专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种用于隧道洞口或桥梁的雪崩防护导流工程系统-CN202122093407.1有效
  • 马磊;马胜;刘健;胡智轩 - 新疆交通科学研究院
  • 2021-08-31 - 2022-03-15 - E01F7/04
  • 本实用新型公开了一种用于隧道洞口或桥梁的雪崩防护导流工程系统,包括设置在山体上的雪崩分流岛和若干层雪崩导流板;雪崩分流岛位于公路隧道的正上方,雪崩分流岛上部的截面平行于山体表面,所述截面的上端尖、下部宽,呈三角形;第一层的雪崩导流板位于雪崩分流岛的两侧,位于左侧的雪崩导流板与雪崩分流岛上部的左立面相连且处于同一平面,位于右侧的雪崩导流板与雪崩分流岛上部的右立面相连且处于同一平面;位于下层雪崩导流板均位于雪崩分流岛正下方的两侧,且左右两侧的雪崩导流板呈夹角型设置,左侧雪崩导流板平行于第一层左侧雪崩导流板;右侧雪崩导流板平行于第一层右侧雪崩导流板;相邻上下两层的雪崩导流板之间隔开一定距离。
  • 一种用于隧道洞口桥梁雪崩防护导流工程系统
  • [实用新型]新型异质雪崩渡越二极管-CN202221037252.8有效
  • 秦晓静;李佳慧;胥丽娜;李谭;孙铭皎;李秀圣 - 潍坊学院
  • 2022-04-28 - 2022-09-06 - H01L29/864
  • 本实用新型公开了一种新型异质雪崩渡越二极管,包括由上之下依次设置的肖特基接触层、雪崩势垒层、雪崩层、雪崩上终止层、雪崩下终止层、漂移层以及欧姆接触层;其中,雪崩势垒层为n型InAlN,用于提高电子浓度;雪崩层为n型GaN;雪崩上终止层为n型In0.69N,雪崩下终止层为n型In0.83N,雪崩上终止层与雪崩下终止层配合用于减小雪崩层的宽度;雪崩上终止层与雪崩势垒层配合形成极化匹配异质结构,用于消除极化电荷对雪崩层中雪崩电场的影响;雪崩下终止层与漂移层配合形成晶格匹配异质结构
  • 新型雪崩二极管
  • [发明专利]双结型单光子雪崩二极管、光电探测器阵列-CN202211264140.0有效
  • 兰潇健;马四光;马静;刘超晖 - 季华实验室
  • 2022-10-17 - 2022-12-20 - H01L31/107
  • 本公开涉及以雪崩模式工作的势垒技术领域,尤其涉及一种双结型单光子雪崩二极管、光电探测器阵列。双结型单光子雪崩二极管,所述双结型单光子雪崩二极管包括:设置在不同深度的第一雪崩结构和第二雪崩结构,所述第一雪崩结构和第二雪崩结构分别包括单独的耗尽层;各个耗尽层周边还单独设置有保护环结构,各个所述保护环结构的掺杂浓度使得第一雪崩结构和第二雪崩结构之间的电流密度增加幅度在第一预设阈值之内本公开提供的单光子雪崩二极管能够避免两个雪崩结构之间电流密度增加的幅度超过第一预设阈值,减少了雪崩结构因为电流密度突然增大导致边缘击穿的概率,能够使得双结型单光子雪崩二极管的使用寿命增加和损耗率降低。
  • 双结型单光子雪崩二极管光电探测器阵列
  • [发明专利]一种集成滤波放大芯片的雪崩光电探测器及其驱动方法-CN201910671927.0在审
  • 刘炎;刘建宏;相耀 - 山东国迅量子芯科技有限公司
  • 2019-07-24 - 2020-12-18 - H01L25/16
  • 本发明公开了一种集成滤波放大芯片的雪崩光电探测器,包括APD芯片、制冷器和雪崩信号处理芯片,所述APD芯片输出端与雪崩信号处理芯片的信号输入端电连接,雪崩信号处理芯片的输出端输出经处理后的雪崩信号,所述APD芯片与制冷器的冷端面近距离贴合,雪崩信号处理芯片用于抑制APD芯片输出的原始雪崩信号中门控信号和二次及以上谐波信号,对雪崩信号进行针对性滤波以及低噪声放大,雪崩信号处理芯片集成了滤波器以及低噪声放大器的功能,APD芯片、制冷器以及雪崩信号处理芯片整体封装于一个壳体中。本发明还公开了雪崩光电探测器的驱动方法。本发明的优点在于:集成滤波放大芯片的雪崩光电探测器尺寸和质量小,电路结构精简,功耗低以及探测效率稳定。
  • 一种集成滤波放大芯片雪崩光电探测器及其驱动方法
  • [发明专利]一种雪崩信号产生装置-CN201810025146.X在审
  • 徐生福;吴峡;谢海荣 - 浙江科易理想量子信息技术有限公司
  • 2018-01-11 - 2018-05-22 - G01J11/00
  • 本发明揭示了一种雪崩信号产生装置,其包括:雪崩二极管,用于产生雪崩信号;半导体制冷器,用于给所述雪崩二极管降温;密封腔体,收容所述雪崩二极管及所述半导体制冷器;印刷电路板,与所述雪崩二极管及所述半导体制冷器电性连接;尾纤,将光信号从所述密封腔体外引入所述密封腔体内并发射到所述雪崩二极管上,通过本发明,可有效地提高所述雪崩信号产生装置的防水性能,同时在所述密封腔体内,可以放置多个雪崩模块,可以同时产生多路雪崩信号,而整体的成本相对于现有技术中的产生多路雪崩信号的方式要低很多。
  • 一种雪崩信号产生装置
  • [发明专利]雪崩光电二极管仿真电路及仿真模型-CN202210577530.7有效
  • 邢婉婉;胡安琪;刘巧莉;郭霞;周幸叶 - 北京邮电大学
  • 2022-05-25 - 2023-08-11 - G05B17/02
  • 本申请提供一种雪崩光电二极管仿真电路及仿真模型,该仿真电路包括:输入单元、雪崩触发压控开关、提供雪崩光电二极管击穿电压的电压源及第一电阻;输入单元包括光子入射单元、暗计数单元及后脉冲单元,输入单元输出端连接雪崩触发压控开关正极控制端;暗计数单元输入端与雪崩光电二极管阳极、雪崩光电二极管阴极连接;后脉冲单元输入端与雪崩光电二极管阳极、雪崩光电二极管阴极连接;电压源与雪崩光电二极管阴极、第一电阻输入端连接;雪崩触发压控开关输入端与第一电阻输出端连接,其输出端连接雪崩光电二极管阳极,负极控制端接地。本申请仿真电路能够模拟雪崩光电二极管的光子、暗计数及后脉冲特性,提高了模拟雪崩光电二极管特性的准确率。
  • 雪崩光电二极管仿真电路模型
  • [发明专利]雪崩光电平衡探测器-CN202210718970.X在审
  • 宋俊峰;李雪童;刘小斌;李盈祉;陈柏松;李雪妍;郜峰利 - 吉林大学
  • 2022-06-23 - 2022-11-01 - H01L31/107
  • 本发明提供一种雪崩光电探测器,包括:光混合分束器、第一雪崩光电探测器和第二雪崩光电探测器;将信号光和参考光分别通过光纤输入至光混合分束器,光混合分束器用于将信号光和参考光进行混合后再输出均带有信号光和参考光信息的第一光束和第二光束;第一雪崩光电探测器和第二雪崩光电探测器分别包括探测区和雪崩区;第一光束和第二光束通过光纤分别进入第一雪崩光电探测器和第二雪崩光电探测器的探测区后形成电子或空穴传输至雪崩区中;第一雪崩光电探测器和第二雪崩光电探测器的雪崩区为直接连接
  • 雪崩光电平衡探测器
  • [发明专利]紫外光雪崩管成像阵列像元、其应用方法及雪崩管成像阵列-CN201110072753.X有效
  • 吴福伟;闫锋 - 南京大学
  • 2011-03-24 - 2011-09-14 - H01L27/146
  • 本发明涉及紫外光雪崩管成像阵列像元、其应用方法及由其组成的雪崩管成像阵列。所述紫外光雪崩管成像阵列像元由多个雪崩管探测器并联而成,所述雪崩管探测器由光电二极管、薄膜电阻、金属层顺序连接而成,每个雪崩管探测器中,光电二极管的n型半导体与接触电极连接,成像像元中各个雪崩管探测器的接触电极之间形成电连接作为一个电极,各个雪崩管探测器共用一块完整的金属层,金属层形成紫外光雪崩管成像阵列像元的另一个电极。所述所述雪崩管成像阵列,由多个所述的紫外光雪崩管成像阵列像元组成。本发明的有效效果为:克服了材料本身缺陷密度大而造成的良率过低的问题,该新型结构紫外光雪崩管成像阵列像元良率可以接近并达到100%。
  • 紫外光雪崩成像阵列应用方法
  • [发明专利]一种基于雪崩管的脉冲产生系统-CN202310076739.X在审
  • 谢彦召;仇杨鑫;杨宇;张岚琦;周彤 - 西安交通大学
  • 2023-01-30 - 2023-06-06 - H03K3/335
  • 本发明公开了一种基于雪崩管的脉冲产生系统,包括Marx电路和触发电路,Marx电路包括依次级联的多级雪崩单元,触发电路的输出端与多级雪崩单元中的第一级雪崩单元的输入端连接,被配置为向第一级雪崩单元的雪崩三极管的集电极馈入触发脉冲相比传统技术中脉冲源电路第一级雪崩管采用基极触发方式,本发明通过触发电路触发第一级雪崩单元的雪崩三极管的集电极,使得集电结势垒区中激励雪崩过程的电子数目增多且电场强度更强,集电结中自由电子的碰撞电离更加激烈,电子在基区的扩散和漂移过程对于雪崩过程的影响变小,从而提高脉冲源的脉冲漂移和脉冲抖动特性,降低多脉冲源功率合成时触发脉冲源的设计难度。
  • 一种基于雪崩脉冲产生系统

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