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[发明专利]互连结构的形成方法-CN201010102323.3有效
发明人：孙武;尹晓明;张海洋;黄怡 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2010-01-28 - 公布日： 2011-08-03 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种互连结构的形成方法，包括步骤提供半导体衬底，提供半导体衬底，所述半导体衬底上依次已形成布线层、绝缘介质层和第一光刻胶层；对第一光刻胶层进行曝光显影，定义出通孔位置；干法刻蚀绝缘介质层至露出布线层，形成通孔；在第一光刻胶层上以及所述通孔内形成第二光刻胶层；对第二光刻胶层进行曝光显影，定义出沟槽位置；以第二光刻胶为掩膜，干法刻蚀绝缘介质层形成沟槽；执行第一次干法去胶工艺，去除沟槽和通孔内的残留的第二光刻胶层；第二次干法去胶去除剩余的第一光刻胶和第二光刻胶层。由于以二次高低不同的反应腔压力值为工艺条件将光刻胶去除，避免在光刻胶去除过程中破坏半导体器件的低K材料。
互连结构形成方法

[发明专利]一种光刻胶图形的制备方法-CN201810324138.5在审
发明人：乐艮;贾海强;陈弘 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2018-04-12 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种光刻胶图形的制备方法，包括下列步骤：步骤1)在基底上形成第一光刻胶层；步骤2)在所述第一光刻胶层上沉积掩膜层；步骤3)在所述掩膜层上形成第二光刻胶层；步骤4)利用双光束激光干涉曝光在所述第二光刻胶层上形成第二光刻胶图形；步骤5)将所述第二光刻胶图形转移到所述掩膜层上以形成掩膜图形；步骤6)以所述掩膜图形为掩膜，在所述第一光刻胶层上形成第一光刻胶图形。本发明的制备方法能够高效地获得大面积的纳米级图形结构，克服了激光干涉曝光装置固有的驻波效应对微纳级光刻胶图形的侧壁带来的影响。
光刻胶图形光刻胶层制备掩膜图形掩膜层纳米级图形结构双光束激光干涉沉积掩膜层激光干涉曝光装置驻波效应侧壁基底掩膜曝光

[发明专利]利用光刻胶模板掩模的频率加倍-CN200810175121.4无效
发明人：克里斯多佛·D·本彻尔;戴会雄;立彦·苗;陈浩 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2008-10-27 - 公布日： 2009-09-23 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明描述了一种利用光刻胶模板掩模的频率加倍的方法。根据本发明的实施例，首先提供其上形成有光刻胶层的器件层。图案化光刻胶层以形成光刻胶模板掩模。间隔物形成材料层被沉积在光刻胶模板掩模上。间隔物形成材料层被刻蚀，以形成间隔物掩模并暴露光刻胶模板掩模。光刻胶模板掩模随后被去除，并且间隔物掩模的图像最终被转移到器件层。
利用光刻模板频率加倍

[发明专利]半导体工艺方法-CN202211224967.9在审
发明人：刘志成 -专利权人：广州粤芯半导体技术有限公司
申请日： 2022-10-09 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： G03F7/40 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体工艺方法，包括步骤：提供衬底，于衬底上形成负性光刻胶层；对负性光刻胶层进行曝光；于碱性氛围下对曝光后的负性光刻胶层进行后烘，在完成后烘的过程中利用碱性氛围中的碱性介质中和负性光刻胶层顶部的部分光致酸，以使得负性光刻胶层顶部和底部中的光致酸实现平衡。本发明经改善的工艺流程，可以中和光刻胶顶部于曝光后产生过多的光致酸，从而达到光致酸形貌于光刻胶层顶部和底部的平衡，由此可以使得光刻胶层顶部和底部尺寸趋于一致，减轻乃至消除显影后光刻胶形貌出现T‑top（T型图形）现象，提高光刻图形精度。
半导体工艺方法

[发明专利]通过使用正型光刻胶进行二次图案化而制造高密度柱结构的方法-CN200980125068.X有效
发明人： R·E·舒尔雷恩;S·雷迪根 -专利权人：桑迪士克3D公司
申请日： 2009-06-25 - 公布日： 2011-05-25 - 主分类号： H01L27/10 文献下载
摘要：一种制作半导体器件的方法，其包括在下层之上形成第一光刻胶层，将第一光刻胶层图案化为第一光刻胶图案，其中第一光刻胶图案包括位于下层之上的多个间隔开的第一光刻胶特征，以及使用第一光刻胶图案作为掩模蚀刻下层以形成多个第一间隔开的特征该方法还包括移除第一光刻胶图案，在多个第一间隔开的特征之上形成第二光刻胶层，并且将第二光刻胶层图案化为第二光刻胶图案，其中第二光刻胶图案包括覆盖多个第一间隔开的特征的边缘部分的多个第二光刻胶特征。该方法还包括使用第二光刻胶图案作为掩模蚀刻多个第一间隔开的特征的暴露部分，从而多个第一间隔开的特征的多个间隔开的边缘部分保持不变，并且该方法还包括移除第二光刻胶图案。
通过使用光刻进行二次图案制造高密度结构方法

[发明专利]光刻胶去除方法及光刻胶重制方法-CN201910908698.X在审
发明人：邱靖尧;谢玟茜;刘立尧;胡展源 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2019-09-25 - 公布日： 2019-12-17 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明涉及光刻胶去除方法及光刻胶重制方法，涉及半导体集成电路的制造技术，在光刻胶去除过程中，首先使用含氧的气体对光刻胶层进行第一次等离子体刻蚀，去除晶圆表面一定高度的光刻胶，并在晶圆表面保留一定高度的光刻胶，然后使用含氢的气体对剩余的光刻胶层进行第二次等离子体刻蚀，将剩余的光刻胶层全部去除，如此兼具了使用含氧的气体对光刻胶层进行等离子体刻蚀工艺和使用含氢的气体对光刻胶层进行等离子体刻蚀工艺的优点，而避免缺陷产生
等离子体刻蚀光刻胶刻胶层光刻胶去除光刻胶层晶圆表面含氧去除半导体集成电路半导体器件缺陷产生良率保留制造

[发明专利]薄膜晶体管及阵列基板的制备方法、阵列基板及显示装置-CN201510471390.5在审
发明人：张家祥;卢凯 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司
申请日： 2015-08-04 - 公布日： 2015-12-16 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：该薄膜晶体管的制备方法，包括在有源层薄膜上形成第一光刻胶图案，其包括第一厚度光刻胶和第二厚度光刻胶，并覆盖有源层薄膜中待形成有源层的区域；以第一光刻胶图案为掩模对有源层薄膜进行刻蚀，形成有源层；将第一光刻胶图案进行灰化，以去除第二厚度光刻胶并减薄第一厚度光刻胶，形成第二光刻胶图案；形成源漏电极薄膜，在源漏电极薄膜上形成第三光刻胶图案；并以其为掩模对源漏电极薄膜进行刻蚀，形成源极和漏极，露出第二光刻胶图案；将第二、第三光刻胶图案剥离该制备方法使用光刻胶图案保护有源层免于源漏刻蚀液的影响，可避免刻蚀阻挡层的使用，大大简化制备工艺。
薄膜晶体管阵列制备方法显示装置

[发明专利]光刻胶图案的修正方法及刻蚀方法-CN200910201464.8有效
发明人：宁先捷 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-12-14 - 公布日： 2011-06-15 - 主分类号： G03F1/14 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种光刻胶图案的修正方法和刻蚀方法。其中光刻胶图案的修正方法，包括：在中间膜层上形成光刻胶图案层；根据所述光刻胶图案层中光刻胶图案的实际尺寸和欲获得的目标尺寸，获得对所述光刻胶图案的修正值；根据所述修正值设定离子注入的参数；对所述光刻胶图案层中的光刻胶侧壁进行倾斜离子注入，使所述光刻胶的侧壁内缩，以将所述光刻胶图案的实际尺寸修正为所述欲获得的目标尺寸。
光刻图案修正方法刻蚀

[发明专利]提供光刻胶去除的技术-CN201210511145.9有效
发明人：许育荣;吴松勋;黄国彬 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-12-03 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：一种用于制造半导体器件的方法包括：在衬底上方形成经图案化的光刻胶层；对经图案化的光刻胶层实施等离子体灰化工艺，从而去除经图案化的光刻胶层的一部分；使经图案化的光刻胶层暴露于宽频带紫外线辐射和臭氧，从而去除经图案化的光刻胶层的其他部分；以及在使经图案化的光刻胶层暴露于宽频带紫外线辐射和臭氧之后，实施经图案化的光刻胶层的清洁。本发明提供了去除光刻胶的技术。
提供光刻去除技术

[发明专利]光刻胶图形及其形成方法-CN201910005475.2有效
发明人：张海洋;陈卓凡 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2019-01-03 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：一种光刻胶图形及其形成方法，方法包括：提供基底；在基底上形成初始光刻胶图形层，包括图形密集区和图形稀疏区；对初始光刻胶图形层进行至少一次蚀刻前预处理，形成光刻胶图形层，蚀刻前预处理的步骤包括：形成附着在初始光刻胶图形层表面的修整层；对表面附着有修整层的初始光刻胶图形层进行修整处理，以减小初始光刻胶图形层的侧壁与基底表面之间的角度；或者，蚀刻前预处理的步骤包括：对表面附着有修整层的初始光刻胶图形层进行修整处理以减小初始光刻胶图形层侧壁与基底表面之间的角度；形成附着在剩余初始光刻胶图形层表面的修整层。
光刻图形及其形成方法

[发明专利]倒凸型结构光刻胶条的制作方法及金属图形的制作方法-CN202211731871.1在审
发明人：盛况;任娜;熊丹妮;徐弘毅 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2023-02-24 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： G03F7/30 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种倒凸型结构光刻胶条的制作方法及金属图形的制作方法。本发明提供表面具有一定厚度的负性光刻胶层的基底，对基底表面的光刻胶层进行不充足曝光，在对光刻胶层进行第一和第二显影，实现充分显影，最终形成具有倒凸型结构的光刻胶条。本发明中的光刻胶层具有倒凸型结构，在基底表面与倒凸型结构光刻胶条表面沉积金属层时，由于金属层的厚度小于底部光刻胶层的厚度，使得基底表面的金属层与顶部光刻胶层的边缘断开，且倒凸形结构与基底的接触面积更小，使得光刻胶与金属的彻底断开，保证了形成的金属图形中金属线条的尺寸，金属层也不会和光刻胶层的侧壁粘在一起，达到改善金属剥离效果的目的。
倒凸型结构光刻制作方法金属图形

[发明专利]双重图形化形成方法-CN201410403328.8在审
发明人：雷通;周海锋 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-08-15 - 公布日： 2014-11-19 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种双重图形化形成方法，包括：第一步骤，在晶圆衬底表面依次布置待刻蚀层、硬掩模层以及第一光刻胶层，并且通过第一次光刻形成图案光刻胶层的第一光刻胶图案；第二步骤，生长保护膜以覆盖第一光刻胶图案和暴露出来的硬掩模层；第三步骤，在保护膜布置第二光刻胶层，并对第二光刻胶层执行第二次光刻以在保护膜上形成第二光刻胶图案；第四步骤，执行干法刻蚀，将第一光刻胶图案和第二光刻胶图案进行转移到待刻蚀层，以得到待刻蚀层的图案。
双重图形形成方法

[发明专利]半导体器件的形成方法-CN200810105902.6有效
发明人：邱何;张峻豪 -专利权人：中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2008-05-05 - 公布日： 2009-11-11 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种半导体器件的形成方法，包括：在半导体衬底上依次形成掩膜层、抗反射及刻蚀阻挡复合层和第一光刻胶层；将掩模版半导体器件图形转移至第一光刻胶层上，形成第一光刻胶器件图形；以第一光刻胶层为掩膜，刻蚀抗反射及刻蚀阻挡复合层至露出掩膜层，形成第一器件图形；去除第一光刻胶层后，在抗反射及刻蚀阻挡复合层和掩膜层上依次形成抗反射层和第二光刻胶层；相对第一器件图形位置进行偏移，将掩模版器件图形转移至第二光刻胶层上，形成第二光刻胶器件图形；以第二光刻胶层为掩膜，刻蚀抗反射层至露出掩膜层，形成目标器件图形。
半导体器件形成方法

[发明专利]垂直形貌修整-CN201410571349.0在审
发明人： S·M·列扎·萨贾迪;彼得·西里格利亚诺;金智洙;黄志松;埃里克·A·赫德森 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2006-09-29 - 公布日： 2015-03-04 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：提供一种在蚀刻层中蚀刻特征的方法。在该蚀刻层上形成具有光刻胶特征的图案化光刻胶掩模，该光刻胶特征具有侧壁，其中该光刻胶特征的侧壁具有沿该光刻胶特征深度的不规则形貌。修正沿该光刻胶特征侧壁的光刻胶特征深度的不规则形貌，该修正包括至少一个循环，其中每个循环包括侧壁沉积阶段和形貌成形阶段。穿过该光刻胶特征将特征蚀刻入该蚀刻层。去除该掩模。
垂直形貌修整

[发明专利]垂直形貌修整-CN200680036913.2无效
发明人： S·M·列扎·萨贾迪;彼得·西里格利亚诺;金智洙;黄志松;埃里克·A·赫德森 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2006-09-29 - 公布日： 2008-10-01 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：提供一种在蚀刻层中蚀刻特征的方法。在该蚀刻层上形成具有光刻胶特征的图案化光刻胶掩模，该光刻胶特征具有侧壁，其中该光刻胶特征的侧壁具有沿该光刻胶特征深度的不规则形貌。修正沿该光刻胶特征侧壁的光刻胶特征深度的不规则形貌，该修正包括至少一个循环，其中每个循环包括侧壁沉积阶段和形貌成形阶段。穿过该光刻胶特征将特征蚀刻入该蚀刻层。去除该掩模。
垂直形貌修整