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[发明专利]太阳能电池单体及其制造方法-CN200980121820.3有效
发明人： D·比罗;F·克莱芒;O·舒尔茨-维特曼 -专利权人：弗朗霍夫应用科学研究促进协会
申请日： 2009-05-29 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种太阳能电池单体，其包括具有正面和基本与正面平行的背面的半导体基板、正面金属化结构和背面金属化结构以及至少三个掺杂区域，该掺杂区域具有至少两种不同的导电型，第一导电型的、基本在整个正面上延伸的第一掺杂区域布置在半导体基板的正面上，与第一导电型相反的第二导电型的、部分在背面上延伸的第二掺杂区域布置在半导体基板的背面上，第一导电型的、部分在背面上延伸的第三掺杂区域布置在半导体基板的背面上，其中正面金属化结构与第一掺杂区域导电地连接，背面金属化结构与第二掺杂区域导电地连接，太阳能电池单体具有导电的连接装置，该连接装置导电地连接第三掺杂区域与正面金属化结构和/或第一掺杂区域。
太阳能电池单体及其制造方法

[实用新型]图像传感器和图像捕捉设备-CN201420514114.3有效
发明人： S·王 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2014-09-09 - 公布日： 2014-12-31 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：基板中的第一阱具有相反的导电类型并且利用相反导电类型的掺杂剂掺杂。第一阱中的第二阱具有相反的导电类型并且利用相反导电类型的掺杂剂掺杂。第二阱中的第一区域具有相反的导电类型并且利用相反导电类型的掺杂剂掺杂。第一区域中的第二区域具有第一导电类型并且利用第一导电类型的掺杂剂掺杂。第二阱中与第一区域相邻的第三区域具有相反的导电类型并且利用相反导电类型的掺杂剂掺杂。温度传感器位于第二区域和第三区域之间并且连接到第二区域和第三区域当中每一个。
图像传感器图像捕捉设备

[发明专利]一种具有网格结构的双极功率晶体管-CN202110818413.0有效
发明人：黄宏嘉;林和;牛崇实;洪学天 -专利权人：弘大芯源（深圳）半导体有限公司;晋芯电子制造（山西）有限公司;晋芯先进技术研究院（山西）有限公司
申请日： 2021-07-20 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L29/732 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有网格结构的双极功率晶体管，包括：具有第一掺杂第二电阻和第二掺杂第一电阻的N型第一导电类集电极区域；具有网格式结构的N型第一导电类发射极区域；具有第三掺杂第四电阻和第四掺杂第三电阻的P型相反导电类基极区域；发射极区域覆盖连接基极区域多个单个的基极元件，集电极区域通过基极‑集电极p‑n结与基极区域相连接；第一掺杂杂质剂含量高于第二掺杂杂质剂含量，第三掺杂杂质剂含量高于第四掺杂杂质剂含量，第一电阻阻值大于第二电阻阻值，第三电阻阻值大于第四电阻阻值；集电极区域、基极区域和发射极区域分别通过欧姆接触和金属母线相连接；增加二次击穿耐性，降低基极‑发射极饱和电压值，安全工作区域显著扩大。
一种具有网格结构功率晶体管

[发明专利]包括传输晶体管的非易失性存储器装置-CN202210827355.2在审
发明人：李泽徽;李载德;李豪峻;张盛弼 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-07-13 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： H10B41/30 文献下载
摘要：一种非易失性存储器装置包括：存储器单元区域、包括外围电路区域的第一类型的半导体衬底以及多个传输晶体管，其中，外围电路区包括第一区域和第二区域，第一区域是第二类型，并且包括第一掺杂区域、以及位于第一掺杂区域之下并且被配置为具有比第一掺杂区域高的掺杂浓度的第一阱区域，第二区域是第一类型，并且包括第二掺杂区域、以及位于第二掺杂区域之下并且被配置为具有比第二掺杂区域高的掺杂浓度的第二阱区域，多个传输晶体管之中的位于第一区域上的第一传输晶体管连接到串选择线或接地选择晶体管，多个传输晶体管之中的位于第二区域上的第二传输晶体管连接到字线，其中，正电压或负电压在第二传输晶体管的操作期间被施加到第二阱区域。
包括传输晶体管非易失性存储器装置

[发明专利]制造光伏太阳能电池的方法-CN201180029784.5无效
发明人：塞巴斯提安·麦克;乌尔里希·耶格尔;A·沃尔夫;D·比罗;R·普罗伊;G·卡斯特纳 -专利权人：弗劳恩霍弗实用研究促进协会
申请日： 2011-06-16 - 公布日： 2013-03-20 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种制造光伏太阳能电池的方法，包括下列方法步骤：A对硅半导体基体(1)的前侧(2)进行纹理化，所述硅半导体基体掺杂有基极掺杂型；B在所述半导体基体(1)所述前侧(2)上生成至少一个选择性掺杂结构，其方式是，在所述前侧(2)上生成至少一个面式的低掺杂区域(4)，所述低掺杂区域在所述半导体基体(1)中具有第一掺杂分布，并在所述第一低掺杂区域内部生成至少一个局部的高掺杂区域(3)，所述高掺杂区域具有第二掺杂分布，其中所述低掺杂区域(4)和所述高掺杂区域(3)分别构成为具有一个发射极掺杂型，所述发射极掺杂型与所述基极掺杂型相反，并且所述高掺杂区域(3)与所述低掺杂区域相比被构成为具有较低的横向传导电阻；以及C至少部分地在局部高掺杂的区域上，将至少一个金属发射极接触结构施加在半导体基体的前侧(2)上，必要时施加在其他的中间层上，其中发射极接触结构导电地与所述高掺杂区域(3)相连接，以及将至少一个金属基极接触结构施加在所述半导体基体的后侧上，必要时施加在其他的中间层上，其中所述基极接触结构导电地与基极掺杂型的半导体基体的一个区域相连接。
制造太阳能电池方法

[发明专利]表面弹性波产生装置、收发装置及其产生方法-CN201310744431.4有效
发明人：许丰家;黄俊哲;黄俊诚 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2013-12-30 - 公布日： 2019-04-19 - 主分类号： H01S1/00 文献下载
摘要：第一导电型区域，形成于基板中。第二导电型掺杂区域，包括至少一个掺杂图案，掺杂于第一导电型区域的表面，通过施加逆向偏压至第一导电型区域与第二导电型掺杂区域之间，使两区域的接面产生空乏电容，并且输入信号至第一导电型区域或第二导电型掺杂区域
表面弹性产生装置收发及其方法

[发明专利]超结肖特基PIN二极管-CN201280038385.X有效
发明人：渠宁;A.格尔拉赫 -专利权人：罗伯特·博世有限公司
申请日： 2012-07-19 - 公布日： 2018-08-14 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体芯片，其具有n+型掺杂的衬底，在所述n+型掺杂的衬底上存在n型掺杂的外延层，所述n型掺杂的外延层具有在所述外延层中引入的、以p型掺杂的半导体材料填充的沟槽，所述沟槽在其上侧分别具有高度p型掺杂的区域，使得存在具有第一宽度的n型掺杂的区域与具有第二宽度的p型掺杂的区域的交替布置。此外所述芯片包含在其前侧设置的第一金属层，所述第一金属层与所述n型掺杂的外延层形成肖特基接触部并且与所述高度p型掺杂的区域形成欧姆接触部并且用作阳极电极。在n型掺杂的区域和相邻的p型掺杂的区域之间分别设置有介电层。
超结肖特基 pin 二极管

[发明专利]制作单光子雪崩二极管成像传感器的方法-CN201510319653.0有效
发明人：艾瑞克·A·G·韦伯斯特 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2015-06-11 - 公布日： 2018-07-31 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种制作雪崩光电二极管像素的方法包含在具有第一掺杂浓度的第一经掺杂半导体层上生长第二经掺杂半导体层。第二经掺杂半导体层以第二掺杂浓度生长，且具有与第一经掺杂半导体层相反的多数电荷载流子类型。在第二经掺杂半导体层中形成具有第三掺杂浓度的经掺杂接触区域，第二经掺杂半导体层介于经掺杂接触区域与第一经掺杂半导体层之间。经掺杂接触区域具有与第二经掺杂半导体层相同的多数电荷载流子类型。第三掺杂浓度大于第二掺杂浓度。在第二经掺杂半导体层中形成保护环区域，其具有与第二经掺杂半导体层相反的多数电荷载流子类型且延伸穿过第二经掺杂半导体层并环绕所述经掺杂接触区域。
制作光子雪崩二极管成像传感器方法

[发明专利]具有钝化接触结构的指状交叉背接触太阳电池及其制备方法-CN201810760071.X在审
发明人：李华;李中兰;鲁伟明;靳玉鹏 -专利权人：泰州隆基乐叶光伏科技有限公司
申请日： 2018-07-11 - 公布日： 2018-10-12 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有钝化接触结构的指状交叉背接触太阳电池电池结构及其制备方法，沿硅基底1厚度方向自上而下依次包括：沿硅基底厚度方向自上而下依次包括：正面钝化及减反射膜、正面掺杂层、n型硅基底、背面钝化隧穿层、背面掺杂层、背面钝化膜和电池电极；所述背面掺杂层由第一掺杂区域和第二掺杂区域组成，第一掺杂区域和第二掺杂区域结构相同且呈指状交叉排列；所述的电池电极包括正电极和负电极，正电极与第二掺杂区域接触，负电极第一掺杂区域接触
掺杂区域指状交叉掺杂层钝化电池电极接触结构背接触负电极正电极硅基制备背面背面钝化膜背面钝化电池结构电池组件工艺难度减反射膜漏电流隧穿层基底电池表现

[实用新型]具有钝化接触结构的指状交叉背接触太阳电池-CN201821097182.9有效
发明人：李华;李中兰;鲁伟明;靳玉鹏 -专利权人：泰州隆基乐叶光伏科技有限公司
申请日： 2018-07-11 - 公布日： 2019-02-22 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种具有钝化接触结构的指状交叉背接触太阳电池电池结构，沿硅基底1厚度方向自上而下依次包括：沿硅基底厚度方向自上而下依次包括：正面钝化及减反射膜、正面掺杂层、n型硅基底、背面钝化隧穿层、背面掺杂层、背面钝化膜和电池电极；所述背面掺杂层由第一掺杂区域和第二掺杂区域组成，第一掺杂区域和第二掺杂区域结构相同且呈指状交叉排列；所述的电池电极包括正电极和负电极，正电极与第二掺杂区域接触，负电极第一掺杂区域接触
掺杂区域指状交叉掺杂层钝化电池电极接触结构背接触负电极正电极硅基背面背面钝化膜本实用新型背面钝化电池结构电池组件工艺难度减反射膜漏电流隧穿层基底电池表现

[发明专利]半导体存储器件-CN202211547941.8在审
发明人：李基硕;姜泰逵;金根楠;朴成珉;安泰炫;李常铉;张殷硕;郑文泳;郑义撤;崔贤根 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-12-05 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：沟道图案包括与位线相邻的第一掺杂区域、与数据存储元件相邻的第二掺杂区域以及在第一掺杂区域和第二掺杂区域之间并与字线重叠的沟道区域。第一掺杂区域和第二掺杂区域中的至少一个包括与沟道区域相邻的低浓度区域和与沟道区域间隔开的高浓度区域。
半导体存储器件

[发明专利]一种太阳能电池及其制备方法-CN201810855742.0在审
发明人：张俊兵;陈孝业;何自娟 -专利权人：晶澳（扬州）太阳能科技有限公司
申请日： 2018-07-31 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳能电池，包括硅基体，所述硅基体中设有选择性掺杂区域，所述选择性掺杂区域包括掺杂区域和非掺杂区域，所述选择性掺杂区域的表面上设有钝化介质层，所述钝化介质层上设有多晶硅薄膜，在所述多晶硅薄膜上且在与所述掺杂区域对应的位置处设有金属接触电极该电池通过对金属接触下方的硅基体进行选择性的局部掺杂，能够有效地减小金属接触区域对超薄钝化介质层的损伤的难题，能更能够发挥好其电学性能。本发明还公开了上述太阳能电池的制备方法。
钝化介质层选择性掺杂太阳能电池硅基体多晶硅薄膜掺杂区域制备金属接触电极金属接触区域非掺杂区域电学性能金属接触局部掺杂位置处有效地减小损伤电池

[发明专利]双极晶体管-CN201510578851.9有效
发明人：托尼·范胡克;维特·桑迪·恩;皮特鲁斯·H·C·马涅;蓬奇·伊沃;迪克·克拉森;马哈茂德·谢哈布·穆罕默德·阿尔沙蒂 -专利权人：恩智浦有限公司
申请日： 2015-09-11 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：所述双极晶体管还包括具有与集电极的导电类型不同的导电类型的掺杂区域。掺杂区域在集电极下方横向延伸以在掺杂区域和集电极之间的接触区域处形成结。所述掺杂区域具有不均匀的横向掺杂分布。所述掺杂区域的掺杂级别在离所述双极晶体管的集电极‑基极结最近的那部分掺杂区域中最高。
双极晶体管掺杂区域集电极导电类型横向延伸半导体器件功率放大器横向掺杂接触区域不均匀发射极漂移区掺杂制造

[发明专利]一种鳍式场效应晶体管及其制备方法-CN202310584177.X在审
发明人：陆芃;孙一超;李博;韩郑生 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2023-05-23 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：鳍式场效应晶体管包括：衬底层；沟道区域，所述沟道区域设置于所述衬底层的一侧；第一掺杂区域，所述第一掺杂区域与所述沟道区域的一端电连接，所述第一掺杂区域与所述沟道区域在厚度方向上的侧面相连接；第二掺杂区域，所述第二掺杂区域与所述沟道区域的另一端电连接，所述第二掺杂区域与所述沟道区域在厚度方向上的侧面相连接，其中，所述第一掺杂区域远离所述衬底层一侧的表面积大于所述第一掺杂区域靠近所述衬底层一侧的表面积，所述沟道区域远离所述衬底层一侧的表面积小于所述沟道区域靠近所述衬底层一侧的表面积
一种场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]太阳能晶片的掺杂方法以及掺杂晶片-CN201010599357.8有效
发明人：钱锋 -专利权人：上海凯世通半导体有限公司
申请日： 2010-12-17 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳能晶片的掺杂方法包括以下步骤：在N型基底表面设置第一掩模板，该N型基底表面上未被该第一掩模板覆盖的区域为第一开放区域；在N型基底表面形成N+型掺杂区域；在N型基底表面设置第二掩模板，该N型基底表面上未被该第一掩模板和该第二掩模板覆盖的区域为第二开放区域；在N型基底表面形成P+型掺杂区域，其中该N+型掺杂区域与该P+型掺杂区域互不接触；去除该第一掩模板与该第二掩模板，其中，所述的P型替换为本发明还公开了一种掺杂晶片。本发明中P+型掺杂区域与N+型掺杂区域之间具有N型基底材料作为缓冲层，使得PN结之间不会因为耗尽层太薄而导致被击穿，由此提高了该掺杂晶片的使用寿命。
太阳能晶片掺杂方法以及