专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种用负性光刻制作背照式影像传感器深沟槽的方法-CN201310012234.3有效
  • 李平 - 陆伟
  • 2013-01-14 - 2013-05-15 - H01L27/146
  • 本发明涉及一种用负性光刻制作背照式影像传感器深沟槽的方法,包括以下步骤,器件晶圆与逻辑晶圆键合后,对晶圆表面氧化物进行刻蚀,至露出四乙氧基硅;在刻蚀后的晶圆表面上淀积一隔离氧化物;在隔离氧化物上涂覆一负性光刻,通过光刻在负性光刻上制作出负性光刻图形,确定刻蚀沟槽的区域;以负性光刻图形为掩蔽进行沟槽刻蚀;沟槽刻蚀后,在硅片上再涂覆一负性光刻,通过光刻在负性光刻上制作出负性光刻图形,以负性光刻图形为掩蔽刻蚀通孔本发明通过利用负性光刻制造高深宽比的沟槽,提高影像传感器的质量。
  • 一种用负性光刻制作背照式影像传感器深沟方法
  • [发明专利]一种制作微元件的方法-CN200810118652.X有效
  • 于中尧;张瑶;杨栈茨 - 博奥生物有限公司;清华大学
  • 2008-08-21 - 2010-02-24 - B81C1/00
  • 该方法有两种,其一包括如下步骤:1)在基底表面制作环化橡胶负性光刻;2)在环化橡胶负性光刻上制作环氧基负性光刻;3)进行光刻,得到微元件。另一种包括如下步骤:i)先在基底表面沉积电镀金属;ii)在金属表面制作环化橡胶负性光刻;iii)在环化橡胶负性光刻上制作环氧基负性光刻;iv)光刻,得到具有三维微结构的器件;v)在具有三维微结构的器件上镀金属;vi)去除剩余的环氧基负性光刻和环化橡胶负性光刻,得到微元件。本发明的制作微元件的方法中使用环化橡胶负性光刻避免出现环氧基负性光刻在基底表面的龟裂和剥离。
  • 一种制作元件方法
  • [发明专利]自对准双重图形的形成方法-CN201210333005.7有效
  • 祖延雷;胡华勇;林益世 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2012-09-10 - 2014-03-26 - H01L21/02
  • 一种自对准双重图形的形成方法,包括:提供待刻蚀材料;在所述待刻蚀材料上形成牺牲光刻;将所述牺牲光刻进行固化;在所述牺牲光刻的侧壁表面形成第一掩膜图形;去除所述牺牲光刻。由于所述牺牲光刻进行固化后,牺牲光刻的硬度提高,形成第一掩膜图形过程中的第一掩膜材料产生的应力不会使得牺牲光刻发生形变,使得牺牲光刻的侧壁依然垂直于待刻蚀材料表面,使得后续形成于所述牺牲光刻侧壁表面的第一掩膜图形的侧壁垂直于待刻蚀材料表面,最终对待刻蚀材料进行刻蚀形成的刻蚀图形的侧壁形貌较佳。
  • 对准双重图形形成方法
  • [发明专利]半导体结构的形成方法-CN201210062523.X无效
  • 胡华勇;伍强;顾一鸣 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2012-03-09 - 2013-09-18 - G03F7/20
  • 一种半导体结构的形成方法,包括步骤:提供基底;在所述基底上依次形成负光刻和正光刻;对所述负光刻和正光刻进行曝光,所述曝光的曝光能量具有第一阈值和第二阈值,且第一阈值大于第二阈值,在第一阈值的曝光能量作用下在正光刻中形成第一曝光区,在第二阈值的曝光能量作用下在负光刻中形成第二曝光区,第二曝光区的宽度大于第一曝光区的宽度;进行第一显影,去除正光刻中的第一曝光区,形成第一开口;沿所述第一开口刻蚀负光刻的第二曝光区,形成第二开口;去除正光刻;进行第二显影,去除负光刻的第二曝光区以外的光刻
  • 半导体结构形成方法
  • [发明专利]减小曝光图形宽度的光刻方法-CN200810041141.2无效
  • 冯士祯;崔彰日 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2008-07-29 - 2010-02-03 - H01L21/027
  • 一种减小曝光图形宽度的光刻方法,包括如下步骤:提供表面具有光刻的半导体衬底;对光刻进行曝光,在光刻中定义图形;采用含三价态氮原子的钝化剂与曝光后的光刻发生钝化反应,钝化剂中的三价态氮原子与存在于光刻曝光部分表面的氢离子结合,在光刻曝光部分表面及侧面形成包覆层;对钝化后的光刻进行显影处理,除去光刻中的未曝光部分,保留包覆层和被包覆层包裹的光刻中的曝光部分。本发明的优点在于,采用含有三价态氮原子的钝化剂对光刻曝光部分表面以及侧面的氢离子结合,形成包覆层,降低未曝光部分的图形宽度,突破了波长对最小宽度的限制,可以得到具有更小宽度的图形。
  • 减小曝光图形宽度光刻方法
  • [发明专利]光刻的去除方法-CN201210077046.4无效
  • 王兆祥;杜若昕;杨平;刘志强 - 中微半导体设备(上海)有限公司
  • 2012-03-21 - 2012-07-25 - H01L21/3065
  • 一种光刻的去除方法,包括:提供基底,所述基底表面依次具有刻蚀阻挡、低k介质和图案化的掩膜,其中掩膜至少包括有机光刻,所述低k介质内具有暴露出刻蚀阻挡的开口,所述开口暴露出的刻蚀阻挡表面具有含氟的聚合物;采用第一光刻去除工艺去除部分有机光刻的同时将含氟的聚合物中的氟释放;采用第二光刻去除工艺去除剩余的有机光刻。本发明实施例的光刻去除方法去除有机光刻效果佳且不会损伤低k介质
  • 光刻去除方法
  • [发明专利]显示装置及其制作方法-CN202111010915.7有效
  • 宋文清;郭威宏 - 友达光电股份有限公司
  • 2021-08-31 - 2023-06-27 - H01L33/44
  • 显示装置包括:基板、元件、电极图案光刻图案以及发光元件。元件设置于基板上。电极图案设置于元件上,电极图案具有多个电极。光刻图案设置于电极图案上,光刻图案具有:第一光刻图案,对应于显示区而设置,且第一光刻图案对应于电极而设置;第二光刻图案,对应于非显示区而设置,且第二光刻图案设置于电极之间的位置。发光元件设置于光刻图案上,且电性连接到电极图案的电极。
  • 显示装置及其制作方法
  • [发明专利]一种RDL布线的制备方法-CN201410345835.0在审
  • 黄莉;薛海韵;张文奇 - 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
  • 2014-07-18 - 2014-10-29 - H01L21/768
  • 本发明公开了一种RDL布线的制备方法,包括:采用光刻技术,对衬底上的光刻进行曝光,以形成剩余光刻图形,其中,所述剩余光刻图形的底部出现钻蚀;对所述剩余光刻图形进行刻蚀修饰,去除所述剩余光刻图形上的钻蚀,以形成重布线图形和光刻衬底图形;电镀金属以形成重布线线条,并去除所述光刻衬底图形。本发明提供的一种RDL布线的制备方法,通过刻蚀修饰剩余光刻图形,以去除钻蚀,再电镀金属,形成了RDL布线,具有工艺成本降低、改善器件性能和制备出良好的细线宽线距RDL布线的优势。
  • 一种rdl布线制备方法
  • [发明专利]显示面板的制造方法和显示面板-CN201710297399.8在审
  • 詹裕程;李栋 - 京东方科技集团股份有限公司
  • 2017-04-28 - 2017-08-25 - H01L21/84
  • 该方法包括在衬底层上形成有源;在形成有有源的衬底层上形成光刻图案,光刻图案包括第一光刻区、第二光刻区和光刻完全去除区;去除与光刻完全去除区对应的有源,得到有源图案;去除第二光刻区的光刻;对第二光刻区对应的有源图案进行预设处理,使第二光刻区对应的有源图案能够与源漏极形成欧姆接触。本发明通过形成具有不同厚度区域的光刻图案,进而使得能够在源漏极形成前对有源的接触区域进行预设处理。解决了相关技术中漏极与有源图案之间的接触电阻仍然较大的问题。达到了源漏极与有源图案之间的接触电阻较小的效果。
  • 显示面板制造方法

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