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[发明专利]基于正性光刻胶的镍阳模具制作方法-CN201510015397.6有效
发明人：郭哲;刘祝凯;宋娇阳;许斌 -专利权人：北京同方生物芯片技术有限公司
申请日： 2015-01-12 - 公布日： 2015-05-06 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明实施例涉及一种基于正性光刻胶的镍阳模具制作方法，方法包括：在衬底的正面均匀旋涂正性光刻胶；利用目标图案的负性掩膜板对衬底的正性光刻胶进行曝光，显影后，得到图形化的光刻胶；在具有图形化的光刻胶的衬底上溅镀铬，形成均匀铬层图案；对铬层图案进行增粘剂六甲基二硅胺蒸镀，用以增强铬层图案与光刻胶的粘附性，并在铬层图案上均匀旋涂正性光刻胶；利用铬层图案对衬底上的铬层图案上的光刻胶进行曝光，显影后，得到铬层图案的光刻胶；对铬层图案的光刻胶进行表面金属化；通过微电铸对金属化后的铬层图案的光刻胶进行金属镍阳模电铸，得到镍阳模具。
基于光刻模具制作方法

[发明专利]有机发光二极管显示面板及其制造方法-CN201210157391.9有效
发明人：陈海晶 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2012-05-18 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：所述制造方法包括：在形成有有源阵列的透明基板上涂布光刻胶层，所述有源阵列包括驱动电源线、数据线、扫描线，其中数据线和驱动电源线中的至少一种线路以及扫描线均不透明；从透明基板背向所述光刻胶层的一侧，对光刻胶层进行曝光，利用扫描线和所述至少一种线路作为掩膜阻断对应的光刻胶被曝光，以使得光刻胶层形成光刻胶保留区域；对光刻胶层进行显影处理，以去除光刻胶保留区域之外的光刻胶，而保留光刻胶保留区域的光刻胶，以形成像素界定层结构
有机发光二极管显示面板及其制造方法

[发明专利]光刻胶的去除方法及光刻工艺的返工方法-CN200710039253.X无效
发明人：杨光宇 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-04-03 - 公布日： 2008-10-08 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：一种光刻胶的去除方法，包括：提供一半导体晶片，在所述半导体晶片表面有光刻胶层；在所述光刻胶层表面涂覆溶剂，通过所述溶剂溶解所述光刻胶层，使所述光刻胶层厚度减薄；用等离子体轰击去除所述光刻胶层；用湿法清洗所述半导体晶片表面所述方法可用于光刻工艺的返工方法中。本发明方法能够将所述半导体晶片表面的光刻胶去除干净，并不会对所述半导体晶片表面造成损伤。
光刻去除方法工艺返工

[发明专利]一种高压发光二极管芯片的制造方法-CN201610503353.2有效
发明人：谢鹏;尹灵峰;王江波 -专利权人：华灿光电(苏州）有限公司
申请日： 2016-06-30 - 公布日： 2018-08-21 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：所述制造方法包括：在衬底上形成N型层、有源层和P型层；开设延伸至衬底的隔离槽；在P型层上和隔离槽内形成设定图形的绝缘层；在绝缘层和P型层上、以及隔离槽内形成透明导电层；在透明导电层上形成设定图形的光刻胶；利用光刻胶形成设定图形的透明导电层；利用光刻胶形成延伸至N型层的凹槽；利用光刻胶在绝缘层内形成通孔；剥离光刻胶；在透明导电层、以及通孔、凹槽和隔离槽内形成钝化层；在钝化层上形成设有通孔的光刻胶；利用光刻胶在钝化层内形成通孔；在光刻胶、透明导电层、P型层和N型层上形成电极；剥离光刻胶及光刻胶上形成的电极。
一种高压发光二极管芯片制造方法

[发明专利]应用光刻胶剥离工艺保护光刻对准标记的方法-CN200910235919.8有效
发明人：马万里;赵文魁 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2009-10-29 - 公布日： 2011-05-11 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种应用光刻胶剥离工艺保护光刻对准标记的方法，该方法包括以下步骤：在待覆盖厚金属层的介质层表面涂光刻胶，使所述介质层上的光刻对准标记所在区域被光刻胶完全覆盖；进行曝光、显影处理，以保留所述光刻对准标记所在区域上覆盖的光刻胶，而将其他部分覆盖的光刻胶去除；积淀金属层；剥离所述光刻对准标记所在区域上覆盖的光刻胶及该光刻胶上覆盖的金属层。采用本发明，可以在覆盖金属层过程中，保持前层光刻对准标记的形貌，从而提高光刻过程中的对准精度。
应用光刻剥离工艺保护对准标记方法

[发明专利]半导体结构的制备方法-CN201610006707.2有效
发明人：薛兴涛;何智清 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2016-01-06 - 公布日： 2019-07-26 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构的制备方法，包括：提供基底；在基底表面形成籽晶层；使用光刻胶剥离液对籽晶层表面进行处理；在光刻胶剥离液处理后的籽晶层上涂覆第一光刻胶层；图形化第一光刻胶层，以在第一光刻胶层内形成与后续要形成的重新布线层相对应的第一开口；在第一开口内形成重新布线层。通过在籽晶层上涂覆光刻胶层之前使用光刻胶剥离液对籽晶层表面进行处理，即可以去除籽晶层表面的氧化物，有效地避免在电镀过程中氧化物与酸性物质发生反应而导致光刻胶层倒掉情况的发生，又可以增加籽晶层表面的粗糙度，进而增加光刻胶层与籽晶层的粘结力，防止光刻胶层倒掉情况的发生，从而避免了后续重新布线层中桥接缺陷的产生。
半导体结构制备方法

[发明专利]沟槽形成方法以及半导体器件制造方法-CN201210230389.X有效
发明人：沈思杰;刘宪周 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-07-04 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：方法包括：氧化层形成步骤，用于在硅片表面形成氧化层；光刻胶层形成步骤，用于在氧化层表面形成光刻胶层；图案形成步骤，对光刻胶层进行光刻以形成与沟槽相对应的沟槽图案部分，利用形成图案的光刻胶层刻蚀氧化层，从而在氧化层中形成与沟槽图案部分相对应的图案；氧化层第一刻蚀步骤，其中去除单元区域上的光刻胶层，利用剩下的光刻胶层对氧化层执行刻蚀；沟槽刻蚀步骤，利用沟槽图案部分在单元区域中形成沟槽；光刻胶去除步骤，用于去除剩余的光刻胶层；氧化层第二步骤，用于在去除光刻胶层后对氧化层执行刻蚀
沟槽形成方法以及半导体器件制造

[发明专利]光刻胶图案的形成方法-CN201811173309.5在审
发明人：訾安仁;郑雅如;张庆裕;林进祥 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-10-09 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：一种光刻胶图案的形成方法，包括在形成于基底上的光刻胶层上形成保护层，且将光刻胶层选择性地曝光于光化辐射。将光刻胶层显影，以在光刻胶层中形成图案，以及去除保护层。保护层包含具有多个氟碳侧基的聚合物。
光刻胶层保护层光刻胶图案光化辐射聚合物侧基氟碳基底显影去除图案曝光

[发明专利]光刻胶涂布方法-CN201810270413.X在审
发明人：王耀增;罗丁硕;杨然富;赵弘文;蔡孟霖 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2018-03-29 - 公布日： 2018-09-04 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种光刻胶涂布方法，包括步骤：步骤一、提供一具有沟槽式结构的衬底；步骤二、将衬底放置在涂胶机台上，根据在衬底上所需要涂布的总光刻胶层的厚度计算出整个光刻胶涂布所需要的光刻胶总喷量；将光刻胶总喷量分解成两次以上的光刻胶喷量；步骤三、根据计算的光刻胶喷量依次进行对应次的光刻胶的涂布并由各次涂布的光刻胶叠加形成总光刻胶层。本发明能提高光刻胶涂布的平坦化效果，节省光刻胶的使用量以及节省工艺时间。
光刻胶光刻胶涂布衬底刻胶层总光沟槽式结构厚度计算平坦化涂胶机叠加分解

[发明专利]薄膜晶体管的制备方法-CN201610129011.9有效
发明人：张家朝;任思雨;苏君海;李建华 -专利权人：信利（惠州）智能显示有限公司
申请日： 2016-03-07 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一种薄膜晶体管的制备方法，包括如下步骤：在基板上依次形成半导体层及第一栅极绝缘层；在第一栅极绝缘层上形成光刻胶图案，光刻胶图案包括第一光刻胶层及第二光刻胶层，第一光刻胶层的厚度大于第二光刻胶层的厚度；以光刻胶图案为掩模，对半导体层及第一栅极绝缘层进行第一次刻蚀处理；除去第二光刻胶层；对第一栅极绝缘层进行第二次刻蚀处理，以除去至少部分第一栅极绝缘层未被第一光刻胶层覆盖的区域的厚度；除去第一光刻胶层；在第一栅极绝缘层上形成第二栅极绝缘层；在第二栅极绝缘层上形成栅极。
薄膜晶体管制备方法

[发明专利]一种器件的制造方法-CN202110977575.9有效
发明人：肖平;李新连;赵志国;赵东明;张赟;夏渊;秦校军;王雪玲;王森 -专利权人：中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司;华能新能源股份有限公司
申请日： 2021-08-24 - 公布日： 2023-02-07 - 主分类号： H10K30/81 文献下载
摘要：本申请提供一种器件的制备方法，在衬底上形成太阳能电池层，在太阳能电池层远离衬底的一侧形成光刻胶层，在光刻胶层远离衬底的一侧覆盖有掩膜版，掩膜版具有栅线形状图案；在掩膜版的遮掩下进行曝光，以在光刻胶层中形成曝光区域，显影溶液中洗去曝光区域的光刻胶层，形成显影槽，在显影槽内和光刻胶层远离衬底的一侧形成金属层，对光刻胶层和金属层进行冷热循环，以使显影槽侧壁的金属层断裂，形成断裂口，去除光刻胶层和光刻胶层远离衬底一侧的金属层即通过冷热循环使显影槽侧壁的金属层断裂，让光刻胶层表面的金属层和显影槽内的金属栅线断开，可促进有机溶剂和光刻胶的接触，提高脱膜效率，同时防止脱膜工序中将栅线去除，提高器件性能。
一种器件制造方法

[发明专利]一种光刻方法-CN202310149749.1在审
发明人：宋桢;韦亚一;张利斌 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2023-02-16 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本申请提供了一种光刻方法，该方法包括：获取待刻蚀结构，待刻蚀结构之上具有光刻涂层，光刻涂层包括交互堆叠的第一介质层和具有目标厚度的光刻胶层，且光刻涂层中第一介质层的数量比光刻胶层多一层，第一介质层的折射率小于光刻胶层的折射率；根据预设波长的光和具有目标尺寸数据的掩模版，对光刻涂层进行曝光；去除光刻胶层之上的第一介质层，并对光刻胶层进行显影，得到具有周期性结构的目标光刻胶层，目标光刻胶层用于对待刻蚀结构进行刻蚀。通过上述方法，能够让预设波长的光在光刻胶层中实现了超高分辨率的规则的周期性成像效果，从而可以实现超高分辨率的光刻。
一种光刻方法

[发明专利]铟柱焊点的制备方法、芯片衬底及芯片-CN202010624967.2有效
发明人：张文龙;杨楚宏;郑亚锐;张胜誉 -专利权人：腾讯科技（深圳）有限公司
申请日： 2020-07-01 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：所述方法包括：在衬底上涂敷第一光刻胶层，进行第一烘烤；在第一光刻胶层上涂敷第二光刻胶层，进行第二烘烤；对第二光刻胶层进行欠曝光，进行第三烘烤；对经欠曝光和第三烘烤后的第二光刻胶层进行显影和定影，以在第二光刻胶层上形成底切结构，该衬底带有光刻胶结构；对带有光刻胶结构的衬底进行泛曝光，进行第四烘烤；在经泛曝光和第四烘烤之后，刻蚀第一光刻胶层形成图形限制层；在图形限制层的定义图形位置处沉积铟材料形成铟柱焊点；将第一光刻胶层和第二光刻胶层从衬底上剥离
铟柱焊点制备方法芯片衬底

[发明专利]TFT基板的制作方法-CN201710370203.3有效
发明人：李吉 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2017-05-23 - 公布日： 2019-09-17 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：该方法通过采用含有可结晶析出的颜料的光刻胶材料形成光刻胶层，使得光刻胶层的表面形成若干毛刺结晶物，进而使得像素电极薄膜无法完全覆盖光刻胶层的表面，剥离液可以通过毛刺结晶物渗透到光刻胶层中对光刻胶层进行腐蚀，从而同时剥离光刻胶层及光刻胶层上的像素电极薄膜，得到像素电极，相比于现有技术，进行离地剥离时无需采用特别的光罩和光罩参数，也不需要进行等离子处理，能够简化TFT基板的制作流程，提升TFT基板的生产效率
tft 制作方法

[发明专利]光刻方法-CN202211287572.3在审
发明人：董俊;张其学;王雷;宋振伟 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2022-10-20 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明提供一种光刻方法，包括：提供表面涂覆有第一光刻胶层的衬底，在衬底中形成对准沟槽；对第一光刻胶层进行灰化处理，通入氧气参与反应的时间大于60s，同时形成隔离层；执行湿法清洗工艺；在衬底表面形成第二光刻胶层；在第二光刻胶层上形成特定图形；对第二光刻胶层上的特定图形的特征尺寸进行量测。本申请通过在零层刻蚀的过程中，先通入氧气时长大于60s来灰化处理第一光刻胶层，再湿法清洗以完全去除第一光刻胶层，可以在彻底清除零层刻蚀剩余的第一光刻胶层的同时，在对准沟槽内壁形成隔离层，以此隔绝衬底表面的电荷，避免了后续第二光刻胶层的图形的CD量测过程中发生电弧效应的情况，保证了第二光刻胶层的形貌的完整。
光刻方法