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[发明专利]半导体装置-CN201611024598.3有效
发明人：金俊德 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-11-18 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置，其包含第一掺杂区域、第二掺杂区域、以及沟道区域。所述第一掺杂区域掺杂有第一类型的掺杂剂。所述第二掺杂区域掺杂有所述第一类型的掺杂剂。所述沟道区域掺杂有第二类型的掺杂剂，其中所述沟道区域经配置以使第一区域具有第一浓度的所述第二类型的掺杂剂并使第二区域具有第二浓度的所述第二类型的掺杂剂，且所述第二浓度高于所述第一浓度。
半导体装置

[发明专利]掺杂单元、掺杂晶片、掺杂方法、电池及制作方法-CN201110095570.X有效
发明人：陈炯;钱锋;洪俊华 -专利权人：上海凯世通半导体有限公司
申请日： 2011-04-15 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了一种掺杂单元包括：一N型基底；形成于该N型基底背面中的P型重掺杂区域以及N型重掺杂区域；形成于该P型重掺杂区域周围的P型轻掺杂区域；其中，该N型重掺杂区域与该P型重掺杂区域以及该N型重掺杂区域与该P型轻掺杂区域互不接触，其中，所述的P型替换为N型时，N型同时替换为P型。本发明公开了一种掺杂晶片、掺杂方法、太阳能电池以及太阳能电池的制作方法。本发明中P型重掺杂区域与N型重掺杂区域之间具有N型基底材料和P型轻掺杂区域作为缓冲层，使得PN结之间不会因为耗尽层太薄而导致被击穿，由此形成的P+/P-/N/N+结构的PN结使得载流子的迁移更均匀，速率更稳定，由此提高了该掺杂晶片的使用寿命。
掺杂单元晶片方法电池制作方法

[发明专利]具有缺陷辅助的硅吸收区域的雪崩光电二极管-CN201280072708.7无效
发明人：黄志宏;查理斯·M·圣托里;马科斯·菲奥伦蒂诺;雷蒙德·G·博索雷 -专利权人：惠普发展公司;有限责任合伙企业
申请日： 2012-07-25 - 公布日： 2014-12-24 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：具有缺陷辅助的硅吸收区域的雪崩光电二极管。一示例包括衬底；位于衬底上的硅层，硅层包括正掺杂区域、负掺杂区域和正掺杂区域与负掺杂区域之间的吸收区域，吸收区域在其晶体结构中包括缺陷；以及与正掺杂区域和负掺杂区域电通信以接收偏置电位的多个接触。
具有缺陷辅助吸收区域雪崩光电二极管

[发明专利]鳍状半导体二极管结构-CN03133232.3有效
发明人：杨育佳;杨富量 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2003-07-17 - 公布日： 2004-09-29 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：该半导体鳍状体位于该半导体基材上方，该半导体鳍状体具有掺杂有第一掺杂物的第一重掺杂区域和掺杂有第二掺杂物的第二重掺杂区域，第一重掺杂区域和第二重掺杂区域分别位于半导体鳍状体的两侧，第一导电件接触该第一重掺杂区域，第二导电件接触该第二重掺杂区域。该第一重掺杂区域和第二重掺杂区域之间还可包括一轻掺杂区域。
半导体二极管结构

[实用新型]鳍状的半导体二极管结构-CN200420084915.7无效
发明人：杨育佳;杨富量 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2004-07-27 - 公布日： 2005-09-14 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：半导体鳍状体位于半导体基材上方，半导体鳍状体具有掺杂有第一掺杂物的第一重掺杂区域与掺杂有第二掺杂物的第二重掺杂区域，第一重掺杂区域与第二重掺杂区域分别位于半导体鳍状体两侧，第一导电件接触于第一重掺杂区域，第二导电件接触于第二重掺杂区域。上述的第一重掺杂区域与第二重掺杂区域之间可更包括有一轻掺杂区域。
半导体二极管结构

[发明专利]飞行时间传感器设备和飞行时间传感器布置-CN202010149430.5在审
发明人： H·菲克 -专利权人：英飞凌科技德累斯顿公司
申请日： 2020-03-04 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：飞行时间传感器设备包括半导体衬底，其包括转换区域，以转换在光生电荷载流子中的电磁信号，并且半导体衬底包括衬底掺杂区域，衬底掺杂区域具有n掺杂类型，其中衬底掺杂区域从半导体衬底的第一主表面区域延伸到半导体衬底中，其中半导体衬底具有与衬底掺杂区域相邻的p掺杂区域，以及其中衬底掺杂区域至少部分地形成半导体衬底中的转换区域；读出节点，被布置在衬底掺杂区域内的半导体衬底中，并且读出节点具有n掺杂类型，其中读出节点配置为读出光生电荷载流子；以及控制电极，其被布置在半导体衬底的衬底掺杂区域中，并且控制电极被布置在衬底掺杂区域中并具有p掺杂类型。
飞行时间传感器设备布置

[发明专利]图像传感器及其形成方法-CN202310146543.3在审
发明人：陈彦瑜;江彦廷;黄百韬;卢泽华;许慈轩;丁世汎;刘人诚;杨敦年 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-02-21 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：衬底包括像素区域。光电探测器位于像素区域中。第一掺杂区域位于像素区域中。第二掺杂区域位于像素区域中。第二掺杂区域垂直位于第一掺杂区域和衬底的第一侧之间。掺杂阱位于衬底中并且横向围绕像素区域。掺杂阱部分位于第二掺杂区域中。第二掺杂区域的部分垂直位于掺杂阱和衬底的第二侧之间。沟槽隔离结构位于半导体衬底中并且横向围绕像素区域。沟槽隔离结构的覆盖区位于掺杂阱的覆盖区内。
图像传感器及其形成方法

[发明专利]掺杂方法、PN结构、太阳能电池的制作方法及太阳能电池-CN201180073540.7有效
发明人：陈炯;洪俊华;钱锋 -专利权人：上海凯世通半导体股份有限公司
申请日： 2011-09-23 - 公布日： 2016-10-26 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：提供了一种掺杂方法，包括：在N型基底（1）的表面中形成N+掺杂区域（2）；在N型基底的表面中形成P+掺杂区域（5）和P型掺杂过渡区域（51），其中，N+掺杂区域和P+掺杂区域互不接触，P型掺杂过渡区域为与P+掺杂区域接触的、且P型离子的掺杂浓度小于P+掺杂区域的区域。该掺杂方法简化了工艺步骤，无需购买光刻机，无需使用多张掩模，不存在掩模校准问题且降低了PN结构和太阳能电池的制作成本。
掺杂方法 pn 结构太阳能电池制作方法

[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法-CN200410031524.3有效
发明人：陈世龙;叶光兆 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2004-03-19 - 公布日： 2005-01-12 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种薄膜晶体管的一多晶硅层包含有一信道区域、一第一掺杂区域以及一第二掺杂区域，其中该第一掺杂区域形成于该信道区域以及该第二掺杂区域之间，且该第一掺杂区域的掺杂浓度小于该第二掺杂区域的掺杂浓度。一栅极层形成于该栅极绝缘层上，且包含有一第一区域以及一第二区域，其中该第一区域的厚度大于该第二区域的厚度。该栅极层的第一区域覆盖该信道区域，该栅极层的第二区域覆盖该第一掺杂区域，以及该栅极层未覆盖该第二掺杂区域。
薄膜晶体管及其制作方法

[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法、显示基板、显示装置-CN201810765416.0有效
发明人：顾鹏飞 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2018-07-12 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：所述方法包括：在衬底基板上形成有源层；对有源层中的预掺杂区域进行受主掺杂，该预掺杂区域包括两个子区域，该两个子区域位于有源层中的沟道区域的两侧；采用轻掺杂漏工艺，对完成受主掺杂的有源层中除该沟道区域之外的区域进行离子掺杂由于受主掺杂可减少预掺杂区域的电子载流子，增高该预掺杂区域的势垒，因此可阻挡后续轻掺杂漏工艺中掺杂的离子向沟道区域扩散，保证了沟道区域的有效长度不受影响，进而保证了制造得到的薄膜晶体管的性能。
沟道区域预掺杂源层薄膜晶体管受主掺杂轻掺杂漏显示基板显示装置制造电子载流子衬底基板离子掺杂有效长度掺杂的势垒离子增高阻挡保证扩散

[发明专利]一种结型场效应晶体管-CN201010251138.0有效
发明人：邢正人;加内特·E·马蒂;奥格杰·米历克 -专利权人：成都芯源系统有限公司
申请日： 2010-08-12 - 公布日： 2011-04-27 - 主分类号： H01L29/808 文献下载
摘要：一种结型场效应晶体管，包括：衬底；具有掺杂梯度的N掺杂区域，包括内部掺杂区域和外部掺杂区域，其中内部掺杂区域的掺杂浓度高于所述外部掺杂区域的掺杂浓度；P型埋层，分布于所述衬底并毗邻外部掺杂区域；以及电阻，耦接至内部掺杂区域和外部掺杂区域。该结型场效应晶体管，还包括：漏极、源极和栅极；耦接至内部掺杂区域并提供所述漏极的漏极欧姆接触；耦接至外部掺杂区域并提供所述源极的源极欧姆接触；耦接至所述衬底并提供所述栅极的栅极欧姆接触。
一种场效应晶体管

[发明专利]具有交替的N掺杂区域和P掺杂区域的单片硅晶圆-CN201480024908.4在审
发明人：让-保罗·加朗代;塞巴斯蒂安·迪布瓦;尼古拉斯·昂雅尔贝;约尔迪·威尔曼;Y·维舍蒂 -专利权人：原子能与替代能源委员会
申请日： 2014-03-06 - 公布日： 2015-12-23 - 主分类号： H01L21/761 文献下载
摘要：本发明涉及一种单片硅晶圆(10)，其在至少一个竖直切割面上具有交替的n掺杂区域(110)和p掺杂区域(120)，所述n掺杂区域和所述p掺杂区域分别在所述晶圆的整个厚度(e)上延伸，其特征在于：所述n掺杂区域(110)和所述p掺杂区域(120)分别在切割面中具有至少1mm的宽度(L₁，L₂)；所述n掺杂区域(110)具有氧热施主浓度，所述氧热施主浓度不同于所述p掺杂区域(120)的氧热施主浓度；以及所述n掺杂区域(110)和所述p掺杂区域由电隔离区域(130)彼此分开。
具有交替掺杂区域单片硅晶圆

[发明专利]一种硅基电光调制器的掺杂结构-CN201810954973.7在审
发明人：陈昌华;仇超;甘甫烷 -专利权人：南通赛勒光电科技有限公司
申请日： 2018-08-21 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： G02F1/025 文献下载
摘要：本发明公开一种硅基电光调制器的掺杂结构，包括脊型波导，包括平板部与位于平板部的中部的条形波导；脊型波导中形成第一掺杂区域、第二掺杂区域、第三掺杂区域及第四掺杂区域；第二掺杂区域越过条形波导的中心与第三掺杂区域的交界处形成PN结掺杂耗尽区，PN结掺杂耗尽区包括依次排列的具有一PN结掺杂周期的圆弧状结构，PN结掺杂耗尽区与第二掺杂区域相通，PN结掺杂耗尽区的掺杂离子与第二掺杂区域的掺杂离子相同。有益效果：在不显著增加PN结电容的情况下，增加PN结耗尽区的宽度，改善PN结掺杂耗尽区与光模场的重叠因子，提高调制器的工艺容差，并且这种掺杂结构工艺简单，与传统工艺兼容，可用于大规模生产，成本较低，具有很高的产业利用价值
掺杂区域掺杂耗尽区硅基电光调制器掺杂离子脊型波导条形波导平板部圆弧状结构传统工艺结构工艺依次排列重叠因子调制器光模场交界处可用容差兼容相通

[实用新型]静电放电装置-CN201620889296.1有效
发明人： T·J·戴维斯 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2016-07-05 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：在一个实施例中，公开了一种静电放电(ESD)装置，包括第一导电类型的半导体衬底；第一导电类型的第一半导体区域；第二导电类型的第一掺杂区域，其中第一掺杂区域和第一半导体区域一起形成齐纳二极管；第二导电类型的第二半导体区域，第二半导体区域设置在第一半导体区域的一部分上以及设置在第一掺杂区域的一部分上，其中第二半导体区域的峰值掺杂浓度小于半导体衬底的峰值掺杂浓度；还包括第一导电类型的第二掺杂区域、第二导电类型的第三掺杂区域，第一导电类型的第四掺杂区域、第一隔离沟槽，其中第一隔离沟槽围绕第二掺杂区域的外周界和第一掺杂区域的至少一部分，并且其中第一隔离沟槽不围绕第三掺杂区域和第四掺杂区域。
静电放电装置

[发明专利]一种太阳能电池及其制造方法-CN201910160007.2有效
发明人：殷涵玉;何胜;黄海燕;陆川 -专利权人：浙江正泰太阳能科技有限公司
申请日： 2019-03-04 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种太阳能电池的制造方法，包括：在硅衬底的表面形成绒面结构，硅衬底正面的电极区包括中心区域和两侧区域；在中心区域的至少部分区域内形成第一重掺杂区、在两侧区域的部分区域内形成第二重掺杂区、在其他区域内形成轻掺杂区，第一重掺杂区的掺杂浓度大于等于第二重掺杂区的掺杂浓度；或者在中心区域的至少部分区域内形成第一重掺杂区，在两侧区域的全部区域内形成第二重掺杂区、在其他区域内形成轻掺杂区，第一重掺杂区的掺杂浓度大于第二重掺杂区的掺杂浓度
一种太阳能电池及其制造方法