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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[实用新型]一种晶体表面清洗装置-CN202320398818.8有效
发明人：徐海洋;肖亚栋;赵杰鑫;解小龙;田光明 -专利权人：苏州芯海半导体科技有限公司
申请日： 2023-03-07 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： B08B3/12 文献下载
摘要：本实用新型涉及晶体清洗技术领域，尤其为一种晶体表面清洗装置，包括超声波清洗箱体，所述超声波清洗箱体的内部下方位置设有清洗篮本体，且超声波清洗箱体的顶端位置卡合安装有组合端盖，所述组合端盖的中部两侧位置均设有限定滑块限定滑块和转向卡块，在实现反向拉伸操作的一组拦网将原本漂浮在清洗篮上方位置的杂质，集中推到清洗篮的两侧位置后，随着组合端盖向外拉出后，一组拦网会同时将拦截到清洗篮两侧位置的杂质捞出，防止工作人员可通过夹具将晶体带出的过程中，露出液面时的晶体出现粘附漂浮杂质的现象的问题发生。
一种晶体表面清洗装置

[发明专利]一种获取超光滑表面低亚表面损伤晶体的方法-CN201310127749.8有效
发明人：朱杰;张志萌;王占山 -专利权人：同济大学
申请日： 2013-04-12 - 公布日： 2013-08-07 - 主分类号： B24B37/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种获取超光滑表面低亚表面损伤晶体的方法，包括以下步骤：(1)使用规格为W1的碳化硼作为磨料在铸铁盘上对晶体进行研磨；(2)使用粒径为1μm的氧化铈抛光液在沥青盘上对晶体进行抛光；(3)将晶体表面浸入有机溶剂中，超声处理30-60秒；(4)使用粒径为100nm的二氧化硅抛光液在聚氨酯抛光垫上对晶体抛光10～15分钟；(5)将晶体置于有机溶剂中超声清洗30-60秒，用高倍显微镜观察晶体表面形貌；(6)若晶体表面仍有划痕
一种获取光滑表面损伤晶体方法

[发明专利]一种碳化硅晶体高温退火处理方法-CN201811621969.5在审
发明人：赵丽霞 -专利权人：河北普兴电子科技股份有限公司
申请日： 2018-12-28 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅晶体高温退火处理方法，属于碳化硅晶体生长结束后处理领域，包括以下步骤：在碳化硅晶体表面制作保护膜；将带有保护膜的碳化硅晶体放入石墨坩埚，高温退火。本发明实施例中的保护膜可以防止晶体在高温下出现蒸发升华，以及在表面产生冷凝的结晶粒，更有效了保护了晶体的完整性，降低了因在晶体表面结晶而产生的局部应力。
碳化硅晶体高温退火保护膜后处理晶体表面局部应力石墨坩埚结晶粒晶体的冷凝放入蒸发升华生长制作

[发明专利]一种TATB晶体表面的包覆方法-CN201711215273.8在审
发明人：蔡贾林;郑保辉;谢虓;祝青;肖春;刘涛 -专利权人：中国工程物理研究院化工材料研究所
申请日： 2017-11-28 - 公布日： 2018-05-04 - 主分类号： C06B25/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种TATB晶体表面的包覆方法，包括以下步骤步骤A配制氟橡胶溶液；步骤B配制键合剂溶液；步骤C配制TATB水悬浮液；步骤D在持续搅拌的条件下将键合剂溶液滴加于TATB悬浮液中，添加完成后过滤烘干，得到表面预处理完成后的TATB晶体颗粒。步骤E将TATB晶体颗粒加入水中配制成TATB水悬浮液，然后加入氟橡胶溶液，过滤得到包覆后的TATB晶体颗粒。步骤F将TATB颗粒加入乙酸丁酯溶剂，过滤得到TATB晶体颗粒，烘干。本发明通过采用键合剂和氟橡胶对TATB晶体表面进行修饰能够有效提高晶体表面的光滑度，提高TATB基炸药的工艺成型性能。
一种 tatb 晶体表面方法

[发明专利]一种二维非范德瓦尔斯晶体及其制备方法-CN202111076688.8有效
发明人：黄青松 -专利权人：四川大学
申请日： 2021-09-14 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： C30B29/68 文献下载
摘要：本发明提供了一种二维非范德瓦尔斯晶体及其制备方法。该非二维非范德瓦尔斯晶体表面具有摩尔超晶格结构，所述摩尔超晶格结构具有由晶体学周期原子排列成六边形或近似六边形组合叠加而成的摩尔超晶格周期图案。本发明首次在二维非范德瓦耳斯晶体材料——二氧化钼表面制备摩尔超晶格结构的制备工艺。在其表面制备出不同扭转扭转错位角度的摩尔超晶格结构。二维非范德瓦尔斯晶体表面具有摩尔超晶格结构；其可以改变二维非范德瓦尔斯晶体表面的润湿性。
一种二维非范德瓦尔晶体及其制备方法

[发明专利]一种光诱导光折变晶体表面微结构的方法-CN200810153618.6无效
发明人：王俊俏;张心正;谭信辉;许京军;吴强;王振华;唐柏权;孙骞;孔勇发 -专利权人：南开大学
申请日： 2008-11-28 - 公布日： 2009-04-22 - 主分类号： G02F1/167 文献下载
摘要：本发明公开了一种光诱导光折变晶体表面微结构的方法，包括步骤：第一步、选用光折变晶体，对其进行非均匀光的照射，在该光折变晶体的表面和内部形成了空间电荷场的空间分布；第二步、通过电泳或介电泳效应，该光折变晶体的表面对微纳颗粒进行吸附，最后在晶体表面形成了与空间电荷场的空间分布有对应关系的微结构。本发明提供了一种光诱导光折变晶体表面微结构的方法，该方法操作简单，不需要使用光刻胶即可以制备出金属微结构，同时也不需要借助高压、高真空等价格昂贵的设备，有利于广泛的推广应用。
一种光诱导折变晶体表面微结构方法

[发明专利]含能晶体表面包覆的方法-CN201610203737.2有效
发明人：巩飞艳;刘小兵;杨志剑;李玉斌 -专利权人：中国工程物理研究院化工材料研究所
申请日： 2016-04-01 - 公布日： 2017-12-05 - 主分类号： C06B21/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种含能晶体表面包覆的方法。本发明利用多巴胺能在弱碱性水溶液条件下发生氧化‑自聚并形成强力黏附于材料表面的聚多巴胺涂层来实现含能晶体表面包覆。它包括以下步骤将Tris溶于水与乙醇体积比为91的混合溶液中，然后滴加盐酸配制成pH值为8.0～10.0的缓冲溶液；然后，将多巴胺溶于缓冲溶液中，配制成浓度为1～5g/L的多巴胺溶液；接着将适量含能晶体加入多巴胺溶液中本发明中含能晶体表面包覆是在水相中完成，绿色安全；尤其是针对不同特性的含能晶体表面，本发明可实现高效包覆。
晶体表面方法

[发明专利]一种碲锌镉晶体表面沉淀物腐蚀坑的识别方法-CN201310100303.6无效
发明人：盛锋锋;杨建荣;孙士文;周昌鹤;虞慧娴;徐超 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2013-03-26 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： G01N21/88 文献下载
摘要：本发明公开了一种碲锌镉晶体表面沉淀物腐蚀坑的识别方法。包括晶体表面预处理、晶体表面清洗、配制腐蚀液并腐蚀晶体表面和观察识别晶体缺陷4个步骤，其特征在于：在观察识别晶体缺陷的步骤中使用常规光学显微镜对碲锌镉晶片表面的腐蚀坑进行观察，在1000倍率视场下，腐蚀坑底表面粗糙并因此在显微镜下成黑色的三角形本发明的特点在于：能直接在碲锌镉材料表面识别各种沉淀物腐蚀坑，便于研究和快速检测沉淀物。
一种碲锌镉晶体表面沉淀物腐蚀识别方法

[发明专利]一种三硼酸锂晶体高激光损伤阈值增透膜的制备方法-CN201610908397.3有效
发明人：张锦龙;卜笑庆;焦宏飞;程鑫彬;王占山 -专利权人：同济大学
申请日： 2016-10-10 - 公布日： 2018-07-06 - 主分类号： C23C14/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种非线性晶体三硼酸锂晶体表面高激光损伤阈值增透膜的制备方法。针对LBO晶体各向异性强及增透膜的损伤机理，该方法的步骤包括LBO晶体表面采用IAD工艺镀SiO2膜、在LBO晶体表面IAD工艺镀制的薄膜上采用溶胶‑凝胶法进行镀膜。
增透膜制备三硼酸锂晶体激光损伤损伤薄膜制备工艺非线性晶体高功率激光工艺重复性环境稳定性薄膜领域光学特性基板加工可控性凝胶法镀膜镀制薄膜清洗兼容应用

[发明专利]易潮解晶体表面相位结构的磁流变制备方法-CN201711482911.2有效
发明人：石峰;林之凡;戴一帆;彭小强;胡皓;宋辞 -专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2019-09-17 - 主分类号： B24B1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种易潮解晶体表面相位结构的磁流变制备方法，该方法包括以下步骤：(1)配置非水基磁流变液，确定非水基磁流变抛光装置工艺参数，运行抛光装置；(2)待加工的易潮解晶体透射波前误差修整；(3)利用非水基磁流变工艺刻蚀表面相位结构；(4)将加工面形与预设面形进行面形匹配，得到精确的面形误差，再进行修整，最终完成表面相位结构的加工。本发明的制备方法能够制备出高精度、低缺陷的易潮解晶体表面相位结构，有效解决了易潮解晶体表面相位结构加工的难题。
相位结构易潮解晶体制备磁流变非水基面形加工修整磁流变抛光装置磁流变液刻蚀表面面形误差抛光装置有效解决低缺陷透射波预设匹配配置

[发明专利]一种易潮解KDP功能晶体局部凹凸表面的等材修平方法-CN202011271636.1在审
发明人：程健;程旭盟;彭恩鸿;王景贺;陈明君;赵林杰;杨浩;刘启;谭超;武文强 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2020-11-13 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： C30B33/00 文献下载
摘要：一种易潮解KDP功能晶体局部凹凸表面的等材修平方法，属于工程光学领域，用以解决由于现有表面微机械处理方法的局限性而导致的不能实现KDP功能晶体局部凹凸表面的平整化处理的问题。该方法的技术要点在于基于KDP晶体材料的易潮解特性，不增加或减少晶体材料，通过控制晶体元件加工环境的湿度，使晶体处于高湿度环境下，在微探针与KDP晶体表面形成水半月板，利用水溶剂的介入作用，对晶体表面局部凹凸形貌进行等材修平以实现晶体元件表面局部凹凸形貌的平整化处理
一种潮解 kdp 功能晶体局部凹凸表面平方

[发明专利]用于YAG晶体抛光的凝胶-CN201310030392.1无效
发明人：万文;万黎明 -专利权人：安徽环巢光电科技有限公司
申请日： 2013-01-25 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： C09J1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于YAG晶体抛光的凝胶，以重量百分比计，包括石膏粉40%-60%、滑石粉10%-15%、漆片10%-30%、水10%-20%。还包括乙醇5%-10%、松香5%-10%。本发明的优点在于，能够将YAG晶体粘附在抛光盘上，粘固强度较佳，YAG晶体不易发生位置偏移，同时凝胶在固化过程中不易使得YAG晶体表面的应力发生改变，避免了晶体表面受力不均匀而发生的晶体断裂现象。
用于 yag 晶体抛光凝胶

[发明专利]一种碲锌镉晶体表面的钝化方法-CN201410088904.4有效
发明人：任平;范培俊 -专利权人：上海电力学院
申请日： 2014-03-12 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种碲锌镉晶体表面的钝化方法，即首先配制钝化液即按质量比计算，即硫脲：去离子水为9：100的硫脲的水溶液，然后将已经做好电极的碲锌镉晶片放入钝化液中进行钝化11-19min后，立即用大量去离子水清洗3-5次，接着用无水乙醇清洗1次，最后用洗耳球吹干，即完成碲锌镉晶体表面的钝化。本发明的一种碲锌镉晶体表面的钝化方法，钝化工艺简单、处理成本低，有效降低碲锌镉晶体的表面漏电流。
一种碲锌镉晶体表面钝化方法

[发明专利]一种碲锌镉晶体表面磨抛装置-CN201910981894.X有效
发明人：徐强强;李振兴;侯晓敏 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2019-10-16 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： B24B21/02 文献下载
摘要：本发明提出了一种碲锌镉晶体表面磨抛装置，用以解决软脆碲锌镉晶锭表面磨抛过程中手动研磨效率低下的问题。碲锌镉晶体表面磨抛装置，包括机架、垂直及水平传动机构、晶体夹持与旋转机构和砂带旋转加工机构，垂直及水平传动机构和晶体夹持与旋转机构固定于机架上，砂带旋转加工机构通过支撑架固定于垂直及水平传动机构上，其中：晶体夹持与旋转机构，用于夹持待加工晶体，并在第一电机的控制下带动待加工晶体按照设定的速度旋转；垂直及水平传动机构，用于控制砂带旋转加工机构在水平方面和垂直方向的移动；砂带旋转加工机构，用于在垂直及水平传动机构控制下靠近待加工晶体，并在第二电机的控制下旋转，对待加工晶体表面进行磨抛。
一种碲锌镉晶体表面装置

[发明专利]KDP晶体的清洗方法-CN201810258804.X有效
发明人：邓雪然;杨伟;雷向阳;张清华;惠浩浩;马红菊;张剑锋;王梓龙;张帅;苏文虎;张利平;王健;许乔 -专利权人：中国工程物理研究院激光聚变研究中心
申请日： 2018-03-27 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： B08B3/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种KDP晶体的清洗方法，包括以下步骤：惰性气体保护下，将KDP晶体浸入清洗液中静置1.5‑2.5h，然后依次采用频率为35‑45kHz、90‑110kHz和170‑190kHz的超声波对其进行清洗采用本发明的清洗方法清洗KDP晶体表面，可有效去除KDP晶体表面的污染物，经过本发明清洗方法清洗后的KDP晶体表面光滑洁净，不会产生断裂性划痕。
kdp 晶体清洗方法

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