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[发明专利]用于消除光学晶体超精密加工亚表面损伤检测样品安装误差的方法-CN201711009854.6有效
发明人：张勇;梁斌;侯宁;胡旷南 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2017-10-25 - 公布日： 2020-04-24 - 主分类号： G01N23/207 文献下载
摘要：用于消除光学晶体超精密加工亚表面损伤检测样品安装误差的方法，本发明涉及用于消除光学晶体亚表面损伤检测样品安装误差的方法。本发明为了解决光学晶体超精密加工亚表面损伤无损检测中存在样品安装误差问题。本发明包括：一：安装被检测光学晶体；二：调整X射线源初始位置；三：使X射线与被检测光学晶体表面之间形成实际入射角ω′并固定；四：进行检测；五：得到不同实际入射角ω′条件下X射线与检测表面和亚表面晶体结构发生衍射的特征谱线信息；六：计算样品安装角度误差δ；七：根据得到的δ修正实际入射角ω′，消除光学晶体超精密加工亚表面损伤检测过程中由于样品安装造成的误差。本发明用于光学晶体表面损伤检测领域。
用于消除光学晶体精密加工表面损伤检测样品安装误差方法

[发明专利]一种以二氧化硅矿石为原料的集成电路用晶片检测设备-CN201911311738.9有效
发明人：陈家辉 -专利权人：深圳市凯新达电子有限公司
申请日： 2019-12-18 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及晶片检测技术领域，且公开了一种以二氧化硅矿石为原料的集成电路用晶片检测设备，包括传送带，所述传送带的表面固定连接有支撑架，支撑架的表面固定连接有镜头，支撑架的内部活动连接有扇叶，扇叶的表面固定连接有转轴气流从阻隔块表面喷出，并吹动在传送带表面的晶体上，因晶体的面积大于检测机构之间的距离，所以晶体表面会均匀受到气流的支撑力，而处于支撑架上部检测机构也喷出同样均匀度的气流，晶体从而不再与传送带接触，上下两侧的检测镜头照射在晶体表面，从而达到了不接触晶体表面便可进行检测的效果。
一种二氧化硅矿石原料集成电路晶片检测设备

[发明专利]一种波长调控的石墨烯超表面光子晶体表面波光学器件-CN202211038357.X在审
发明人：孔维敬;尹荣国;刘沁雨 -专利权人：天津职业技术师范大学（中国职业培训指导教师进修中心）
申请日： 2022-08-29 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明公开了一种实现波长调控的石墨烯超表面光子晶体表面波光学器件，其横截面包括包覆层、石墨烯超表面以及多层膜结构元件。通过调节包覆层或其中某层结构的折射率或厚度，以特定角度输入光入射到光学器件表面，将显著增强的光场限制在石墨烯超表面，增强石墨烯与光的相互作用，利用超表面微纳结构来控制光子晶体表面波光场的传输和空间分布，调制振幅、相位和频率响应，实现频率选择以及波长调控效应，从而获得传感灵敏度显著提高的光子晶体表面波效应。所提光学器件对于实现光子晶体表面波在其潜在应用领域主要包括光通信中的光开关、光存储等光电器件以及传感领域的光学传感检测等具有十分重要的意义。
一种波长调控石墨表面光子晶体表面波光学器件

[发明专利]晶体处理方法-CN202010914622.0在审
发明人：赵丽丽 -专利权人：深圳第三代半导体研究院
申请日： 2020-09-03 - 公布日： 2021-01-01 - 主分类号： C30B35/00 文献下载
摘要：本发明实施例涉及晶体处理技术领域，公开了一种晶体处理方法。包括：利用超声除去晶体中的颗粒类杂质；采用一级磁化乳化液对晶体进行处理，去除晶体表面的金属杂质；采用二级磁化乳化液对晶体进行处理，去除晶体表面的深度颗粒杂质；在充氮气的条件下，用挥发性溶剂对晶体进行吹扫利用超声波处理、化学侵泡、并中氮气环境下，用挥发性溶剂对所述晶体进行吹扫，制备超洁净籽晶，给籽晶的量产和商业化提供技术支持。
晶体处理方法

[发明专利]一种碳化硅晶体表面台阶宽度的检测方法-CN201610464045.3有效
发明人：朱灿;吕宇君;宋建;刘加朋 -专利权人：山东天岳先进材料科技有限公司
申请日： 2016-06-23 - 公布日： 2018-09-04 - 主分类号： G01B7/02 文献下载
摘要：本发明属于新材料加工技术领域，发明人首次提出采用傅里叶变换来测量晶体平台宽度的概念，以分布图的形式直观得到晶体生长后的平均平台宽度，打破了以往常规的传统人工测量晶体台阶的方法，以及观察范围窄、测量成本高、耗时等弊端，不论是何种晶体类型或是角度，观察范围广，从微观到宏观都能连续可测，可以真实地反映晶体表面台阶情况，是目前最直接有效的检测晶体表面台阶的方法。
一种碳化硅晶体表面台阶宽度检测方法

[发明专利]一种晶体抛光方法-CN201911180847.1在审
发明人：陈琳;张明文;潘永志;龙洪波;陈坚 -专利权人：湖南大合新材料有限公司
申请日： 2019-11-27 - 公布日： 2020-02-25 - 主分类号： B24B29/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶体抛光方法，涉及抛光领域，包括以下步骤，准备好待抛光晶体，对待抛晶体的待抛光面进行抛光处理；将抛光完成的晶体放置于清洗液中，通过超声波对其进行清洗；将清洗后的晶体放置于烘干箱中进行烘干；将烘干后的晶体放置于保温箱中，保存1至2小时后，晶体随保温箱空冷至室温取出；在抛光后，通过超声波进行清洗，避免了在清洗时晶体之间相互碰撞，减少了由于碰撞造成晶体表面缺陷或内部裂纹的可能，同时在晶体清洗后，引入了热处理的方法，主动利用退火处理表面缺陷，从而得到更理想的晶体表面。
一种晶体抛光方法

[发明专利]一种水分解催化剂及其制备方法和应用-CN201610741870.3有效
发明人：潘锋;杨金龙;郑家新;许明;肖荫果;彭浩为;闫朝一;梅宗维;杨卢奕 -专利权人：北京大学深圳研究生院
申请日： 2016-08-26 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： B01J23/78 文献下载
摘要：本申请的水分解催化剂为晶体中含有四面体结构的Li₂MSiO₄、Li₂MTiO₄、Li₂MGeOsub>2MSnO₄或Na₂MP₂O₇中的至少一种，M为过渡金属；催化水分解时，随着Li或Na离子脱出，晶体结构结构转动或重排，使晶体表面两个相邻的过渡金属吸附的羟基或水分子形成短氢键。本申请的催化剂，在催化水解时，晶体表面过渡金属吸附羟基或水分子形成短氢键，降低氢键断裂的势能，用更低能量即可打断O‑H键；并促进质子转移，使晶体表面质子转移更快。本申请的催化剂，在晶体表面形成独特的低能垒双中心催化过程，降低了水分解过电势，提高了催化效率。
一种水分催化剂及其制备方法应用

[发明专利]一种氟化钙晶体表面清洗方法-CN201710070812.7有效
发明人：马彬;王可;张莉;程鑫彬;王占山;江浩;苏静;崔勇 -专利权人：同济大学;上海天粹自动化设备有限公司
申请日： 2017-02-09 - 公布日： 2018-04-13 - 主分类号： B24B1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种氟化钙晶体表面清洗方法，包括以下步骤利用CeO2抛光颗粒在沥青盘上对氟化钙晶体进行低速低压力抛光，氟化钙晶体表面粗糙度<0.5nm时结束抛光；抛光结束后的15分钟内，对氟化钙晶体进行多频超声‑兆声复合频率清洗；利用磁流变技术对氟化钙晶体进行磁流变刻蚀；对刻蚀后的氟化钙晶体进行多频超声‑兆声复合频率清洗；利用SiO2胶体在聚氨酯抛光垫上对氟化钙晶体进行低速低压力的二次抛光，氟化钙晶体表面粗糙度<0.2nm时结束抛光，所述SiO2胶体的粒径小于CeO2抛光颗粒的粒径；对二次抛光后的氟化钙晶体进行多频超声‑兆声复合频率清洗。
一种氟化钙晶体表面清洗方法

[发明专利]基于超声雾化水汽的KDP晶体微纳潮解超精密抛光方法-CN201210111555.4有效
发明人：郭东明;高航;王旭;康仁科;张和平 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2012-04-16 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： B24B1/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于超声雾化水汽的KDP晶体微纳潮解超精密抛光方法。其特征是，先利用超声产生水雾，与洁净干燥气体混合成为洁净水雾气体；在抛光头压在晶体表面上，通洁净水雾气体，晶体表面接触到潮湿气体部分微量水解，形成一层溶解层；然后将抛光头旋转，抛光垫将高点溶解层去除；真空源将多余潮湿气体吸走；抛光头进行小区域局部抛光，保证抛光在局部区域的均匀性；最后，根据由材料去除率函数R(r，θ)和各点去除量H(x，y)求得的驻留时间函数，抛光工具在计算机控制下抛光，实现晶体表面全局平坦化。本方法不使用传统意义上的抛光液，无需在抛光结束后对晶体表面进行清洗；加工过程中无机械加工应力，是一种真正意义上的无损伤微纳加工方法。
基于超声雾化水汽 kdp 晶体潮解精密抛光方法

[实用新型]具有改光晶体面的菲涅尔光学透镜灯具-CN202320619859.5有效
发明人：吕海华 -专利权人：中山市佐登照明电器有限公司
申请日： 2023-03-24 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： F21V5/04 文献下载
摘要：一种具有改光晶体面的菲涅尔光学透镜灯具，它包括:透光条，其具有形成内侧的菲涅尔入光内弧面以及外侧的改光晶体表面；灯管体，其为LED灯条的安装提供的嵌槽；集光槽，其对接于所述LED灯条且位于灯管体的内腔；所述集光槽供LED灯条发光在其内反射而向所述菲涅尔入光内弧面输送，经过透光条折射而从改光晶体表面输出。集增亮和防眩为一体，通过菲涅尔入光内弧面透镜使光线震荡折射改变方向集光再从改光晶体表面散光输出(形成10‑90度多种光束角)，改光晶体表面有效增加出光率增强亮度的同时防眩；结构简单、制作成本低且用户体验好
具有晶体菲涅尔光学透镜灯具

[发明专利]一种高速单晶生长装置及方法-CN201610037736.5有效
发明人：刘立军;丁俊岭;赵文翰 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2016-01-20 - 公布日： 2018-10-30 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种高速单晶生长装置及方法，主要涉及一种晶体冷却方式和输送反应物进行化学反应的反应筒。该反应筒采用耐高温材料，由进气筒和排气筒组成。进气筒开设有通道，通入参与反应的反应物和保护气体。反应物经由进气筒后，喷射到生长中的高温晶体表面，发生化学反应吸热，快速移除晶体表面的热量。排气筒用于将反应不完全的反应物以及反应产物气体排出炉体。进气筒和排气筒连为一个整体，固定在炉壁上。本发明首次将化学吸热反应应用于晶体生长中的强化冷却，能够快速移除晶体表面的热量，显著提升晶体内部的轴向温度梯度，从而提高晶体的生长速度。
一种高速生长装置方法

[实用新型]一种沟槽阵列晶体管结构-CN202021130563.X有效
发明人：王以凯 -专利权人：无锡芯硅科技有限公司
申请日： 2020-06-17 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： H01L23/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种沟槽阵列晶体管结构，包括晶体管主体、引脚和支撑组件，所述引脚阵列安装在晶体管主体上下表面，两个所述支撑组件相对安装在晶体管主体两侧，所述支撑组件包括卡板、支撑块和压紧螺杆，“U”型的所述卡板套设在晶体管主体侧面，且内表面固定有与晶体管主体表面接触的填充层，所述支撑块固定在卡板后表面，且可与安装面接触，所述压紧螺杆垂直安装在卡板前表面，且可对晶体管主体表面挤压接触，所述晶体管主体与安装面留有距离；本实用新型通过设置有支撑组件，既不影响晶体管结构的安装和使用，又可对晶体管主体起到支撑防护作用，让晶体管主体与安装面之间留有距离，提高晶体管散热效率，又避免表面造成磨损。
一种沟槽阵列晶体管结构

[发明专利]一种提高大尺寸钙钛矿晶体表面性能的抛光方法-CN202211504984.8在审
发明人：邵宇川;王虎;张雯清;王致远 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2022-11-28 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： C30B33/10 文献下载
摘要：提供了一种提高钙钛矿单晶表面性能的抛光方法，包括使用新型的抛光液对晶体上下表面进行抛光的同时实现化学钝化。本发明利用化学抛光液在机械抛光钙钛矿单晶表面的同时，钝化表面，达到降低表面粗糙度，减少表面缺陷，提高晶体透过率和电学稳定性的效果。抛光后的晶体表面粗糙度和缺陷明显降低，透过率和电学稳定性有明显提高，因此，本发明提出的改进方法是一种可行的提高晶体表面性能的手段。
一种提高尺寸钙钛矿晶体表面性能抛光方法

[发明专利]一种保持颗粒尺寸不变的纳米晶体表面微观结构调控方法-CN201910915368.3有效
发明人：刘德明;申德振;刘雷 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2019-09-26 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： C30B33/00 文献下载
摘要：一种保持颗粒尺寸不变的纳米晶体表面微观结构调控方法，属于纳米晶体形貌控制领域。本发明包括：选择待处理的纳米晶体样品，确定拟加工成的表面微观结构；根据确定拟加工成的表面微观结构，选择相应的金属离子化合物；将过量的金属离子化合物分散到油酸‑十八烯溶液中；将待处理的纳米晶体样品加入到步骤三所得溶液中进行加热熟化处理，得到拟加工成的表面微观结构。本发明利用含有过量的碱金属离子的油酸‑十八烯溶液对纳米晶体进行加热熟化处理，在不改变纳米晶体尺寸的前提下，实现纳米晶体表面微观结构的精准调控。
一种保持颗粒尺寸不变纳米晶体表面微观结构调控方法

[发明专利]一种离子束弹性域刻蚀提升激光损伤阈值的方法-CN201510660694.6在审
发明人：戴一帆;陈少山;胡皓;石峰;解旭辉;彭小强;周林 -专利权人：中国人民解放军国防科学技术大学
申请日： 2015-10-14 - 公布日： 2016-01-20 - 主分类号： B24B13/00 文献下载
摘要：本发明提供一种离子束弹性域刻蚀提升激光损伤阈值的方法，利用非水基磁流变进行KDP晶体的抛光，对抛光后的晶体表面进行离子束弹性域刻蚀抛光。其能保证清除晶体表面残留的有机醇和铁粉，并能确保在清除铁粉的过程中表面不出现划痕、不破坏表面质量，同时通过弹性域刻蚀去除超精密车削过程中引入的在磁流变抛光没有完全去除的亚表面缺陷，从而有效的提升KDP晶体的抗激光损伤能力
一种离子束弹性刻蚀提升激光损伤阈值方法