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[实用新型]光电二极管-CN202021096025.3有效
发明人：杨彦伟;刘宏亮;李莹;张续朋 -专利权人：芯思杰技术（深圳）股份有限公司
申请日： 2020-06-12 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： H01S5/06 文献下载
摘要：本申请涉及一种光电二极管，该光电二极管包括：光电二极管芯片、半导体温度控制器、驱动电芯片，半导体温度控制器位于光电二极管芯片的一侧，用于将光电二极管芯片调控到目标温度，驱动电芯片用于对目标温度的光电二极管芯片进行加电控制，使目标温度的光电二极管芯片激射出包含对应目标波长的目标激光，目标波长与目标温度相关，目标激光具有频谱宽度。通过本申请的技术方案可以通过调控光电二极管芯片的温度从而使光电二极管芯片激射出不同波长的激光，进而减少了光电二极管芯片与TO器件的使用，减少了安装、组合复杂度，同时节约了成本和工艺周期。
光电二极管

[发明专利]光电二极管-CN202010090938.2在审
发明人： B·罗德里格斯·冈卡尔维斯;A·图尼耶 -专利权人：意法半导体（克洛尔2）公司
申请日： 2020-02-13 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本公开的各实施例涉及光电二极管。光电二极管包括第一掺杂剂类型的第一衬底层和在第一衬底层的顶部上的第二掺杂剂类型的第二衬底层。在包括第一衬底层和第二衬底层的半导体衬底中提供半导体壁。
光电二极管

[发明专利]光电二极管-CN202011475108.8在审
发明人：张怡鸣;廖椿毅;李威龙;蔡坤伟;陈慧钻;布劳恩·尼古拉斯;卢塞拉·路卡;波特纳·蒂姆;莫尔斯·格雷厄姆;蒂瓦纳·普里蒂 -专利权人：天光材料科技股份有限公司
申请日： 2020-12-14 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种如光电(OPV)电池或光电检测器(OPD)的光电二极管，于光敏层与电极之间，包含用于改善电极及/或光敏层功函数的电洞选择层(HSL)，其中HSL包含含氟聚合物与选择性的导电聚合物，且涉及包含此类含氟聚合物及导电聚合物的组合物
光电二极管

[发明专利]光电二极管-CN201310259047.5有效
发明人：张云山 -专利权人：林大伟;张云山
申请日： 2013-06-26 - 公布日： 2013-09-25 - 主分类号： H01L31/103 文献下载
摘要：本发明提供了一种光电二极管，其包括有一第一型基底，而第一型基底内包含一第二型掺杂井与一第二型掺杂区，并形成一隔离层包围第二型掺杂井且与第二型掺杂井并不接触；第二型掺杂区形成于第二型掺杂井内，并且从第二型掺杂井的表面延伸；一保护层，覆盖第一型基底；一接触导体，贯穿保护层，并且包括一接触层与一导电条；该接触层形成于该导电条的一端，接触并连接该第二型掺杂区。与先前技术相比较，本发明光电二极管的隔离区域与第二型掺杂井并不接触，以避免隔离层与主动区域之间界面缺陷所可能导致的暗电流干扰。
光电二极管

[发明专利]光电二极管-CN201210103761.0有效
发明人：朴敬培;金奎植;陈勇完;李光熙;林东晳;林宣晶 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2012-04-10 - 公布日： 2018-08-17 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明提供了光电二极管。根据示例实施例的光电二极管包括阳极、阴极以及在阳极与阴极之间的本征层。
光电二极管

[发明专利]光电二极管-CN201910066828.X有效
发明人：侯孟军 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2019-01-24 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本申请提供一种光电二极管，所述光电二极管包括衬底、形成于所述衬底上的窗口层、形成于所述窗口层上的具有第一导电类型的第一导电层、形成于所述第一导电层上的吸收层、形成于所述吸收层上的具有第一导电类型的组分渐变层、形成于所述组分渐变层上的倍增层及形成于所述倍增层上的具有第二导电类型的第二导电层。
光电二极管

[发明专利]光电二极管-CN200710163351.4无效
发明人：三浦规之 -专利权人：冲电气工业株式会社
申请日： 2007-10-19 - 公布日： 2008-05-21 - 主分类号： H01L31/103 文献下载
摘要：本发明提供一种光电二极管，其能够将紫外线的3个波长区域分开来检测其强度。该光电二极管具有形成在绝缘层上的厚度不同的多个硅半导体层，各种厚度的硅半导体层具有低浓度扩散了P型和N型中的任意一种型的杂质而形成的低浓度扩散层，隔着各个低浓度扩散层，相对配置高浓度扩散P型杂质而形成的
光电二极管

[实用新型]光电二极管-CN201320371466.3有效
发明人：张云山 -专利权人：林大伟;张云山
申请日： 2013-06-26 - 公布日： 2014-01-01 - 主分类号： H01L31/103 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种光电二极管，其包括有一第一型基底，而第一型基底内包含一第二型掺杂井与一第二型掺杂区，并形成一隔离层包围第二型掺杂井且与第二型掺杂井并不接触；第二型掺杂区形成于第二型掺杂井内，并且从第二型掺杂井的表面延伸；一保护层，覆盖第一型基底；一接触导体，贯穿保护层，并且包括一接触层与一导电条；该接触层形成于该导电条的一端，接触并连接该第二型掺杂区。与先前技术相比较，本实用新型光电二极管的隔离区域与第二型掺杂井并不接触，以避免隔离层与主动区域之间界面缺陷所可能导致的暗电流干扰。
光电二极管

[实用新型]光电二极管-CN202020167360.1有效
发明人： B·罗德里格斯·冈卡尔维斯;A·图尼耶 -专利权人：意法半导体（克洛尔2）公司
申请日： 2020-02-13 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本公开的各实施例涉及光电二极管。光电二极管包括第一掺杂剂类型的第一衬底层和在第一衬底层的顶部上的第二掺杂剂类型的第二衬底层。在包括第一衬底层和第二衬底层的半导体衬底中提供半导体壁。
光电二极管

[实用新型]光电二极管-CN202220665731.8有效
发明人： A·齐默;D·格兰斯基;R·A·比安基 -专利权人：意法半导体（克洛尔2）公司
申请日： 2022-03-24 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及光电二极管。光电二极管包括第一导电类型的半导体衬底；外延层，覆盖半导体衬底的顶表面；第一导电类型的基本半球形埋置区域，在半导体衬底中，基本半球形埋置第一区域具有与半导体衬底的顶面共面的顶面；第二导电类型的基本半球形核心，第二导电类型不同于第一导电类型，基本半球形核心被包含在基本半球形埋置第一区域内；以及第二导电类型的另外区域，与基本半球形核心对齐并且延伸穿过外延区域，第二导电类型的另外区域的顶面与外延层的顶面共面。
光电二极管

[实用新型]光电二极管-CN202123420302.9有效
发明人：崔峰敏 -专利权人：傲迪特半导体（南京）有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本实用新型涉及光电二极管，低掺杂的N型硅基上设有高掺杂的P型硅层，形成PN结，所述N型硅基外环设有同掺杂浓度的N型硅环；所述P型硅层、N型硅环上设有氮化硅膜；所述氮化硅膜上开有接触孔，接触孔内沉积阳极金属本实用新型的光电二极管反向击穿电压高、暗电流低，稳定性好，适用于电子书触控板传感器。
光电二极管

[外观设计]光电二极管-CN202030492473.4有效
发明人：宁志辉 -专利权人：广州欧森精密制造有限公司
申请日： 2020-08-26 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： 14-99 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：光电二极管。2.本外观设计产品的用途：用于将光信号转换成电信号。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
光电二极管

[发明专利]光电二极管-CN02824301.3有效
发明人：石桥忠夫;广田幸弘;村本好史 -专利权人： NTT电子株式会社
申请日： 2002-12-03 - 公布日： 2005-03-23 - 主分类号： H01L31/10 文献下载
摘要：一种光电二极管，其光吸收层由层厚为W_D的耗尽的第一半导体光吸收层和层厚为W_A的p型中性的第二半导体光吸收层构成，并且W_A和W_D
光电二极管

[发明专利]光电二极管阵列-CN201680068163.0有效
发明人：罗伯特·艾伦·赫尔米克 -专利权人： AMS有限公司
申请日： 2016-11-22 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L27/144 文献下载
摘要：公开了一种光电二极管阵列，其包括第一光电二极管，第一光电二极管包括第一组空间分离且电互连的光电二极管分段(D1')。第二光电二极管包括第二组空间分离且电互连的光电二极管分段(D2')。第一光电二极管分段群(12)包括来自第一组和/或第二组光电二极管分段的光电二极管分段。来自第一光电二极管分段群的光电二极管分段相对于共同的对称中心以共同的第一距离围绕共同的对称中心(CO)径向布置。第二光电二极管分段群(34)包括来自第一组和/或第二组光电二极管分段的光电二极管分段。来自第二光电二极管分段群的光电二极管分段相对于共同的对称中心以第二共同的距离围绕共同的对称中心径向布置，其中，第一距离不同于第二距离。每个光电二极管具有面积匹配的配对光电二极管，形成匹配的光电二极管对。匹配的配对光电二极管包括一组匹配的空间分离且电互连的光电二极管分段。每个光电二极管分段群包括相应的一组匹配的光电二极管分段。
光电二极管阵列

[发明专利]一种具有面积补偿的光电二极管阵列-CN202211056785.5在审
发明人：梁煜;王熙;张为 -专利权人：天津大学
申请日： 2022-08-30 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有面积补偿的光电二极管阵列，其特征在于，该光电二极管阵列包括多个具有大面积的主光电二极管和多个小面积的补偿光电二极管，每个主光电二极管和同一列的补偿光电二极管构成一个光电二极管组，若干光电二极管组并行排列构成光电二极管阵列，同一组中的每个补偿光电二极管的输出信号通过开关电路与该组中主光电二极管的输出连在一起；不同位置的主光电二极管的面积不同，从中间位置向两侧，主光电二极管的面积依次增大。
一种具有面积补偿光电二极管阵列

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