148592.0有效
发明人：王驰伟 -专利权人：安徽新宸新材料有限公司
申请日： 2022-11-24 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： B08B1/00 文献下载
摘要：本申请提供了一种适用于碱金属盐晶体的表面清理装置，包括底座、罐体、隔板、刷尘组件、吸尘组件和回收结构；其中，罐体具有内腔并连接有盖体；盖体上具有进料部，罐体下表面开设有出料孔。使用时，碱金属盐晶体通过进料部进入上腔室，并通过刷尘组件将晶体表面的部分杂质分离；随后，杂质和晶体一并吸入下腔室，同时通过吸尘组件进一步吸取晶体表面杂质；最后，碱金属盐晶体通过出料孔进入回收结构，完成碱金属盐晶体的清理本申请提供的适用于碱金属盐晶体的表面清理装置，能够自动清理碱金属盐晶体表面杂质，可以有效节约人力，确保碱金属盐晶体的产品质量。
适用于碱金属晶体表面清理装置

[发明专利]一种金属/γ-Graphyne复合模型及γ-Graphyne电子性能的改性方法-CN201910194073.1在审
发明人：陈旭辉;贠江妮;张艳妮;杨芷;孟庆远;余润伟 -专利权人：西北大学
申请日： 2019-03-14 - 公布日： 2019-07-30 - 主分类号： G16C10/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属/γ‑Graphyne复合模型及γ‑Graphyne电子性能的改性方法，采用基于密度泛函理论的第一性原理计算的量子力学模拟软件对金属晶体和γ‑Graphyne分别建立模型，得到6层金属晶体表面单胞模型和γ‑Graphyne单胞模型；选择失配比最小的金属晶体表面超胞和γ‑Graphyne超胞构建6层金属晶体表面/γ‑Graphyne复合模型，并对6层金属晶体表面/γ‑Graphyne复合模型进行结构优化
复合模型金属晶体金属单胞模型改性构建密度泛函理论第一性原理晶格完整性建立模型结构优化理论模型模拟软件器件提供实验制备配比应用

[发明专利]一种碳化硅晶体的退火方法及其退火用的熔液-CN202211635487.1在审
发明人：林栋鸿;张洁 -专利权人：湖南三安半导体有限责任公司
申请日： 2022-12-19 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅晶体的退火方法，包括将待处理碳化硅晶体置于包含元素Si、C的熔液中退火。通过控制退火条件，使晶体内部缺陷运动至表面，利用熔液中的Si、C以及特定金属或金属氧化物辅助进行缺陷的修补，同时，熔液中的Si弥补晶体表面Si元素的升华，能避免碳化硅晶体表面产生新的缺陷。
一种碳化硅晶体退火方法及其

[发明专利]考虑光子晶体表面氧化膜分布的偏振特性数值计算方法-CN201510030651.X有效
发明人：裘俊;冉东方;金荣;赵军明;刘林华 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2015-01-21 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： G01N21/21 文献下载
摘要：考虑光子晶体表面氧化膜分布的偏振特性数值计算方法，本发明涉及偏振特性数值计算方法。本发明为了解决现有的技术未考虑不同位置处膜厚的不均匀性及工作量大、速度慢的问题。具体是按照以下步骤进行的步骤一、在已知光子晶体结构参数的情况下，通过FDTD数值模拟方法，求得光子晶体上方的空间电磁场分布；步骤二、计算辐射偏振特性，用光学椭偏参数表示；步骤三、计算穆勒矩阵元素，建立数据库；步骤四、利用仪器对光子晶体表面的光学椭偏参数进行测量，并计算穆勒矩阵元素，然后与数据库对比，得到对应的光子晶体表面氧化膜厚度及氧化膜分布不同位置。本发明应用于测量光子晶体表面氧化膜领域。
考虑光子晶体表面氧化分布偏振特性数值计算方法

[实用新型]一种强电离辐射环境下的温度测量系统-CN201820693659.3有效
发明人：杨俊亮;张小威;赵越;朱晔;李瑭 -专利权人：中国科学院高能物理研究所
申请日： 2018-05-10 - 公布日： 2018-12-07 - 主分类号： G01K11/00 文献下载
摘要：本系统包括光源、波长选择器、探测器和机械控制测量装置；其中，该波长选择器仅允许经待测晶体表面产生的中心波长为λ的衍射光束输出；所述光源，用于产生入射到待测晶体表面的入射光束；所述机械控制测量装置分别与该波长选择器、待测晶体连接，用于调整该波长选择器的位置，使其接收入射光束经该待测晶体表面产生的中心波长为λ的衍射光束；以及改变该待测晶体与入射光束之间的入射角度；所述探测器，用于测量该波长选择器输入的光束强度。本实用新型既解决了强电离辐射环境下温度测量问题，同时也精确测得了强电离辐射环境下晶体表面的温度值。
波长选择器强电离辐射环境晶体表面温度测量系统本实用新型测量装置机械控制入射光束衍射光束中心波长探测器光源温度测量入射角入射测量输出收入

[发明专利]一种用于晶体生长的反射屏装置-CN201910860775.9有效
发明人：沈伟民;王刚 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2019-09-11 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： C30B15/16 文献下载
摘要：本发明提供一种用于晶体生长的反射屏装置，包括:导流筒，配置为调节熔体和晶体之间的温度；其中，所述导流筒包括第一表面，所述第一表面靠近所述熔体表面；所述导流筒还包括第二表面，所述第二表面靠近所述晶体表面；热辐射通道，所述热辐射通道位于所述第一表面和所述第二表面之间，以将所述第一表面的热量传递到所述第二表面。根据本发明提供的用于晶体生长的反射屏装置，在导流筒的第一表面和第二表面之间设置热辐射通道，以控制熔体表面的热辐射传递到晶体外表面的热通量，从而使固液界面变得较为平坦，且晶体固液界面至其轴向一定高度处的平均温度梯度值在晶体中心和边缘范围内变得相同或相近
一种用于晶体生长反射装置

[发明专利]纳米晶体表面发射激光器-CN202080069836.0在审
发明人：罗龙虎;R·T·拉希德;刘先河;米泽田 -专利权人：密歇根大学董事会
申请日： 2020-10-15 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：全外延的、电注入的表面发射绿色激光器在约520‑560纳米(nm)的范围内工作。
纳米晶体表面发射激光器