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[实用新型]太阳能电池-CN202222369575.3有效
发明人：请求不公布姓名 -专利权人：三一硅能（株洲）有限公司
申请日： 2022-09-06 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本实用新型涉及光伏技术领域，提供一种太阳能电池，包括：在硅片基底上依次层叠设置的隧穿氧化层、纳米晶硅层和掺杂多晶硅层，掺杂多晶硅层包括重掺杂区域和重掺杂区域以外的轻掺杂区域，重掺杂区域用于设置金属栅线。本实用新型用以解决现有技术中对硅片基底造成损伤，不利于提高电池效率的缺陷，通过设置具有重掺杂区域的掺杂多晶硅层，避免在硅片基底内设置重掺杂区域，减少对硅片基底的损伤，同时提升钝化效果，有利于提高电池效率
太阳能电池

[实用新型]一种集成结势垒肖特基的MOSFET器件-CN202220117141.1有效
发明人：于霄恬 -专利权人：海科（嘉兴）电力科技有限公司
申请日： 2022-01-17 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：器件包括：外延层，以及外延层的表面排布的复合元胞；复合元胞包括阱区、源极区域第一高掺杂P型区域以及结势垒肖特基区域；结势垒肖特基区域包括多层环状高掺杂P型区域，以及每层环状高掺杂P型区域之间形成的肖特基区域；结势垒肖特基区域环绕阱区，源极区域位于阱区内部，源极区域环绕第一高掺杂P型区域；每四个结势垒肖特基区域之间具有一个第二高掺杂P型区域，尺寸为[0μm～20μm]；所述第二高掺杂P型区域的离子掺杂浓度与所述第一高掺杂P型区域的离子掺杂浓度相同。
一种集成结势垒肖特基 mosfet 器件

[发明专利]使用注入和退火方法的太阳能电池-选择性发射极的形成-CN200980128202.1无效
发明人： B·阿迪比;E·S·默尔 -专利权人：因特瓦克公司
申请日： 2009-06-11 - 公布日： 2011-08-10 - 主分类号： H01L31/0368 文献下载
摘要：一种形成太阳能电池的方法，该方法包括：提供具有预先掺杂区域的半导体晶片；执行掺杂物至该半导体晶片中的第一离子注入，以在预先掺杂区域之上形成第一掺杂区域，其中第一离子注入具有浓度比对深度分布；以及执行掺杂物至该半导体晶片中的第二离子注入，以在预先掺杂区域之上形成第二掺杂区域，其中所述第二离子注入具有与第一离子注入的浓度比对深度分布不同的浓度比对深度分布，其中第一掺杂区域和第二掺杂区域中的至少一个区域被配置成在接收到光时生成电子-空穴对
使用注入退火方法太阳能电池选择性发射极形成

[实用新型]背触点－太阳能电池-CN201220694047.9有效
发明人： V·D·米哈伊列奇;G·加尔维亚蒂;A·哈尔姆;K·彼得;R·科佩策克 -专利权人：国际太阳能研究中心康斯坦茨协会
申请日： 2012-12-14 - 公布日： 2013-07-17 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本实用新型涉及背触点－太阳能电池（100），它具有单晶质硅基底、p型掺杂的硅基底或n型掺杂的硅基底（101）和设置在所述硅基底（101）的背面（R）上的p型掺杂区域（602），该p型掺杂区域被p型掺杂得比所述硅基底（101）的p型掺杂更高；以及具有设置在所述硅基底（101）的背面（R）上的n型掺杂区域（203、203A），该n型掺杂区域被n型掺杂得比所述硅基底（101）的n型掺杂更高，其中，在所述硅基底（101）的正面（F）上设置有另外的p型掺杂区域（601），并且其中，设置在所述硅基底（101）的背面（R）上的p型掺杂区域（602）与设置在所述硅基底（101）的背面（R）上的n型掺杂区域（203、203A）彼此之间具有高度偏差
触点太阳能电池

[发明专利]肖特基二极管及其制造方法-CN201210191407.8有效
发明人：汪洋 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-06-11 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明的肖特基二极管包括：掺杂衬底；第一掺杂区域，形成于所述掺杂衬底内，所述第一掺杂区域的掺杂类型与所述掺杂衬底的类型相反；第二掺杂区域，形成于所述第一掺杂区域内，所述第二掺杂区域的掺杂类型与所述掺杂衬底的类型相反；介质层，形成于所述掺杂衬底上；至少两个以上的第一凹槽和至少一个以上的第二凹槽，贯穿所述介质层；第一金属电极，形成于所述第一凹槽内，并与第二掺杂区域相接触；以及第二金属电极，形成于所述第二凹槽内，位于所述第一金属电极的一侧
肖特基二极管及其制造方法

[发明专利]使用注入的太阳能电池制作-CN200980127945.7有效
发明人： B·阿迪比;E·S·默尔 -专利权人：因特瓦克公司
申请日： 2009-06-11 - 公布日： 2011-06-15 - 主分类号： H01L31/00 文献下载
摘要：一种太阳能电池器件包括硅衬底，该硅衬底包括预先存在的掺杂物。均匀轻掺杂区域形成于硅衬底的表面上以在预先存在的掺杂物与轻掺杂区域之间形成结。重掺杂区域选择性地注入于硅衬底的表面上。籽晶层形成于重掺杂区域之上。金属接触形成于籽晶层之上。该器件可以包括防反射涂层。在一个实施例中，重掺杂区域形成抛物线形状。重掺杂区域可以按一定距离在硅衬底上各自是范围为50至200微米的宽度。重掺杂区域也可以在硅衬底上相互横向隔开范围为1至3mm的距离。籽晶层可以是硅化物。
使用注入太阳能电池制作

[发明专利]高压侧驱动器的半导体结构及其制造方法-CN200610143387.1有效
发明人：蒋秋志;黄志丰 -专利权人：崇贸科技股份有限公司
申请日： 2006-11-02 - 公布日： 2007-05-23 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：一种包括离子掺杂接面的高压侧驱动器的半导体结构。离子掺杂接面包括一基板、一第一深阱、一第二深阱、一第一重离子掺杂区域及一第二重离子掺杂区域。第一深阱及第二深阱彼此部分连接形成于基板内，且第一深阱及第二深阱具有相同离子掺杂型态。于第一深阱内形成用以连接第一高电压的第一重离子掺杂区域，且第一重离子掺杂区域具有与第一深阱相同的离子掺杂型态。于第二深阱内形成用以连接第二高电压的第二重离子掺杂区域，且第二重离子掺杂区域具有与第一深阱相同的离子掺杂型态。
高压驱动器半导体结构及其制造方法

[实用新型]高压侧驱动器的半导体结构-CN200620157129.4无效
发明人：蒋秋志;黄志丰 -专利权人：崇贸科技股份有限公司
申请日： 2006-11-02 - 公布日： 2007-11-28 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：一种包括离子掺杂接面的高压侧驱动器的半导体结构。离子掺杂接面包括一基板、一第一深阱、一第二深阱、一第一重离子掺杂区域及一第二重离子掺杂区域。第一深阱及第二深阱彼此部分连接形成于基板内，且第一深阱及第二深阱具有相同离子掺杂型态。于第一深阱内形成用以连接第一高电压的第一重离子掺杂区域，且第一重离子掺杂区域具有与第一深阱相同的离子掺杂型态。于第二深阱内形成用以连接第二高电压的第二重离子掺杂区域，且第二重离子掺杂区域具有与第一深阱相同的离子掺杂型态。
高压驱动器半导体结构

[实用新型]半导体结构-CN201820948488.4有效
发明人：田武;汪宗武;许文山;孙超 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2018-06-20 - 公布日： 2019-01-25 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种半导体结构，所述半导体结构包括：衬底；位于所述衬底表面的栅极结构，所述栅极结构包括位于衬底表面的栅介质层和位于所述栅介质层表面的栅极；所述栅极包括第一掺杂区域和第二掺杂区域，所述第一掺杂区域内掺杂有第一掺杂离子，所述第二掺杂区域掺杂有第二掺杂离子，所述第二掺杂离子为P型掺杂离子，所述第一掺杂离子能够提高所述P型掺杂离子在所述栅极内的分凝系数。
半导体结构掺杂离子掺杂区域衬底表面栅极结构栅介质层离子掺杂本实用新型分凝系数衬底耗尽

[发明专利]掺杂单元、掺杂晶片、掺杂方法、太阳能电池及制作方法-CN201110095584.1无效
发明人：陈炯;钱锋 -专利权人：上海凯世通半导体有限公司
申请日： 2011-04-15 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了一种掺杂单元包括：一N型基底；形成于该N型基底背面中的P型重掺杂区域以及N型重掺杂区域；其中，该N型重掺杂区域与该P型重掺杂区域互不接触，其中，所述的P型替换为N型时，N型同时替换为P型。本发明还公开了一种掺杂晶片、掺杂方法、太阳能电池以及太阳能电池的制作方法。本发明中P型重掺杂区域与N型重掺杂区域之间具有N型基底材料和N型轻掺杂区域作为缓冲层，使得PN结之间不会因为耗尽层太薄而导致被击穿，由此形成的P+/N/N-/N+结构的PN结使得载流子的迁移更均匀，速率更稳定，由此提高了该掺杂晶片的使用寿命。
掺杂单元晶片方法太阳能电池制作方法

[发明专利]一种超级结终端的设计方法-CN201610534992.5有效
发明人：曾大杰 -专利权人：深圳尚阳通科技有限公司
申请日： 2016-07-08 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明属于超级结技术领域，公开了一种超级结终端的设计方法，用于解决现有技术无法确定P型杂质区域和N型重掺杂区域之间的最小距离而导致芯片面积大的问题。本发明该超级结终端包括N型掺杂衬底，所述N型掺杂衬底上设置有P型杂质区域和N型重掺杂区域，所述N型重掺杂区域与N型掺杂衬底连接，所述P型杂质区域和N型重掺杂区域之间最小距离的计算方法为：对于硅器件P型杂质区域和N型重掺杂区域之间的距离为：2.67×10¹⁰N_D^‑7/8cm≤Space≤1.1×2.67×10¹⁰N_{本发明在保证击穿电压不降低的情况下，得到P型杂质区域和N型重掺杂区域之间的最小距离，从而减小芯片的面积。}
一种超级终端设计方法

[发明专利]应用于高温条件下的整流器-CN200910129868.0无效
发明人：沈长庚;卢建志 -专利权人：朋程科技股份有限公司
申请日： 2009-03-30 - 公布日： 2010-10-06 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：一种应用于高温条件下的整流器，包括：一导电型半导体基材；一导电型外延层；多个导电型掺杂区域；一边缘导电型掺杂区域，其围绕所述多个导电型掺杂区域；至少一外缘导电型掺杂区域，其围绕该边缘导电型掺杂区域；一第一金属层，其全面地覆盖于所述多个导电型掺杂区域，且至少接触该边缘导电型掺杂区域的一部分；以及一边缘导电型掺杂区域外缘导电型掺杂区域一第二金属层，其成形于该导电型半导体基材的背面。
应用于高温条件下整流器

[发明专利]具有附加ESD注入的横向双极晶体管-CN200610068320.6有效
发明人： J·施奈德;M·温德尔 -专利权人：英飞凌科技股份公司
申请日： 2006-03-29 - 公布日： 2006-11-01 - 主分类号： H01L29/735 文献下载
摘要：第二导电类型(例如n型)的第一掺杂区域(14)布置在半导体体区(12)的上表面。第二导电类型的第二掺杂区域(16)布置在半导体体区(12)的上表面并通过隔离区域(18)与第一掺杂区域(14)分离。第一接触(26)位于第一掺杂区域(14)之上并与之电耦合，第二接触(28)位于第二掺杂区域(16)之上并与之电耦合。第一导电类型的第三掺杂区域(32)布置在第一掺杂区域(14)之下的半导体体区(12)中。
具有附加 esd 注入横向双极晶体管

[实用新型]一种太阳能电池及光伏组件-CN201821966145.7有效
发明人：张俊兵;黄卓;汤坤 -专利权人：晶澳（扬州）太阳能科技有限公司;上海晶澳太阳能科技有限公司
申请日： 2018-11-27 - 公布日： 2019-09-13 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：其中，太阳能电池包括硅基体(1)，所述硅基体(1)表面的局部区域为掺杂区域(2)，位于所述掺杂区域(2)以外的区域为非掺杂区域(3)；钝化介质层(4)，所述钝化介质层(4)设置在所述非掺杂区域(3)上；半导体薄膜层(5)，所述半导体薄膜层(5)设置在所述钝化介质层(4)上以及，电极(6)，所述电极(6)与所述掺杂区域(2)接触。该电池将钝化介质层和掺杂的硅薄膜用于局部背场电池的非掺杂区域表面进行表面钝化，可以提升太阳能电池的钝化效果。
钝化介质层太阳能电池非掺杂区域掺杂区域半导体薄膜层光伏组件硅基体电极电池本实用新型表面钝化钝化效果局部区域掺杂的硅薄膜背场

[发明专利]一种有机发光器件及显示装置-CN201310755144.3有效
发明人：胡小叙;何为 -专利权人：厦门天马微电子有限公司;天马微电子股份有限公司
申请日： 2013-12-31 - 公布日： 2014-07-23 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机发光器件剂显示装置，所述有机发光器件包括：阳极；阴极，与所述阳极相对设置；空穴层，设置在所述阳极与所述阴极之间；电子层，设置在所述空穴层与所述阴极之间；发光层，设置在所述空穴层与所述电子层之间，所述发光层包括第一掺杂区域和第二掺杂区域，所述第二掺杂区域位于所述第一掺杂区域与所述空穴层之间或所述第二掺杂区域位于所述第一掺杂区域与所述电子层之间，其中，所述第二掺杂区域的发光效率大于所述第一掺杂区域的发光效率。
一种有机发光器件显示装置