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[发明专利]NPN型三极管及其制造方法-CN201711408827.6在审
发明人：冯荣杰;刘东;胡铁刚 -专利权人：杭州士兰微电子股份有限公司
申请日： 2017-12-22 - 公布日： 2018-06-12 - 主分类号： H01L29/735 文献下载
摘要：本发明提供了一种NPN型三极管及其制造方法，自所述N型注入层表面开始并延伸至所述N型外延层内部的P型掺杂区域，所述P型掺杂区域包括第一P型掺杂区域及自所述第一P型掺杂区域表面开始并延伸至所述第一P型掺杂区域内部且超出所述第一P型掺杂区域外侧的第二P型掺杂区域，所述第二P型掺杂区域的掺杂浓度比所述第一P型掺杂区域的掺杂浓度低，由此形成了缓变的掺杂区，减少了电场的集中程度，从而所述第二P型掺杂区域能够补偿所述N型注入层所引起的
掺杂电场表面位置底部位置电场集中高压击穿击穿电压掺杂区发射极集电极浓度比缓变延伸制造悬空

[发明专利]用于形成具有选择性射极的太阳能电池的方法和装置-CN201210394975.8有效
发明人：特德·伊甘;爱德华·布迪亚尔托 -专利权人：应用材料意大利有限公司
申请日： 2012-10-15 - 公布日： 2013-04-17 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：基板的表面包括第一图案化重掺杂区域，第一图案重掺杂区域具有第一掺杂浓度且限定选择性射极，基板的表面还包括第二掺杂射极区域，第二掺杂射极区域具有小于第一掺杂浓度的第二掺杂浓度，其中第二掺杂射极区域环绕第一图案化重掺杂区域此方法还包括通过使用傅里叶变换来处理经滤波的光学图像以确定第一图案化重掺杂区域的位置，通过使用从第一图案化重掺杂区域的确定的位置所接收的信息将丝网印刷掩模中的一个或多个区别性特征对准第一图案化重掺杂区域，以及在第一图案化重掺杂区域的一部分上沉积材料层。
用于形成具有选择性太阳能电池方法装置

[实用新型]用于形成具有选择性射极的太阳能电池的装置-CN201220535017.3有效
发明人：特德·伊甘;爱德华·布迪亚尔托 -专利权人：应用材料意大利有限公司
申请日： 2012-10-15 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：基板的表面包括第一图案化重掺杂区域，第一图案重掺杂区域具有第一掺杂浓度且限定选择性射极，基板的表面还包括第二掺杂射极区域，第二掺杂射极区域具有小于第一掺杂浓度的第二掺杂浓度，其中第二掺杂射极区域环绕第一图案化重掺杂区域此方法还包括通过使用傅里叶变换来处理经滤波的光学图像以确定第一图案化重掺杂区域的位置，通过使用从第一图案化重掺杂区域的确定的位置所接收的信息将丝网印刷掩模中的一个或多个区别性特征对准第一图案化重掺杂区域，以及在第一图案化重掺杂区域的一部分上沉积材料层。
用于形成具有选择性太阳能电池装置

[实用新型]NPN型三极管-CN201721825396.9有效
发明人：冯荣杰;刘东;胡铁刚 -专利权人：杭州士兰微电子股份有限公司
申请日： 2017-12-22 - 公布日： 2018-07-06 - 主分类号： H01L29/735 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种NPN型三极管，自所述N型注入层表面开始并延伸至所述N型外延层内部的P型掺杂区域，所述P型掺杂区域包括第一P型掺杂区域及自所述第一P型掺杂区域表面开始并延伸至所述第一P型掺杂区域内部且超出所述第一P型掺杂区域外侧的第二P型掺杂区域，所述第二P型掺杂区域的掺杂浓度比所述第一P型掺杂区域的掺杂浓度低，由此形成了缓变的掺杂区，减少了电场的集中程度，从而所述第二P型掺杂区域能够补偿所述N型注入层所引起的
掺杂本实用新型电场表面位置底部位置电场集中高压击穿击穿电压掺杂区发射极集电极浓度比缓变延伸悬空

[发明专利]薄膜晶体管、阵列基板、显示面板以及显示装置及其制造方法-CN201610318303.7有效
发明人：吕振华;王世君;陈希;尤杨;王磊 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司
申请日： 2016-05-13 - 公布日： 2019-07-12 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：该薄膜晶体管包括：栅极绝缘层；具有源极区域、漏极区域以及位于所述源极区域和所述漏极区域之间的沟道区域的有源层；在所述源极区域上的第一掺杂层；在所述漏极区域上的第二掺杂层；设置在所述第一掺杂层和所述第二掺杂层之间的至少一个第三掺杂层，其中所述第一掺杂层、所述第二掺杂层和所述第三掺杂层具有相同的导电类型，并且其中，所述第三掺杂层位于所述沟道区域中且与所述栅极绝缘层接触、不同时与所述第一掺杂层和所述第二掺杂层接触，或者所述第三掺杂层位于所述沟道区域上且仅与所述第一掺杂层或所述第二掺杂层接触
薄膜晶体管阵列显示面板以及显示装置及其制造方法

[发明专利]具有低泄漏电流的图像传感器的浮动扩散部-CN201910174941.X有效
发明人：真锅宗平;圭司马渕 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2019-03-08 - 公布日： 2020-09-25 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种图像传感器包含光电二极管、浮动扩散区域、半导体材料的第一经掺杂区域、第二经掺杂区域及第三经掺杂区域以及第一电容器。所述光电二极管安置于所述半导体材料中以响应于入射光而产生图像电荷。所述浮动扩散区域接近于所述光电二极管而安置于所述半导体材料中。所述浮动扩散区域由所述半导体材料的所述第一经掺杂区域至少部分地环绕。所述半导体材料的所述第二经掺杂区域及所述第三经掺杂区域各自具有与所述浮动扩散区域及所述第一经掺杂区域相反的极性。所述浮动扩散区域以及所述第一经掺杂区域的至少一部分横向安置于所述第二经掺杂区域与所述第三经掺杂区域之间。所述第一电容器接近于所述第一经掺杂区域与所述第二经掺杂区域之间的第一界面或接近于所述第一经掺杂区域与所述第三经掺杂区域之间的第二界面而定位。
具有泄漏电流图像传感器浮动扩散

[发明专利]半导体器件及其制备方法-CN202011089159.7在审
发明人：田武;孙超;王欣 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-10-13 - 公布日： 2021-01-15 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制备方法，其包括如下步骤：提供基底层，基底层上设置有栅极，基底层内设置有源极区域、漏极区域及沟道区，栅极与沟道区对应，源极区域及漏极区域设置在栅极两侧；在基底层上，在源极区域与栅极之间的待掺杂区上及漏极区域与栅极之间的待掺杂区上形成图形化的阻挡层，阻挡层间隔遮挡部分待掺杂区；对待掺杂区进行掺杂，形成轻掺杂区。本发明在需要降低轻掺杂区的掺杂剂量的区域(宽管子区域)形成阻挡层，通过阻挡层遮挡作用降低该区域掺杂剂量，从而避免不需要降低轻掺杂区的掺杂剂量的区域(窄管子区域)掺杂剂量也被降低，既能够避免宽管子漏电流产生
半导体器件及其制备方法

[发明专利]太阳能电池及太阳能电池组件-CN201810812946.6有效
发明人：王子谦;张伟;郎芳;沈艳娇;翟金叶;孟庆超;张文辉;张向前;李锋;史金超 -专利权人：英利能源（中国）有限公司
申请日： 2018-07-23 - 公布日： 2020-04-03 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明适用于光伏发电技术领域，提供了一种太阳能电池及太阳能电池组件，太阳能电池包括：衬底；衬底中第一掺杂区域的正面和第二掺杂区域的背面均掺杂N型杂质，衬底中第一掺杂区域的背面和第二掺杂区域的正面均掺杂P型杂质；衬底中第一掺杂区域与第二掺杂区域之间设有本征区域；衬底的表面设有钝化膜；衬底中第一掺杂区域和第二掺杂区域的表面均印刷有细栅线和主栅线，细栅线和主栅线穿透所述钝化膜与所述衬底形成欧姆接触；衬底中第一掺杂区域正面的主栅线与第二掺杂区域正面的主栅线连接
太阳能电池组件

[发明专利]薄膜晶体管的制造方法及其结构-CN03127436.6有效
发明人：陈坤宏 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2003-08-07 - 公布日： 2005-02-16 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：薄膜晶体管至少包含：缓冲层，位于基板上；第一多晶硅层和第二多晶硅层，位于缓冲层上，其中第一多晶硅层具有第一栅极区域、轻掺杂区域和第一重掺杂区域，第二多晶硅层具有第二栅极区域和第二重掺杂区域，第一栅极区域外部依序围绕轻掺杂区域和第一重掺杂区域，而第二栅极区域外部围绕第二重掺杂区域；漏极/源极，位于第一重掺杂区域和第二重掺杂区域中；轻掺杂，位于轻掺杂区域中；栅极氧化层，位于第一多晶硅层、第二多晶硅层和缓冲层上；第一栅极和第二栅极，位于栅极氧化层上，并分别位于第一栅极区域和第二栅极区域的上方。
薄膜晶体管制造方法及其结构

[发明专利]制造半导体结构的方法-CN202310079141.6在审
发明人：陈佳政;陈亮吟 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-10-10 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：在实施例中，一种制造半导体结构的方法，包括：形成半导体区域，该半导体区域具有第一掺杂浓度的第一导电类型的第一掺杂剂；在半导体区域的上方形成电介质层；形成穿过电介质层的开口，该开口暴露半导体区域；在形成开口之后，在半导体区域中进行第一导电类型的第二掺杂剂的等离子体掺杂以形成表面掺杂区域，该表面掺杂区域中的第一导电类型的掺杂剂的第二浓度大于第一掺杂浓度；在进行第一导电类型的第二掺杂剂的等离子掺杂之后，对表面掺杂区域进行非晶化注入；以及在开口中形成导电特征，该导电特征与表面掺杂区域电接触。
制造半导体结构方法

[发明专利]电光调制器-CN202080066681.5在审
发明人： A·斯科菲尔德 -专利权人：洛克利光子有限公司
申请日： 2020-07-23 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： G02F1/025 文献下载
摘要：所述调制器包括：输入波导；调制区域，所述调制区域耦合到所述输入波导；以及输出波导，所述输出波导耦合到所述调制区域。所述调制区域包括n‑i‑p‑n结，所述n‑i‑p‑n结包括：第一n掺杂区域，所述第一n掺杂区域通过本征区域与p掺杂区域间隔开；以及第二n掺杂区域，所述第二n掺杂区域通过所述p掺杂区域与所述本征区域间隔开并且在所述本征区域的与所述第一n掺杂区域相对的一侧上。
电光调制器

[实用新型]纵向双扩散金属氧化物场效应晶体管终端结构-CN201120391462.2有效
发明人：孙伟锋;祝靖;张龙;钱钦松;陆生礼;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2011-10-14 - 公布日： 2012-08-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种纵向双扩散金属氧化物场效应晶体管终端结构，包括：兼做漏区的N型重掺杂硅衬底，在N型重掺杂硅衬底的下表面设置有漏极金属，在N型重掺杂硅衬底的上表面设有N型掺杂硅外延层，在N型掺杂硅外延层上设有超结结构，所述的超结结构包括P型掺杂硅柱状区域和N型掺杂硅柱状区域，P型掺杂硅柱状区域和N型掺杂硅柱状区域交替排列，在所述的超结结构上设有二氧化硅层，其特征在于，在P型掺杂硅柱状区域顶部设有一排第一二氧化硅区域，在N型掺杂硅柱状区域顶部设有一排第二二氧化硅区域。
纵向扩散金属氧化物场效应晶体管终端结构

[发明专利]一种波导式光电探测器-CN201910962165.X有效
发明人：曾治国;李显尧;孙雨舟 -专利权人：苏州旭创科技有限公司
申请日： 2019-10-11 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01L31/105 文献下载
摘要：本申请公开了一种波导式光电探测器，包括：衬底，至少包括一硅层，该硅层上形成有硅波导；设于硅波导上的主动层，该主动层上形成有第一掺杂区域；硅层位于主动层下方的位置形成有水平PIN结构，该水平PIN结构包括第二掺杂区域、第一本征区域和第三掺杂区域；其中第二掺杂区域与第一掺杂区域的掺杂类型相同，第二掺杂区域临近第一本征区域的一端与第一掺杂区域连接；第三掺杂区域与第一掺杂区域形成垂直PIN结构。
一种波导光电探测器

[实用新型]一种具有自隔离的半导体结构-CN201420460217.6有效
发明人：刘侠;杨东林;罗义 -专利权人：西安芯派电子科技有限公司
申请日： 2014-08-14 - 公布日： 2015-02-25 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型一种具有自隔离的半导体结构，包括N型掺杂半导体衬底和N型掺杂外延层；N型掺杂外延层内部设有包括第一、第二和第三的P型填充阱区；第一和第三P型填充阱区的上侧分别设有P型掺杂区，P型掺杂区中设有N型重掺杂区；第一P型填充阱区及对应的N型掺杂外延层、P型掺杂区和N型重掺杂区构成第二元胞区域；第二P型填充阱区及对应的N型掺杂外延层构成隔离结构区域；第三P型填充阱区及对应的N型掺杂外延层、P型掺杂区和N型重掺杂区构成第一元胞区域；第一、第二元胞区域和隔离结构区域构成的元胞区域外围设置终端耐压区域；第一元胞区域与终端耐压区域构成开关管；第二元胞区域通过隔离结构区域与第一元胞区域分离，构成启动管。
一种具有隔离半导体结构

[发明专利]横向双扩散金属氧化物半导体晶体管及其制造方法-CN200910159413.3有效
发明人：游步东 -专利权人：杭州矽力杰半导体技术有限公司;矽力杰公司
申请日： 2009-07-02 - 公布日： 2010-02-24 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管及其制造方法，在依据本发明的一种实施例中，LDMOS晶体管包括：(1)衬底上的n掺杂深n阱区域(DNW)；(2)LDMOS晶体管的源极区域和漏极区域之间的栅氧化层和漏氧化层，所述栅氧化层与源极区域相邻，所述漏氧化层与漏极区域相邻；(3)在栅氧化层和部分漏氧化层之上的导电栅极；(4)源极区域中的p型掺杂p体区域(p-doped p-body)；(5)漏极区域中的n型掺杂区域；(6)源极区域的p型掺杂p体区域中的第一n型掺杂n+区域和p型掺杂p+区域，并且所述第一n型掺杂n+区域和p型掺杂p+区域相邻；(7)漏极区域中的第二n型掺杂n+区域。
横向扩散金属氧化物半导体晶体管及其制造方法