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[发明专利]阵列基板及制作方法、显示面板-CN202111576526.0在审
发明人：张盛东;周晓梁;廖聪维;林清平;杨欢;邹忠飞;钟德镇 -专利权人：昆山龙腾光电股份有限公司;北京大学深圳研究生院
申请日： 2021-12-21 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：一种阵列基板及制作方法、显示面板，该制作方法包括：在基底上形成扫描线和栅极，扫描线具有交叠部，交叠部的宽度小于或等于两倍的光刻胶缩进量，栅极的宽度大于两倍的光刻胶缩进量；在基底上形成第一绝缘层；在第一绝缘层上方形成有源层；在第一绝缘层上方涂布光刻胶层，以第一金属层掩模板，从基底远离光刻胶层一侧对光刻胶层进行光刻处理并形成光刻胶图案，栅极与光刻胶图案相对应，光刻胶图案与交叠部完全错开；在光刻胶层的上表面形成第二金属层，对第二金属层进行蚀刻以及去除光刻胶图案，第二金属层形成数据线、源极以及漏极，数据线在基底上的投影与交叠部在基底上的投影相重叠。
阵列制作方法显示面板

[发明专利]Ⅲ族化合物衬底的掩膜层制备方法-CN201310392230.2有效
发明人：张君 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2013-09-02 - 公布日： 2018-01-09 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：本发明提供的Ⅲ族化合物衬底的掩膜层制备方法，其包括以下步骤光刻胶沉积步骤，在镓化合物外延层表面沉积光刻胶；光刻胶曝光步骤，对光刻胶进行曝光；光刻胶显影步骤，对已曝光的光刻胶进行显影；掩膜蒸镀步骤，在光刻胶表面上以及未被光刻胶覆盖的镓化合物外延层表面上蒸镀至少一层隔离层，之后在隔离层表面上再蒸镀至少一层金属层；隔离层采用可防止金属层的金属材料扩散至镓化合物外延层的材料；金属层采用可提高掩膜层与镓化合物外延层的刻蚀选择比的材料；光刻胶剥离步骤，剥离光刻胶及其上的隔离层和金属层上述Ⅲ族化合物衬底的掩膜层制备方法，在保证不损伤镓化合物外延层表面的前提下提高掩膜层与镓化合物外延层的刻蚀选择比。
化合物衬底掩膜层制备方法

[发明专利]用于制造半导体晶片的外围遮光型掩膜结构及其制造方法-CN200810041066.X有效
发明人：唐光亚 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2008-07-25 - 公布日： 2010-01-27 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：一种用于制造半导体晶片的外围遮光型掩膜结构的制造方法，所述方法包括提供衬底，所述衬底包括覆盖该衬底的不透明层、覆盖的负光刻胶层、覆盖所述负光刻胶层的停止层、和覆盖所述停止层的正光刻胶层；所述方法包括图案化所述正光刻胶层，在所述正光刻胶层中形成一个或多个窗口；所述方法还包括移除所述一个或多个窗口中的被暴露的停止层，暴露部分负光刻胶层和图案化所述暴露部分的负光刻胶层；所述方法包括显影所述暴露部分的负光刻胶层和移除暴露部分的不透明层，暴露下面的部分衬底；所述方法进一步包括移除任何剩余部分的负光刻胶层、停止层和正光刻胶层，提供图案化的掩膜。
用于制造半导体晶片外围遮光膜结构及其方法

[发明专利]一种改善晶片边缘缺陷的方法-CN201610703068.5在审
发明人：孟鸿林;魏芳;朱骏;吕煜坤;张旭升 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2016-08-22 - 公布日： 2017-05-17 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善晶片边缘缺陷的方法，包括提供晶片并在所述晶片上涂覆负性的第一光刻胶层；对第一光刻胶层进行第一次晶片边缘曝光工艺以在晶片上形成仅覆盖晶片边缘第一宽度的环形的第一光刻胶层；在晶片及环形的第一光刻胶层上涂覆第二光刻胶层；对第二光刻胶层进行曝光宽度为第二宽度的第二次晶片边缘曝光工艺。本发明能够解决晶片边缘曝光工艺后光刻胶的光刻胶形貌在过渡性斜坡位置厚度均匀性不一导致刻蚀缺陷的问题。
一种改善晶片边缘缺陷方法

[发明专利]一种刻蚀方法-CN202311197945.2在审
发明人：李刘晶;刘恒;王俊;赵武;李顺峰 -专利权人：苏州长光华芯光电技术股份有限公司;苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
申请日： 2023-09-18 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明揭示了一种刻蚀方法，包括：步骤S1：提供基底结构，所述基底结构的材料为Ⅲ‑Ⅴ族化合物半导体材料；步骤S2：在所述基底结构上形成初始光刻胶层；步骤S3：对所述初始光刻胶层图形化以形成光刻胶层，所述光刻胶层包括顶部区域；步骤S4：采用碳氟基气体对光刻胶层的顶部区域进行等离子处理，以使光刻胶层的顶部区域的硬度大于所述顶部区域下方的光刻胶层的硬度；步骤S5：等离子处理之后，以光刻胶层为掩膜刻蚀基底结构；步骤S6：重复步骤
一种刻蚀方法

[发明专利]纳米尺寸图形化衬底的制备方法-CN201310705579.7在审
发明人：刘海鹰 -专利权人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2013-12-19 - 公布日： 2015-06-24 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种纳米尺寸图形化衬底的制备方法，包括以下步骤：在蓝宝石衬底上涂覆一层光刻胶，作为第一光刻胶层；在第一光刻胶层上生长硬掩膜；在硬掩膜上涂覆一层光刻胶，作为第二光刻胶层；利用纳米压印技术，将第二光刻胶层图形化；刻蚀硬掩膜，将硬掩膜图形化；刻蚀第一光刻胶层，将第一光刻胶层图形化；进行蓝宝石衬底的刻蚀，将蓝宝石衬底图形化。其有效降低了底部残留胶对蓝宝石衬底形貌的影响；且在进行蓝宝石衬底的刻蚀中，掩膜为金属/介质+光刻胶的双层复合结构，可获得较高尺寸的衬底图形；同时，相对于纯金属的掩膜，金属/介质+光刻胶的双层复合结构具有相对较低的选择比
纳米尺寸图形衬底制备方法

[实用新型]光刻胶去除用预处理装置及去除光刻胶所用的设备-CN202220948140.1有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：浙江拓感科技有限公司
申请日： 2022-04-22 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型的目的是针对现有技术剥离光刻胶的工艺由于受光刻胶外金属层的阻挡，去胶液很难与光刻胶接触，使得去胶时间长、效率低的不足，提供一种光刻胶去除用预处理装置及去除光刻胶所用的设备，光刻胶去除用预处理装置包括低温介质供应装置和晶圆固定装置一，低温介质供应装置包括低温介质供应管路和低温介质源，低温介质源内的低温介质通过低温介质供应管路供应到晶圆表面，位于晶圆表面的光刻胶及位于光刻胶外的金属层在低温介质的作用下产生冷缩从而金属层与光刻胶间产生裂隙，从而能使光刻胶暴露出来，当用去胶液去胶时去胶液可以直接作用在暴露的光刻胶表面，无需费时渗透去胶液，因此，可以提高后续光刻胶去除的效率。
光刻去除预处理装置所用设备

[发明专利]一种增大过孔层的过孔坡度角的方法-CN201611208823.9有效
发明人：杨永光;曾艳新;王浩;刘伟;任思雨;苏君海;黄亚清;李建华 -专利权人：信利（惠州）智能显示有限公司
申请日： 2016-12-23 - 公布日： 2019-05-07 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供了一种增大过孔层的过孔坡度角的方法，包括光刻步骤和刻蚀步骤，光刻步骤包括光刻胶涂胶步骤、真空干燥步骤、软烘步骤、曝光显影步骤；在光刻胶涂胶步骤中，将光刻胶涂覆在膜层上，在真空干燥步骤中，延长抽真空时间20％至50％，光刻胶上部硬度大于下部硬度；在曝光显影步骤中，光刻胶经曝光显影形成上宽中窄下宽的光刻胶过孔，光刻胶形成凸出的中部；在刻蚀步骤中，光刻胶凸出的中部先被灰化，光刻胶过孔下方的整个膜层表面以接近一致的速度灰化，形成坡度角为60至90度的过孔层过孔。实施本发明提供了一种增大过孔层的过孔坡度角的方法，能够形成坡度角为60至90度的过孔层过孔，同时降低过孔层的关键尺寸失真，使电路能有更好的搭接效果。
一种增大坡度方法

[发明专利]一种低成本精密芯片模具光刻掩膜的制备方法-CN201610283114.0有效
发明人：莫远东;弓满锋;莫德云;王小卉 -专利权人：岭南师范学院
申请日： 2016-05-03 - 公布日： 2020-01-07 - 主分类号： G03F1/80 文献下载
摘要：本发明涉及一种低成本精密芯片模具光刻掩膜的制备方法，所述方法具体包括如下步骤：S1：在基板上涂覆第一层光刻胶，在所述光刻胶上覆盖一层金属箔片，在所述金属箔片上涂覆第二层光刻胶；S2：对第一、二层光刻胶进行前烘处理，借助掩膜板对第二层光刻胶进行曝光和显影；对第二层光刻胶进行后烘处理；S3：对所述金属箔片进行蚀刻，然后对第一层光刻胶进行曝光和显影，再对第一层光刻胶进行后烘处理即得精密芯片模具光刻掩膜。本发明提供的制备方法制备得到的光刻掩膜的最低线宽不低于20um，光刻胶厚度可以达到200um～300um，所得光刻掩膜能满足精密芯片加工制作的要求。
一种低成本精密芯片模具光刻制备方法

[发明专利]一种半导体结构及其制作方法-CN202010047702.0有效
发明人：李天慧;于星;王科;秦俊峰;王凡 -专利权人：芯恩（青岛）集成电路有限公司
申请日： 2020-01-16 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构及其制作方法，包括以下步骤：提供一衬底，形成自下而上依次包括感光材料层及正显影光刻胶层的双层光刻胶层于衬底上；进行曝光；进行显影，得到开口；形成正显影光刻胶微缩材料层；进行加热处理，使正显影光刻胶微缩材料层与正显影光刻胶层的交界面处发生融合，得到交联层，交联层位于正显影光刻胶层侧壁的部分突出于感光材料层的侧壁；去除正显影光刻胶微缩材料层以再次显露开口，开口的顶部宽度小于底部宽度。本发明通过双层光刻胶层及微缩工艺得到顶部宽度小于底部宽度的开口，可以用于光刻胶剥离工艺。本发明可方便控制开口上部的微缩程度，具有很高的灵活性，同时工艺难度不高，有利于提高生产效率并降低生产成本。
一种半导体结构及其制作方法

[发明专利]一种PAD加厚层双层正胶光刻方法-CN202210716724.0在审
发明人：王浩旭 -专利权人：王浩旭
申请日： 2022-06-23 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明公开了一种PAD加厚层双层正胶光刻方法，包括以下步骤，固定基板；在基板的上表面均匀涂抹第一层正性光刻胶；在第一层正胶光刻胶的上方设置透明石英掩模，并对透明石英掩模进行曝光，对第一层正胶光刻胶进行光刻，光刻完成后，取下透明石英掩模；在第一层正胶光刻胶的顶部均匀涂抹第二层正性光刻胶；在第二层正胶光刻胶的上方设置使用图形石英掩模，并进行曝光，曝光完成后，取下图形石英掩模，得到双层正胶的基板，对基板进行显影，此时PAD图形已转移到基板上；再对基板进行金属镀膜，本方法，工艺稳定，可以代替负胶功能，弥补负胶厚度不足因素，剥离后加厚层侧壁毛边少，去胶溶剂易进入光刻胶的底部，更利于光刻胶剥离。
一种 pad 加厚双层光刻方法

[发明专利]用于光刻应用的光刻胶层上碳的选择性沉积-CN202180032526.6在审
发明人：拉里·高;南希·冯 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-03-17 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：一种蚀刻硬掩模层的方法，包括在包含含金属材料的硬掩模层上形成包含有机金属材料的光刻胶层，通过具有选定图案的掩模将光刻胶层暴露于紫外线辐射，去除光刻胶层的未照射区域以图案化光刻胶层，在经图案化的光刻胶层的顶表面上选择性地形成包含含碳材料的钝化层，及蚀刻由上面形成有钝化层的经图案化的光刻胶层暴露的硬掩模层。
用于光刻应用胶层上碳选择性沉积

[发明专利]光刻胶和光刻胶图形的优化方法-CN201010192857.X无效
发明人：林益世;黄宜斌 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2010-05-27 - 公布日： 2011-11-30 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：一种光刻胶和光刻胶图形的优化方法，所述光刻胶包括有用于与金属离子配位键合而生成螯合物的螯合剂。所述优化方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底表面涂布有光刻胶层，所述光刻胶层中包含有离散的金属离子；通过曝光显影将掩模版上的图案转移至所述光刻胶层上，形成光刻胶图形；所述光刻胶包括有用于与金属离子配位键合而生成螯合物的螯合剂相较于现有技术，本发明的光刻胶层中包括螯合剂，使得所述螯合剂与所述金属离子配位键合而生成螯合物，能够有效避免所述金属离子与光刻胶中的聚合物生成不易清除的凝胶并防止在显影时清除不干净而产生缺陷，从而提高半导体器件的成品率
光刻图形优化方法

[发明专利]一种改善厚金属层LIFT OFF工艺图形异常的方法-CN201811286341.4有效
发明人：孙建洁;张世权;洪成强;王涛;高向东 -专利权人：无锡中微晶园电子有限公司
申请日： 2018-10-31 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：本发明属于半导体集成电路工艺技术领域，涉及一种改善厚金属层LIFT OFF工艺图形异常的方法，具体为光刻胶涂布‑光刻胶曝光‑光刻胶显影‑厚金属层沉积‑贴蓝膜‑蓝膜剥离‑光刻胶剥离；本发明LIFT OFF工艺方法，在金属沉积过程中，采用低温工艺避免了光刻胶塌胶，采用低转速的多次蒸发工艺，结合蓝膜辅助剥离法，不仅降低了光刻胶的厚度，而且避免了较厚的金属层（3um以上）在光刻胶上倾斜倒塌和光刻胶裂纹所导致的图形异常，从而最终实现厚金属层LIFT OFF工艺。
一种改善金属 lift off 工艺图形异常方法

[发明专利]钝化光刻胶表面的方法以及光刻方法-CN200910053501.5有效
发明人：王新鹏;黄怡;韩秋华;沈满华 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-06-19 - 公布日： 2010-12-29 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：一种钝化光刻胶表面的方法，包括如下步骤：提供半导体衬底；在半导体衬底表面形成图形化的光刻胶层；对所述图形化的光刻胶层的表面进行等离子体处理以钝化其表面，通过光刻胶层表面的气体中含有氮气和氢气。本发明的优点在于，采用氮气和氢气所组成的等离子体对光刻胶进行钝化处理，在光刻胶层表面形成一层致密的钝化层，因此能够阻挡后续刻蚀工艺对光刻胶层的影响，延长其耐受蚀刻的时间，确保图形转移的质量。
钝化光刻表面方法以及