|
|
钻瓜专利网为您找到相关结果 1171303个，建议您 升级VIP下载更多相关专利
- [发明专利]具有可调节设计窗口的ESD保护器件-CN201110460934.X有效
-
郭锡瑜;李介文;张伊锋
-
台湾积体电路制造股份有限公司
-
2011-12-29
-
2012-07-11
-
H01L27/02
- 本发明提供了一种具有可调节设计窗口的ESD保护器件，包括：静电放电(ESD)器件，所述静电放电(ESD)器件包括：第一高电压阱(HVW)区域，为第一导电类型；第一重掺杂区域，位于所述第一HVW区域上方，为第二导电类型，所述第二导电类型与所述第一导电类型相反；第一掺杂区域，为第一导电类型，接触所述第一掺杂区域和所述第一HVW区域，其中，所述第一掺杂区域处于所述第一重掺杂区域下方，并且处于所述第一HVW区域上方，其中，所述第一掺杂区域的第一杂质浓度高于所述HVW区域的第二杂质浓度，并且低于所述第一重掺杂区域的第三杂质浓度；第二重掺杂区域，位于所述第一HVW区域上方，为第二导电类型；以及第三重掺杂区域，位于所述第一HVW区域上方并且接触所述第一HVW区域，为第一导电类型。
- 具有调节设计窗口esd保护器件
- [发明专利]一种太阳电池-CN201910137325.7在审
-
李华;靳玉鹏
-
泰州隆基乐叶光伏科技有限公司
-
2019-02-25
-
2020-09-01
-
H01L31/068
- 本发明提供了一种太阳电池，包括：p型硅基底；自p型硅基底正面向外依次设置的n型掺杂层、正面钝化减反射膜和正面电极；n型掺杂层包含第一n型掺杂区域和若干第二n型掺杂区域，第二n型掺杂区域的掺杂浓度高于第一n型掺杂区域的掺杂浓度，所述正面电极的负电极细栅线与所述第二n型掺杂区域接触；所述背面电极与所述p型硅基底接触。本发明提供的太阳电池,通过在n型掺杂层设置掺杂浓度较高的第二n型掺杂区域，使得载流子的浓度大为提高，也使得第二n型掺杂区域的电阻率下降，因此增加了电流的收集能力。同时，降低了金属电极和n型掺杂层接触的面积，进而降低了金属电极和半导体接触区域的载流子复合速率，最终提高了电池的效率。
- 一种太阳电池
- [发明专利]衬底掺杂结构及其形成方法-CN201810420939.1有效
-
许文山;方欣欣
-
长江存储科技有限责任公司
-
2018-05-04
-
2020-12-11
-
H01L21/265
- 本发明涉及一种衬底掺杂结构及其形成方法，包括：提供衬底，包括隔离区域和第一掺杂阱区域；在衬底表面形成暴露出所述隔离区域以及所述第一掺杂阱区域的第一图形化掩膜层；以第一图形化掩膜层为掩膜，对衬底进行场注入，在所述隔离区域内以及第一掺杂阱区域内同时形成场掺杂区；以所述第一图形化掩膜层为掩膜，对衬底进行第一掺杂离子注入，在所述隔离区域内以及第一掺杂阱区域内同时形成第一掺杂区；在衬底表面形成暴露出第一掺杂阱区域的第二图形化掩膜层；以第二图形化掩膜层为掩膜，对衬底进行第二离子注入，在第一掺杂阱区域内形成第二掺杂区，第一掺杂区位于所述第二掺杂区内。
- 衬底掺杂结构及其形成方法
|
