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[发明专利]半导体存储器装置和制造半导体存储器装置的方法-CN202111455592.2在审
发明人：文大荣;具滋玟;金奎完;朴奇洙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-12-01 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：一种半导体存储器装置包括：器件隔离图案，其位于衬底上以限定有源区域；字线，其位于衬底中以与有源区域相交；第一掺杂区域，其位于有源区域中并且在字线的第一侧；第二掺杂区域，其位于有源区域中并且在字线的第二侧；位线，其连接到第一掺杂区域并且与字线相交；位线接触件，其将位线连接到第一掺杂区域；着陆焊盘，其位于第二掺杂区域上；以及存储节点接触件，其将着陆焊盘连接到第二掺杂区域，存储节点接触件包括：第一部分，其与第二掺杂区域接触
半导体存储器装置制造方法

[实用新型]一种沟槽型SiCMOSFET用原胞-CN201620773343.6有效
发明人： -专利权人：
申请日： 2016-07-21 - 公布日： 2017-01-11 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种沟槽型SiC MOSFET用原胞，所述原胞的基区的下方及沟槽底部均设置有一个再掺杂区，所述再掺杂区的掺杂类型和所述基区保持一致，和漂移区的掺杂类型相反；基区下方的再掺杂区为B区域，B区域与基区相连；沟槽底部的再掺杂区为C区域，C区域设置在沟槽的正下方；所述再掺杂区的深度比原胞的沟槽深0.2‑1μm。本申请的沟槽型SiC MOSFET用原胞在原胞的基区下方(B区域)和沟槽底部(C区域)分别进行了再掺杂，B和C区域与漂移区形成相反的掺杂类型，在器件处于阻断情况下，在漂移区形成耗尽区，屏蔽沟槽底部的电场
一种沟槽 sicmosfet 用原胞

[实用新型]一种集成结势垒肖特基的MOSFET器件-CN202220118055.2有效
发明人：于霄恬 -专利权人：海科（嘉兴）电力科技有限公司
申请日： 2022-01-17 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：器件包括：外延层，以及外延层的表面排布的复合元胞；复合元胞包括阱区、源极区域以及结势垒肖特基区域；结势垒肖特基区域包括多层第一高掺杂P型区域，以及每层第一高掺杂P型区域之间形成的肖特基区域；阱区与相邻的第一高掺杂P型区域之间形成结型场效应管JFET区域；每个高掺杂P型区域被四个JFET区域环绕；肖特基区域以及JFET区域的离子掺杂浓度大于或等于外延层的离子掺杂浓度，JFET区域的宽度以及每层第一高掺杂P型区域的间距均在相同的预设区间内取值
一种集成结势垒肖特基 mosfet 器件

[发明专利]半导体装置-CN202110021866.0在审
发明人：范妙璇;李培炜;李京桦;李荣伟 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-01-08 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本揭露是关于一种半导体装置，包括掺杂有第一掺杂剂浓度的铅(Pb)的第一及第二源极/漏极(S/D)区域。半导体装置亦包括在第一S/D区域与第二S/D区域之间的通道区域，其中通道区域经掺杂具有第二掺杂剂浓度的铅，第二掺杂剂浓度低于第一掺杂剂浓度。半导体装置进一步包括分别与第一及第二S/D区域接触的第一及第二S/D触点。半导体装置亦包括在通道区域上方的栅电极。
半导体装置

[发明专利]具有金属栅电极的肖特基二极管及其形成方法-CN201210099004.0有效
发明人： P.里斯;D.西普拉克 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2012-04-06 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：在一个实施例中，半导体器件包括设置在基板的第一区域中的第一掺杂区域。具有金属层的第一部分的第一金属电极设置在第一掺杂区域上且接触第一掺杂区域。第二掺杂区域设置在基板的第二区域中。电介质层设置在第二掺杂区域上。具有金属层的第二部分的第二金属电极设置在电介质层上。第二金属电极电容耦合到第二掺杂区域。
具有金属电极肖特基二极管及其形成方法

[发明专利]具有金属栅电极的肖特基二极管及其形成方法-CN201611022019.1有效
发明人： P.里斯;D.西普拉克 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2012-04-06 - 公布日： 2021-01-26 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：在一个实施例中，半导体器件包括设置在基板的第一区域中的第一掺杂区域。具有金属层的第一部分的第一金属电极设置在第一掺杂区域上且接触第一掺杂区域。第二掺杂区域设置在基板的第二区域中。电介质层设置在第二掺杂区域上。具有金属层的第二部分的第二金属电极设置在电介质层上。第二金属电极电容耦合到第二掺杂区域。
具有金属电极肖特基二极管及其形成方法

[发明专利]具有调制掺杂的半导体装置结构及相关的方法-CN201080064033.2无效
发明人： D.C.德里斯科尔;A.查文;A.W.萨克斯勒 -专利权人：克里公司
申请日： 2010-12-15 - 公布日： 2012-10-24 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种半导体装置，其可以包括具有调制掺杂物浓度的掺杂半导体区域。该掺杂半导体区域可以是硅掺杂III族氮化物半导体区域，其中硅的掺杂物浓度在III族氮化物半导体区域内被调制。此外，半导体有源区域可以被构造成响应于通过其中的电信号而产生光。还讨论了相关的方法、装置和结构。
具有调制掺杂半导体装置结构相关方法

[发明专利]包括超晶格和非对称沟道的半导体器件及相关方法-CN202080038793.X在审
发明人：武内英树;R·伯顿;Y-H·杨 -专利权人：阿托梅拉公司
申请日： 2020-04-22 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： H01L29/15 文献下载
摘要：一种半导体器件可以包括基板(61)和在基板中间隔开的第一(62，66)掺杂区域和第二(63)掺杂区域。第一掺杂区域可以大于第二掺杂区域以在它们之间限定非对称沟道。半导体器件还可以包括在第一掺杂区域和第二掺杂区域之间延伸以约束其中的掺杂剂的超晶格(25)。
包括晶格对称沟道半导体器件相关方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN201710457648.5有效
发明人：张海洋;刘盼盼 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2017-06-16 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体器件及其形成方法，其中方法包括：提供衬底，所述衬底上具有若干鳍部；形成初始掺杂区和介质层，初始掺杂区分别位于所述若干鳍部中，初始掺杂区包括底区域和位于底区域上的顶区域，介质层覆盖鳍部、初始掺杂区和衬底；在介质层中形成贯穿介质层的沟槽，所述初始掺杂区位于沟槽底部，且所述沟槽暴露出顶区域；刻蚀去除沟槽底部的顶区域，使底区域形成掺杂区。所述方法提高了沟槽底部不同鳍部中掺杂区顶部表面的形貌一致性，提高了半导体器件的可靠性。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]一种太阳能电池-CN201910137619.X在审
发明人：李华;靳玉鹏 -专利权人：泰州隆基乐叶光伏科技有限公司
申请日： 2019-02-25 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：本发明提供了一种太阳能电池，包括：p型硅基底；自其正面向外依次设置的n型掺杂层、正面钝化减反射膜和正面电极；以及自背面向外设置的背面钝化膜和背面电极；p型硅基底的背面和背面钝化膜之间设置有若干p型掺杂区域，p型掺杂区域的掺杂浓度大于p型硅基底的掺杂浓度；背面电极与p型掺杂区域接触。本发明提供的太阳能电池，通过在p型硅基底背面掺杂浓度较高的p型掺杂区域，使得载流子的浓度大为提高，使得p型掺杂区域的电阻率下降，因此增加了电流的收集能力。同时，可以增加背面电极中含铝电极之间的间距，以减少电极与p型掺杂区域的接触面积，进而降低了金属电极和半导体接触区域的载流子复合速率，最终提高了电池的效率。
一种太阳能电池

[发明专利]蚀刻发光器件的生长层以减小漏电-CN201110329787.2有效
发明人：黄泓文;夏兴国;邱清华 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2011-10-26 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种制造LEDs的方法，该方法在向台面结构上沉积有源层和其余外延层之前，通过为n-掺杂的外延层形成图案和蚀刻来形成n-掺杂层粗糙的表面区域以及临近粗糙的表面区域的台面结构。该方法包括生长LED的外延层，该外延层包括非掺杂层和在生长衬底的晶圆上的n-掺杂层。该方法还包括为n-掺杂层形成图案以形成n-掺杂层的第一区域和临近该第一区域的n-掺杂层的台面区域。该方法进一步包括蚀刻n-掺杂层的第一区域以生成粗糙的表面。该方法进一步包括生长附加的LED外延层，该附加的外延层包括有源层和在n-掺杂层的台面区域上的p-掺杂层。
蚀刻发光器件生长减小漏电

[实用新型]一种太阳能电池-CN201920237110.8有效
发明人：李华;靳玉鹏 -专利权人：泰州隆基乐叶光伏科技有限公司
申请日： 2019-02-25 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种太阳能电池，包括：p型硅基底；自其正面向外依次设置的n型掺杂层、正面钝化减反射膜和正面电极；以及自背面向外设置的背面钝化膜和背面电极；p型硅基底的背面和背面钝化膜之间设置有若干p型掺杂区域，p型掺杂区域的掺杂浓度大于p型硅基底的掺杂浓度；背面电极与p型掺杂区域接触。本实用新型中，通过在p型硅基底背面掺杂浓度较高的p型掺杂区域，使得载流子的浓度大为提高，使得p型掺杂区域的电阻率下降，因此增加了电流的收集能力。同时，可以增加背面电极中含铝电极之间的间距，以减少电极与p型掺杂区域的接触面积，进而降低了金属电极和半导体接触区域的载流子复合速率，最终提高了电池的效率。
背面电极基底背面钝化膜本实用新型掺杂载流子太阳能电池载流子复合含铝电极基底背面减反射膜接触区域金属电极依次设置正面电极电阻率电极钝化半导体背面电池

[发明专利]存储器装置与其制造方法-CN201510432455.5有效
发明人：赖二琨;吴昭谊;林榆瑄;李岱萤 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2015-07-22 - 公布日： 2019-03-12 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：存储器装置包括一基板、一隔离层、一第一掺杂区域、一第二掺杂区域、一金属硅化层以及一金属硅化氧化层。隔离层形成于基板。第一掺杂区域形成于阵列区内的隔离层上。第二掺杂区域形成于第一掺杂区域上。金属硅化层形成于第二掺杂区域上。金属硅化氧化层形成于金属硅化层上。
存储器装置与其制造方法

[发明专利]单向放电管的制作方法-CN201710764626.3有效
发明人：何飞 -专利权人：常州银河世纪微电子股份有限公司
申请日： 2017-08-30 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： H01L21/8222 文献下载
摘要：本发明公开了一种单向放电管的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：一次氧化；一次光刻：在SiO2钝化层上刻掉一部分用于局部掺杂的掺杂区；一次磷掺杂：在上述掺杂区进行淡磷掺杂，形成第三区域；一次硼掺杂：在对上述掺杂区进行淡磷掺杂后，再次对上述掺杂区进行浓硼掺杂，形成第四区域；二次磷掺杂：对硅器件的背面进行大面积浓磷掺杂，形成第一区域，第一区域与第三区域之间的无掺杂的本征硅器件构成第二区域；表面钝化：对硅器件的上表面进行钝化。
单向放电制作方法

[发明专利]具有穿通抑制的先进晶体管-CN201180035830.2有效
发明人： L·希弗伦;P·拉纳德;P·E·格雷戈里;S·R·松库沙莱;W·张;S·E·汤普森 -专利权人：苏沃塔公司
申请日： 2011-06-21 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： G05F1/10 文献下载
摘要：一种具有穿通抑制的先进晶体管，包括具有长度Lg的栅极，掺杂为具有第一掺杂剂浓度的阱，以及定位在所述栅极下方且具有第二掺杂剂浓度的屏蔽区域。所述第二掺杂剂浓度可以大于5×10个掺杂剂原子/cm。至少一个穿通抑制区域设置在所述栅极下方且在所述屏蔽区域与所述阱之间。所述穿通抑制区域具有介于所述第一掺杂剂浓度与所述第二掺杂剂浓度之间的第三掺杂剂浓度。可以将偏置电压施加到所述阱区域以调节所述晶体管的阈值电压。
具有抑制先进晶体管