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[发明专利]重新形成光刻胶图形的方法-CN201010503721.6有效
发明人：尹晓明;孙武;韩宝东;符雅丽 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2010-09-30 - 公布日： 2012-05-09 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种重新形成光刻胶图形的方法，该方法包括：通过光刻胶层重做工序去除已形成的光刻胶图形；通过沉积工序在硬掩膜层上形成一个具有粗糙表面的沉积层；通过刻蚀工序去除所述沉积层，实现对硬掩膜层表面的粗糙化；通过光刻胶层重新涂覆工序在粗糙化后的硬掩膜层上重新涂覆光刻胶层；对光刻胶层依次执行曝光、显影、清洗工序，重新形成新的光刻胶图形。
重新形成光刻图形方法

[发明专利]一种半导体晶圆孔洞制作方法-CN201810180223.9有效
发明人：陈一峰 -专利权人：成都海威华芯科技有限公司
申请日： 2018-03-05 - 公布日： 2020-06-02 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明涉及射频微波半导体制作技术领域，具体涉及一种半导体晶圆孔洞制作方法，包括以下步骤：在测试晶圆上分别测试得到两个孔洞的刻蚀速率，计算得到与两个孔洞的横截面积一一对应相等的测试光刻胶的刻蚀速率及两个孔洞的刻蚀时间；在晶圆表面铺设第一光刻胶层，对第一光刻胶层进行曝光并显影，形成第一图形化光刻胶层；计算得到修正光刻胶层的厚度；在晶圆表面铺设所述厚度的修正光刻胶层，对修正光刻胶层进行曝光并显影，形成第二图形光刻胶层；沿第一图形化光刻胶层对晶圆进行刻蚀，形成具有两个孔洞的晶圆。本发明以较长的刻蚀时间为基准，通过铺设修正光刻胶层来延长另一个孔洞的刻蚀时间，避免出现刻蚀深度超出预设值或损伤晶圆的情况。
一种半导体圆孔制作方法

[发明专利]制备半导体的方法-CN202110503294.X有效
发明人：浦栋;惠利省;杨国文 -专利权人：度亘激光技术（苏州）有限公司
申请日： 2021-05-10 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：本发明提供了一种制备半导体的方法，涉及半导体结构制备技术领域，包括：在基板的上表面形成正性光刻胶层；利用第一掩模结构对正性光刻胶层进行曝光，在正性光刻胶层的曝光区域形成多个间隔的第一倒梯形结构，相邻两个第一倒梯形结构之间的非曝光区域形成第一正梯形结构；在正性光刻胶层上方形成负性光刻胶层；利用第二掩模结构对负性光刻胶层进行曝光，在负性光刻胶层的曝光区域形成第二倒梯形结构；对正性光刻胶层和负性光刻胶层显影，在基板上形成多个由第一正梯形结构和第二倒梯形结构堆叠而成的光刻胶柱
制备半导体方法

[发明专利]利用激光的光刻胶图案修整方法-CN202080003351.1在审
发明人：朴在雄;朴勋;金甫谦;卢俊亨;全在赫;金仙株 -专利权人：株式会社考恩斯特
申请日： 2020-09-14 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： B23K26/362 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用激光的光刻胶图案修整方法，包括：检查在工艺基板的加工对象物质层上形成的光刻胶图案而检测图案异常的步骤；限定于包括作为图案异常的光刻胶图案被破坏部分的部分，通过图案印刷来再形成光刻胶层的步骤；在所设计的图案以外的部分通过激光照射来去除光刻胶层的步骤；在光刻胶图案存在下实施蚀刻工艺等后续工艺的步骤。根据本发明，通过对在包括曝光和显影的光刻胶图案形成工艺中形成的光刻胶图案进行检查，在发生异常图案时，通过由限定于包括断线的图案异常部分的图案印刷的光刻胶层再形成及借助激光照射的加热、去除，在不进行另外的掩模曝光或显影工艺的情况下，形成光刻胶正常图案，从而能够低廉且简单地解决在光刻胶图案形成过程中的不良。
利用激光光刻图案修整方法

[发明专利]一种过孔的制备方法及显示基板的制备方法-CN201710874562.2在审
发明人：刘宁;苏同上;成军 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司
申请日： 2017-09-25 - 公布日： 2018-01-23 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：过孔的制备方法包括在需形成过孔的膜层上依次形成至少两层分别具有通孔的光刻胶层，其中，任意两层相邻的光刻胶层中，远离所述膜层的光刻胶层的通孔的横截面面积大于靠近所述膜层的光刻胶层的通孔的横截面面积，且远离所述膜层的光刻胶层的通孔在靠近所述膜层的光刻胶层上的投影覆盖靠近所述膜层的光刻胶层的通孔；对所述膜层与所述至少两层光刻胶层的通孔对应的区域进行刻蚀，形成过孔。
一种制备方法显示

[发明专利]图案化半导体装置的方法-CN202010195540.5在审
发明人：张竞予;许仲豪;童思频;陈濬凯;王仁宏;李资良 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-03-19 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：公开一种图案化半导体装置的方法，在三层光刻胶中的图案化的光刻胶层上方形成的硬遮罩以及一种使用此硬遮罩以图案化目标层的方法。在一些实施例中，提供了一种方法包括在第一硬遮罩层上方沉积光刻胶层，图案化光刻胶层以在光刻胶层中形成多个开口，在光刻胶层上方沉积第二硬遮罩层，第二硬遮罩层填充多个开口，第二硬遮罩层相对于第一硬遮罩层具有第一蚀刻选择性，光刻胶层相对于第一硬遮罩层具有第二蚀刻选择性，第一蚀刻选择性大于第二蚀刻选择性，平坦化第二硬遮罩层，去除光刻胶层，使用第二硬遮罩层作为遮罩蚀刻第一硬遮罩层。
图案半导体装置方法

[发明专利]一种光刻胶回刻平坦化方法-CN201710564645.1有效
发明人：魏绍均 -专利权人：上海彤程电子材料有限公司;彤程新材料集团股份有限公司
申请日： 2017-07-12 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本发明提供了一种光刻胶回刻平坦化方法。所述光刻胶回刻平坦化方法，包括：在具有电路结构的硅片表面形成介质层；对所述硅片进行第一次烘烤处理；在所述硅片的自然冷却过程中，在所述硅片表面涂覆光刻胶，其中，所述光刻胶覆盖所述介质层；在所述光刻胶涂覆完成之后对所述硅片进行第二次烘烤处理；对所述光刻胶和所述介质层进行回刻处理，来使所述硅片表面平坦化。本发明提供的方法可以避免在光刻胶平坦化刻蚀过程中出现过量刻蚀甚至破坏其他膜层，有效保证光刻胶回刻的平坦化程度。
一种光刻胶回刻平坦方法

[发明专利]一种图形化用抗反射涂层组合物及图形化方法-CN202011606828.3有效
发明人：李祥华;李大烨;贺晓彬;刘强;丁明正;杨涛 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： C09D129/04 文献下载
摘要：本申请涉及一种图形化用水溶性抗反射涂层，以及使用该水溶性抗反射涂层进行图形化的方法，由于在正、负光刻胶层之间涂布了该水溶性抗反射涂层，避免了直接在正光刻胶层上涂布负光刻胶层引起的二者的反应而导致的不良等问题，从而能够很好的一并进行正光刻胶层和负光刻胶层的双光刻胶层涂布，极大地简化了工艺流程，节约了工艺时间和成本。
一种图形化用反射涂层组合方法

[发明专利]避免光刻胶层图形损伤的方法-CN200910085334.2无效
发明人：杨晓松;黄德坤;余云初 -专利权人：中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2009-05-21 - 公布日： 2010-11-24 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种避免光刻胶层图形损伤的方法，包括：对晶圆衬底进行气相成底膜处理、旋转涂胶、软烘及曝光；对曝光后的具有光刻胶层的晶圆衬底等待设定的时间；对等待设定时间的具有光刻胶层的晶圆衬底进行曝光后烘焙、显影及坚膜烘焙，得到光刻胶层图形。本发明提供的方法避免了所形成的光刻胶层图形损伤，保证光刻胶层图形和在掩膜上构造的图形一致。
避免光刻图形损伤方法

[发明专利]玻璃衬底的工艺方法-CN201310742931.4有效
发明人：张宇 -专利权人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2013-12-30 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明提供的玻璃衬底的工艺方法，其包括以下步骤：光刻胶沉积步骤，在玻璃衬底表面上沉积负性光刻胶；光刻胶曝光步骤，对负性光刻胶进行曝光和显影，以形成掩膜图形；掩膜沉积步骤，先后在负性光刻胶表面上以及未被负性光刻胶覆盖的玻璃衬底表面上沉积隔离层和金属层；其中，隔离层采用抗阳极氧化的材料制作；金属层采用二价或三价金属材料制作；光刻胶去除步骤，去除负性光刻胶及其上的隔离层和金属层；掩膜氧化步骤，对金属层进行阳极氧化，以形成金属氧化层。
玻璃衬底工艺方法

[发明专利]用于光刻应用的光刻胶层上的碳的选择性沉积-CN202180040091.X在审
发明人：拉里·高;南希·冯 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-06-09 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：本文公开的实施方式包括一种用于蚀刻硬掩模层的方法，此方法包括在包含含金属材料的硬掩模层上形成包含有机金属材料的光刻胶层，经由具有选定图案的掩模将此光刻胶层暴露于紫外线辐射，去除此光刻胶层的未照射区域以图案化此光刻胶层，在此图案化光刻胶层的顶表面上选择性地形成包含含碳材料的钝化层，此形成此钝化层包括在图案化光刻胶层的顶表面上选择性地沉积钝化材料，修整此钝化材料的不期望部分，以及蚀刻由具有在上面形成的此钝化层的此图案化光刻胶层暴露的此硬掩模层
用于光刻应用胶层上选择性沉积

[发明专利]一种触摸屏金属图形的制作方法-CN201510114900.3有效
发明人：彭寿;茆令文;鲍兆臣;张少波;曹绪文;蔡丰豪 -专利权人：蚌埠玻璃工业设计研究院;安徽方兴科技股份有限公司
申请日： 2015-03-17 - 公布日： 2017-07-11 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：本发明公开一种触摸屏金属图形的制作方法，包含以下步骤a)清洗干净已做好ITO图形的玻璃板；b)涂胶，在ITO上表面涂布光刻胶层，光刻胶层呈倒梯形状；c)预固化；d)曝光；e)显影；f)镀金属，采用真空磁控溅射方式在玻璃板、ITO与光刻胶层上溅镀金属层；g)脱膜，采用脱膜液对光刻胶层进行溶解，去除光刻胶层上的金属，得到需要的金属图形；改变传统的对金属图形的制作步骤，采用先涂胶、后镀金属的方式，由于光刻胶层呈倒梯形，使得溅镀完金属层后在光刻胶层的边沿留出脱膜空间，采用脱膜液对光刻胶层进行溶解的方式去除光刻胶层上的金属，能够将金属杂质一同去除，不会残留在ITO上，从而提高了产品的合格率，同时省去了蚀刻步骤，简化了制作工艺。
一种触摸屏金属图形制作方法

[发明专利]薄膜晶体管与薄膜晶体管的制作方法及膜层刻蚀工艺-CN201711278338.3有效
发明人：刘刚;张毅先;任思雨;苏君海;李建华 -专利权人：信利（惠州）智能显示有限公司
申请日： 2017-12-06 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：一种薄膜晶体管与薄膜晶体管的制作方法及膜层刻蚀工艺，其中，膜层刻蚀工艺用于对薄膜晶体管的膜层进行刻蚀，膜层的第一表面上形成有光刻胶，光刻胶包括预设图案的预留光刻胶和残留光刻胶，膜层刻蚀工艺包括如下步骤：采用含O2气体对膜层进行预处理，以去除残留光刻胶，其中，预处理持续预设时长；采用第一刻蚀气体对膜层进行刻蚀处理。上述膜层刻蚀工艺，先采用含O2气体对膜层进行预处理，其中的O2气体经射频放电形成一定浓度的氧离子活性分子，氧离子活性分子与光刻胶发生反应，以去除残留光刻胶，使光刻胶的形貌恢复正常，避免需要刻蚀的那部分膜层被光刻胶遮挡，导致膜层的形貌也出现异常，从而影响薄膜晶体管的品质的情况出现。
薄膜晶体管制作方法刻蚀工艺

[发明专利]利用激光双光子直写技术制作微纳结构器件的方法-CN201110185710.2有效
发明人：段宣明;陈述;曹洪忠;韩伟华;颜伟;张严波;董贤子;杨富华;赵震声 -专利权人：中国科学院理化技术研究所
申请日： 2011-07-04 - 公布日： 2012-01-18 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：该方法包括以下步骤：在衬底上涂敷光刻胶形成光刻胶层；用激光束照射所述光刻胶，通过激光双光子吸收效应对所述光刻胶的指定位置进行曝光；对所述光刻胶进行显影；将所得到的光刻胶层的图形转移到衬底上。
利用激光光子技术制作结构器件方法

[发明专利]载带金属线路的制作方法、载带-CN202111185600.6有效
发明人：蔡水河;陈正能 -专利权人：常州欣盛半导体技术股份有限公司
申请日： 2021-10-12 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种载带金属线路的制作方法，包括以下步骤，S00：在基材膜的上表面溅射金属原子，形成种子层；S10：在种子层的上表面加工出连接层，对连接层的表面进行处理，使连接层表面粗糙度提高；S20：在连接层的上表面均匀覆上一层光刻胶，形成光刻胶层；S30：对光刻胶层依次进行曝光和显影处理，使光刻胶层之间形成沟槽；S40：在光刻胶层之间的沟槽内进行长铜处理，以形成金属线路；S50：洗去光刻胶层；S60：进行纳米微蚀刻处理，直至金属线路之间的种子层和连接层被完全蚀刻；连接层用于增加种子层与光刻胶层之间的连接强度，从而避免了在制作金属线路过程中光刻胶发生脱落或偏移。
金属线路制作方法