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[发明专利]半导体器件和用于形成半导体器件的方法-CN201710546061.1有效
发明人： A·毛德;F·D·普菲尔施;H-J·舒尔策;P·森;A·威尔梅洛斯 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2017-07-06 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：一种半导体器件包括布置在半导体衬底中的二极管结构的阳极掺杂区域。阳极掺杂区域包括第一传导类型。半导体器件还包括包含第二传导类型的第二传导类型接触掺杂区域。第二传导类型接触掺杂区域布置在半导体衬底的表面处，并且在半导体衬底中被阳极掺杂区域包围。阳极掺杂区域包括埋入式非可耗尽部分。埋入式非可耗尽部分的至少部分在半导体衬底中位于第二传导类型接触掺杂区域下方。
半导体器件用于形成方法

[发明专利]一种太阳能电池及其制备方法-CN202010698523.3有效
发明人：张俊兵;刘淑华;尹海鹏 -专利权人：晶澳（扬州）太阳能科技有限公司
申请日： 2020-07-20 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明提供了一种太阳能电池，包括硅基体，所述硅基体的正面包括第一表面，所述第一表面包括掺杂区域和未掺杂区域，所述未掺杂区域分布在掺杂区域的四周边缘区域，所述未掺杂区域的宽度不超过2mm，所述掺杂区域的上表面设置有掺杂层
一种太阳能电池及其制备方法

[实用新型]一种太阳能电池-CN201821219415.8有效
发明人：张俊兵;陈孝业;何自娟 -专利权人：晶澳（扬州）太阳能科技有限公司
申请日： 2018-07-31 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种太阳能电池，包括硅基体，所述硅基体中设有选择性掺杂区域，所述选择性掺杂区域包括掺杂区域和非掺杂区域，所述选择性掺杂区域的表面上设有钝化介质层，所述钝化介质层上设有多晶硅薄膜，在所述多晶硅薄膜上且在与所述掺杂区域对应的位置处设有金属接触电极该电池通过对金属接触下方的硅基体进行选择性的局部掺杂，能够有效地减小金属接触区域对超薄钝化介质层的损伤的难题，能更能够发挥好其电学性能。
钝化介质层选择性掺杂硅基体多晶硅薄膜太阳能电池掺杂区域金属接触电极金属接触区域本实用新型非掺杂区域电学性能金属接触局部掺杂位置处有效地减小损伤电池

[发明专利]半导体静电放电保护元件-CN201510156061.1有效
发明人：黄崇佑;苏冠丞;唐天浩;张秉真 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2015-04-03 - 公布日： 2019-11-19 - 主分类号： H01L23/60 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体静电放电保护元件，包含有一基底、一设置于该基底上的栅极组、分别设置于该栅极组两侧的该基底内的一源极区域与一漏极区域、至少一设置于该漏极区域内的第一掺杂区域、以及至少一设置于该基底内的第二掺杂区域该源极区域与该漏极区域包含有一第一导电型态，而该第一掺杂区域与该第二掺杂区域则包含有一第二导电型态，且该第二导电型态与该第一导电型态互补。该第二掺杂区域与该第一掺杂区域彼此电连接。
半导体静电放电保护元件

[发明专利]光子雪崩二极管及其制造方法-CN202110184356.5在审
发明人： H·菲克 -专利权人：英飞凌科技德累斯顿公司
申请日： 2021-02-10 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：光子雪崩二极管包括：半导体本体，具有第一侧以及与第一侧相对的第二侧；第一导电类型的初级掺杂区域，在半导体本体的第一侧处；与第一导电类型相对的第二导电类型的初级掺杂区域，在半导体本体的第二侧处；第二导电类型的增强区域，在第一导电类型的初级掺杂区域下方并且与第一导电类型的初级掺杂区域邻接，该增强区域与第一导电类型的初级掺杂区域一起形成有源pn结；以及第一导电类型的收集区域，被插入在增强区域与第二导电类型的初级掺杂区域之间，并且被配置为将在收集区域或第二导电类型的初级掺杂区域中产生的光载流子朝向增强区域传输。
光子雪崩二极管及其制造方法

[发明专利]一种高压功率芯片的深结复合终端结构及其制备方法-CN202011292087.6在审
发明人：李学宝;王振硕;马慧远;马浩 -专利权人：华北电力大学;国网北京市电力公司
申请日： 2020-11-18 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种高压功率芯片的深结复合终端结构，所述复合终端结构包括:横向变掺杂区域、结终端延伸区域和SIPOS结构；所述横向变掺杂区域为在多个不同渐变掺杂区窗口的遮掩下注入铝离子，再经高温扩散形成的区域；所述结终端延伸区域设置在所述横向变掺杂区域(VLD)的末端，并与所述横向变掺杂区域呈部分交叠设置，所述结终端延伸区域(JTE)为棚离子在高温下扩散形成的区域；所述SIPOS结构设置在所述横向变掺杂区域和结终端延伸区域的上部本发明将SIPOS结构覆盖于横向变掺杂区域和结终端延伸区域之上来减少终端区的面积，提高其终端效率，降低界面电荷对终端结构击穿电压的影响，达到在存在界面电荷的情况下满足3.3kV等级的耐压要求。
一种高压功率芯片复合终端结构及其制备方法

[实用新型]一种指状交叉背接触太阳电池-CN201821097185.2有效
发明人：李华;李中兰;鲁伟明;靳玉鹏 -专利权人：泰州隆基乐叶光伏科技有限公司
申请日： 2018-07-11 - 公布日： 2019-04-19 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种指状交叉背接触太阳电池电池结构，沿硅基底厚度方向自上而下依次包括：正面钝化及减反射膜、n/p型正面掺杂层、n型硅基底、背面掺杂层、背面钝化膜和电池电极；背面掺杂层由n型掺杂区域和p型掺杂区域组成，n型掺杂区域和p型掺杂区域呈指状交叉形式交错排列；的电池电极包括正电极和负电极，正电极与p型掺杂区域接触，负电极设置在n型掺杂区域接触。
指状交叉掺杂层电池电极背接触负电极正电极背面背面钝化膜本实用新型电池结构电池组件工艺难度减反射膜交错排列漏电流钝化硅基基底电池表现

[发明专利]用于在热扩散掺杂区域中带有激光烧结接触的太阳能电池的设备和方法-CN201080021680.5无效
发明人：大卫·E·卡尔森;邹连城;默里·S·贝内特;乔治·黄 -专利权人： BP北美公司
申请日： 2010-03-18 - 公布日： 2012-04-25 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明涉及用于在热扩散掺杂区域中带有激光烧结接触的太阳能电池的设备和方法。该电池包括掺杂晶片和具有第一导电类型的多个第一高掺杂区域。该电池还包括具有与第一导电类型相反的导电类型的多个第二高掺杂区域和被布置在多个第一高掺杂区域和多个第二高掺杂区域中的每一个的至少一部分之上的钝化层。该电池还包括具有第一导体和第二导体的导体网络和将第一高掺杂区域与第一导体电连接并且将第二高掺杂区域与第二导体电连接的多个接触。
用于扩散掺杂区域带有激光烧结接触太阳能电池设备方法

[发明专利]掺有锑、镓或铋的半导体器件及其制造方法-CN200610006120.8有效
发明人：田尚勋;金桢雨;黄显相;白圣权;崔相武 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-01-16 - 公布日： 2006-09-06 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体存储器件，所述半导体存储期间包括半导体衬底中的第一掺杂剂区域和第二掺杂剂区域，所述第一掺杂剂区域和所述第二掺杂剂区域掺有从包括Sb、Ga和Bi的组中选择的一种。该半导体存储器件包括设置得与所述第一掺杂剂区域和第二掺杂剂区域接触的绝缘层以及设置得与所述绝缘层接触的栅电极层。
掺有锑半导体器件及其制造方法

[发明专利]具有漂移区域和补偿区域的半导体器件-CN201110206325.1有效
发明人： F.希尔勒;A.莫德;J.韦耶斯;A.威尔梅罗特 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2011-07-22 - 公布日： 2012-02-08 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及具有漂移区域和补偿区域的半导体器件。公开了一种形成具有第一掺杂类型的漂移区域和第二掺杂类型的补偿区域的半导体器件的方法以及具有第一掺杂类型的漂移区域和第二掺杂类型的补偿区域的半导体器件。
具有漂移区域补偿半导体器件

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN201610365196.3有效
发明人：周飞 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2016-05-27 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种半导体结构及其制造方法，所述方法包括：提供基底，包括第一深度区域、第二深度区域和第三深度区域；在第二深度区域基底内形成缓冲掺杂离子区；去除第二深度区域和第三深度区域的部分基底，形成衬底和凸出于衬底上的鳍部；在衬底上形成厚度与第二深度区域深度相等的隔离结构，露出于隔离结构的鳍部为鳍部第一区域，未露出部分为鳍部第二区域；在鳍部第二区域内形成离子类型与缓冲掺杂离子区相同的防穿通掺杂离子区，且离子浓度大于缓冲掺杂离子区；形成横跨鳍部的栅极结构；在栅极结构两侧的鳍部第一区域内形成源漏掺杂区。本发明通过使防穿通掺杂离子区的离子浓度介于源漏掺杂区和缓冲掺杂离子区之间，降低源漏掺杂区与衬底之间的结漏电流。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]横向双扩散金属氧化物半导体晶体管的制造方法-CN201010154520.X有效
发明人：游步东 -专利权人：杭州矽力杰半导体技术有限公司;矽力杰公司
申请日： 2010-04-02 - 公布日： 2010-09-01 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：依据本发明实施例的一种制造在基底上具有源极、漏极和栅极区域的LDMOS晶体管的方法，包括，生成P型掩埋层和n型掩埋层区域；在NBL/PBL区域生长外延层；在PBL区域上形成p型掺杂深p-阱区域；在外延层形成一阱区；形成掺杂体区域；在掺杂体区域形成后，形成有源区域和场氧化)区域，并且形成LDMOS晶体管源极区域和漏极区域之间的漏极氧化层；在掺杂体区域形成后，形成临近源极和漏极区域的栅极氧化层，并且在栅极氧化层和部分漏极氧化层上形成栅极；然后形成掺杂漏极区域，以及第一掺杂源极区域和第二掺杂源极区域。
横向扩散金属氧化物半导体晶体管制造方法

[发明专利]一种阱局部高掺的MOS型器件及制备方法-CN201711067953.X有效
发明人：杨同同;柏松;黄润华 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2017-11-03 - 公布日： 2020-02-18 - 主分类号： H01L29/15 文献下载
摘要：本发明公开了一种阱局部高掺的MOS型器件及制备方法，包括衬底，衬底上方为阻挡层，阻挡层上方沟道两侧依次离子注入形成阱区域、多层阱局部高掺区域和源极高掺区域；多层阱局部高掺区域包括第五掺杂区域、第四掺杂区域、第三掺杂区域、第二掺杂区域和第一掺杂区域。本发明的MOS型器件，可以使得器件研发人员在阻断电压和导通损耗之间达到很好的平衡，可以在保证一定阻断能力的前提下，适当增加JFET区域的宽度或提高JFET区域的掺杂浓度，降低JFET区域的电阻，进而降低器件的导通损耗
一种局部 mos 器件制备方法

[发明专利]半导体电路及其制作方法-CN200410101513.8无效
发明人：黄绍璋 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2004-12-22 - 公布日： 2005-11-02 - 主分类号： H01L23/60 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体电路及其制作方法，半导体电路包含有一半导体基材、一半导体元件具有一漏极区域设于半导体基材上，以及一相反型掺杂区域水平设置于漏极区域旁并与漏极区域相接，其中相反型掺杂区域具有与漏极相反的掺质类型，且其掺质浓度高于半导体基材，而相反型掺杂区域及漏极区域则用来形成一p－n接合区域。形成于相反型掺杂区与漏极之间的p－n接合可提供一较低的崩溃电压，因此可强化静电放电防护能力；相反型掺杂区可由传统的布植制程所形成，且可与其它的n型掺杂区同时制作，因此，制作相反型掺杂区将不会需要额外的掩膜与布植步骤；由于相反型掺杂区域可于其它掺杂制程中同时制作，因此可降低制造成本。
半导体电路及其制作方法

[实用新型]半导体电路-CN200420120271.2无效
发明人：黄绍璋 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2004-12-22 - 公布日： 2006-04-26 - 主分类号： H01L23/60 文献下载
摘要：本实用新型提供一种半导体电路，其包含有一半导体基材、一半导体元件具有一漏极区域设于半导体基材上，以及一相反型掺杂区域水平设置于漏极区域旁并与漏极区域相接，其中相反型掺杂区域具有与漏极相反的掺质类型，且其掺质浓度高于半导体基材，而相反型掺杂区域及漏极区域则用来形成一p－n接合区域。形成于相反型掺杂区与漏极之间的p－n接合则可提供一较低的崩溃电压，因此可强化静电放电防护能力；相反型掺杂区可由传统的布植制程所形成，且可与其它的p型掺杂区同时制作，因此，制作相反型掺杂区将不会需要额外的掩膜与布植步骤；由于相反型掺杂区域可于其它掺杂制程中同时制作，因此可降低制造成本。
半导体电路

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