[发明专利]光刻胶去除方法及光刻胶重制方法在审
| 申请号： | 201910908698.X | 申请日： | 2019-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN110581065A | 公开（公告）日： | 2019-12-17 |
| 发明（设计）人： | 邱靖尧;谢玟茜;刘立尧;胡展源 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F7/42 |
| 代理公司： | 31211 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张彦敏 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及光刻胶去除方法及光刻胶重制方法，涉及半导体集成电路的制造技术，在光刻胶去除过程中，首先使用含氧的气体对光刻胶层进行第一次等离子体刻蚀，去除晶圆表面一定高度的光刻胶，并在晶圆表面保留一定高度的光刻胶，然后使用含氢的气体对剩余的光刻胶层进行第二次等离子体刻蚀，将剩余的光刻胶层全部去除，如此兼具了使用含氧的气体对光刻胶层进行等离子体刻蚀工艺和使用含氢的气体对光刻胶层进行等离子体刻蚀工艺的优点，而避免缺陷产生，进而提高半导体器件的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体刻蚀 光刻胶 刻胶层 光刻胶去除 光刻胶层 晶圆表面 含氧 去除 半导体集成电路 半导体器件 缺陷产生 良率 保留 制造 | ||
【主权项】：
1.一种光刻胶去除方法，其特征在于，包括：/nS1：提供一晶圆，在晶圆衬底上形成有介质层；/nS2：在介质层上形成光刻胶层；/nS3：使用含氧的气体对光刻胶层进行第一次等离子体刻蚀，从而去除晶圆表面部分高度的光刻胶，并在晶圆表面保留一定高度的光刻胶；以及/nS4：使用含氢的气体对光刻胶层进行第二次等离子体刻蚀，从而将圆表面所有的光刻胶去除。/n
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
