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[发明专利]一种桥墩防船撞装置的施工方法-CN202310813096.2在审
发明人：赵波涌;王卿;夏昌;李文武;崔剑峰;卜式;黄义飞;乔秋衡;陈亮;张铭;张龙;周旋;徐弘毅;石晓冬;罗朝荣;陈标 -专利权人：湖南省交通规划勘察设计院有限公司
申请日： 2023-07-04 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： E01D21/00 文献下载
摘要：本发明提供一种桥墩防船撞装置的施工方法，应用于桥墩防船撞装置，桥墩防船撞装置与桥墩间隔设置，桥墩防船撞装置包括支撑结构、防撞结构以及多个用于缓冲消能的护舷，而防撞结构包括底座、防撞墙以及加固结构，加固结构与防撞墙之间合围形成供压重材料填充的压料空间，如此相比于现有的分离式防撞装置自重更轻，但结构强度稳定，增设系梁结构可用于防止船舶侧撞桥墩，同时让两个防撞结构协同受力，防撞墙呈圆弧状设置可减小波流力，既保护桥梁也保护船舶，且采用压重材料填充可减少混凝土方量，避免大体积混凝土浇筑，同时设置护舷可缓冲吸收撞击所产生的能量，从而起到同时保护船舶、桥梁以及防撞结构的效果。
一种桥墩防船撞装置施工方法

[发明专利]一种退火载盘的制备方法及退火载盘-CN202310873238.4在审
发明人：任娜;冉飞荣;盛况;徐弘毅 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2023-07-14 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本发明涉及半导体领域，特别涉及一种退火载盘的制备方法及退火载盘。包括载盘圆环和透光率小于待加工晶圆的载盘晶圆片，载盘晶圆片具有尺寸略大于待加工晶圆工作区域和外侧的载盘圆环区域，将载盘圆环通过粘合层与载盘圆环区域相键合后，形成退火载盘。将载盘圆环设置于工作区域的外侧，避免待加工晶圆与载盘之间的相互滑动，也降低了待加工晶圆在退火时由于气流的影响导致的滑落；同时，待加工晶圆本身具有一定的透光率，热辐射或者红外辐射的能量不能很好的吸收，导致升温速度慢，选用透光率低于待加工晶圆的载盘晶圆片，通过载盘晶圆片吸收热辐射或者红外辐射的能量，再将热量传递给待加工晶圆，从而快速、有效的达到待加工晶圆的退火温度。
一种退火制备方法

[发明专利]异质结绝缘栅场效应管及其制造方法、半导体器件-CN202310773208.6有效
发明人：盛况;任娜;徐弘毅 -专利权人：浙江大学
申请日： 2023-06-28 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本公开涉及异质结绝缘栅场效应管及其制造方法、半导体器件。该异质结绝缘栅场效应管包括：第一材料结构；第二材料结构，与第一材料结构堆叠构成半导体结构，第二材料结构的碳含量小于第一材料结构的碳含量；栅极，沿堆叠的方向贯穿第二材料结构；以及氧化层，位于栅极与半导体结构之间，包括：对应第一材料结构的第一氧化部和对应第二材料结构的第二氧化部。该异质结绝缘栅场效应管可以实现较高的沟道迁移率，并且保证了异质结材料间的能带差没有明显影响器件整体的导通电压。
异质结绝缘场效应及其制造方法半导体器件

[发明专利]一种评估离子注入工艺的监测方法-CN202310887411.6在审
发明人：谭学仕;任娜;盛况;徐弘毅 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2023-07-18 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明提供了一种评估离子注入工艺的监测方法，包括：提供晶圆衬底，在所述晶圆衬底表面依次形成二氧化硅层和多晶硅层，形成离子注入的陪片；将若干陪片和待检测的正片一同完成离子注入工艺，对所述陪片进行激活退火；对不同陪片刻蚀至不同厚度，获取不同厚度的方阻监测数据；获取相同离子注入工艺条件下的基准样品以及对应的基准方阻值；根据陪片多晶硅层中不同厚度的方阻监测数据与基准方阻值的偏差，评估待检测的正片在相同离子注入工艺条件下不同时间和批次间的偏差及判定结果。本发明实现了生产现场便捷对离子注入品质的评估与控制，并解决了一些量测所需加工工艺对待检测的正片带来的不利影响。
一种评估离子注入工艺监测方法

[发明专利]沟槽型绝缘栅场效应管器件及其制造方法、电子元件-CN202310948875.3在审
发明人：任娜;盛况;林超彪;徐弘毅 -专利权人：浙江大学
申请日： 2023-07-31 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本公开涉及沟槽型绝缘栅场效应管器件及其制造方法、电子元件。该方法包括：形成依次堆叠的预制复合衬底、预制沟道层及预制第一源接触区，预制第一源接触区具有第一掺杂类型；形成贯穿预制第一源接触区的第二源接触区；形成图案化的第一掩膜；通过第一掩膜刻蚀形成第一沟槽段，第一沟槽段贯穿预制第一源接触区及预制沟道层，并延伸入预制复合衬底，第一沟槽段与第二源接触区沿第一方向相对并被预制第一源接触区间隔；通过第一掩膜对第一沟槽段的沿第一方向相对两个侧壁面中的第一侧壁面进行第一离子注入工艺，形成第一保护区，第一保护区具有第二掺杂类型；以及去除掩膜。该方法可以较容易地制造可靠性较好的沟槽型绝缘栅场效应管器件。
沟槽绝缘场效应器件及其制造方法电子元件

[发明专利]集成低势垒二极管的沟槽型绝缘栅场效应管及其制造方法-CN202310492983.4有效
发明人： 徐弘毅;盛况;任娜 -专利权人：浙江大学
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本公开涉及集成低势垒二极管的沟槽型绝缘栅场效应管及其制造方法。该方法包括：在预制半导体结构形成第一槽，预制半导体结构包括叠层结构和第二源接触区，第一槽与第二源接触区被第一源接触区隔开，第一槽贯穿第一源接触区和沟道层并延伸入第一扩散区；形成具有第一掺杂类型的第二扩散区，第二扩散区至少自第一槽的底面沿堆叠方向贯穿保护层并延伸入复合衬底；在预制半导体结构形成第二槽，第二槽贯穿第一源接触区及沟道层，第二槽暴露出第一扩散区；形成位于第一槽内的栅氧结构；以及形成位于第二槽内的源极延伸部，其中，源极延伸部与第一扩散区实现电性接触。该方法可以制造退化风险较低的集成低势垒二极管的沟槽型绝缘栅场效应管。
集成低势垒二极管沟槽绝缘场效应及其制造方法

[发明专利]一种电机编码器闭环控制方法-CN202310455297.X在审
发明人：康少波;沈弘艺;徐弘毅 -专利权人：厦门理工学院
申请日： 2023-04-25 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H02P21/22 文献下载
摘要：本发明公开一种电机编码器闭环控制方法，包括以下步骤：配置电机参数，所述电机参数包括电机额定电压、额定电流、电机惯性和阻尼；读取电机编码器的反馈信号，并将所述反馈信号转换为电机角度信息，计算出电机的位置误差；通过串级PID控制算法调整电机电流命令，使所述位置误差尽可能小；计算位置误差量，根据位置误差量形成电机转矩和速度的控制量；将所述控制量转换为电流命令发送至电机驱动器，电机驱动器将电机转速或电机位置调整到期望值附近；重复执行以上步骤。本发明的电机编码器闭环控制方法能够提高电机控制精度和抗干扰能力，实现机器人移动的精确控制。
一种电机编码器闭环控制方法

[发明专利]一种编码纠错的抗辐照数据补偿存储加固系统-CN202310349693.4在审
发明人：胥志毅;陈原;徐弘毅;邬天恺;高文辉;宋赟 -专利权人：中国电子科技集团公司第十四研究所
申请日： 2023-04-04 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： G11C29/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种编码纠错的抗辐照数据补偿存储加固系统，包括FLASH操作控制模块、补偿数据编码模块、补偿数据译码模块、投票表决模块和FLASH存储器；FLASH操作控制模块完成对FLASH存储器中数据的读取、写入与擦除操作；执行读取操作时，根据投票表决模块反馈的表决结果决定是否对FLASH内部错误数据进行改写；补偿数据编码模块对写入数据按要求进行补偿数据编码后写入FLASH存储器中；补偿数据译码模块对从FLASH存储器读取的数据进行汉明译码；投票表决模块根据数据读取指令从FLASH存储器中读取数据进行投票表决并反馈。本发明降低了在轨工作过程中雷达阵面补偿数据受到破坏的概率，使得高可靠性阵面控制系统下的大规模雷达阵面能够有效降低单粒子翻转的影响。
一种编码纠错辐照数据补偿存储加固系统

[发明专利]用于清洗晶圆的方法、用于制造集成电路的方法-CN202310479376.4在审
发明人：盛况;任娜;熊丹妮;徐弘毅 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2023-04-26 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本公开涉及用于清洗晶圆的方法、用于制造集成电路的方法。该用于清洗晶圆的方法包括：以第一转速转动晶圆，其中，晶圆的待清洗面沿转动轴线朝向一侧；对待清洗面的转动中心进行喷水；以第二转速转动经历过喷水步骤的晶圆，其中，第二转速大于或等于第一转速；以及烘烤经历过以第二转速转动步骤的晶圆。该方法可以实现对表面沾污有颗粒的晶圆进行良好的清理。
用于清洗方法制造集成电路

[发明专利]基于信道化正交匹配追踪的信号重构方法及系统-CN202010911903.0有效
发明人： 徐弘毅;李阳;武思军;张保庆 -专利权人：北京电子工程总体研究所
申请日： 2020-09-02 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H04L1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于信道化正交匹配追踪的信号重构方法及系统，所述方法包括：对接收信号的每个信道进行均匀分块，构建信道化模型；对信道化模型进行信号检测筛选得到存在信号占用的信道；通过基于残差衰减斜率的识别方法识别得到信号占用的信道中的信号原子并进行信号重构，本发明提供了一种基于CS模型和残差衰减斜率判别的贪婪类重构算法，支持CS接收机有效接收非合作方的多窄带通信信号，具有对未知信号的自适应精确重构能力和对噪声的强鲁棒性。
基于信道正交匹配追踪信号方法系统

[发明专利]图案晶圆的正面保护方法-CN202310273053.X在审
发明人：任娜;成骥;盛况;徐弘毅 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2023-03-15 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本申请涉及图案晶圆的正面保护方法。该方法包括如下步骤：提供图案晶圆；在所述图案晶圆的正面贴覆保护层，得到待加工件；所述保护层用于直接接触所述图案晶圆的一侧配置为具有粘性及弹性形变特性，所述保护层上背离所述图案晶圆的一侧配置为光滑表面；将所述待加工件上设置有保护层的一侧放置于激光加工平台；对所述图案晶圆的背面进行激光退火处理；将所述保护层撕离，得到洁净状态的图案晶圆。采用本申请的图案晶圆的正面保护方法，在对图案晶圆的背面在进行激光退火时，图案晶圆的正面不会被磨损或破坏。
图案正面保护方法

[外观设计]四层键盘防尘展示柜-CN202330125952.6有效
发明人： 徐弘毅;康少波 -专利权人：厦门理工学院
申请日： 2023-03-17 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： 20-02 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：四层键盘防尘展示柜。2.本外观设计产品的用途：用于存放并展示键盘，保证键盘不受灰尘污染。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
键盘防尘展示

[发明专利]一种晶片的CVD加工方法及CVD加工系统-CN202310278101.4在审
发明人：任娜;韦丽明;盛况;徐弘毅 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2023-03-15 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明涉及半导体领域，特别涉及一种晶片的CVD加工方法及加工系统。根据不同的待加工目标晶片的数量和CVD机台的薄膜沉积速率的数据模型，确定适合的CVD机台的装载量和相应的CVD机台的薄膜沉积速率，不同的装载量N下，CVD机台的薄膜沉积速率D＝薄膜厚度H0/沉积时间t0，将待加工目标晶片和对应数量的假片一起装入CVD机台的石英舟进行薄膜沉积，薄膜厚度均匀稳定的目标晶片。通过调整装载量N，使得待加工目标晶片的数量灵活，待加工目标晶片的数量根据实际加工需要进行选择，增加了对待加工目标晶片数量的灵活调控能力，不需要假片补足到机台最大加工通量，将减少假片的使用数量，降低生产成本，提高生产效率。
一种晶片 cvd 加工方法系统

[发明专利]半导体薄膜的加工方法、装置、系统和计算机设备-CN202310150187.2在审
发明人：韦丽明;盛况;任娜;徐弘毅 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2023-02-09 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：上述半导体薄膜的加工方法、装置、系统和计算机设备，基于预设厚度确定参考半导体薄膜的第一加工模型；其中，所述参考半导体薄膜的衬底片为硅片；基于所述预设厚度以及目标半导体薄膜的第一预设衬底片数确定所述目标半导体薄膜的第二加工模型；其中，所述目标半导体薄膜的衬底片为碳化硅片；基于所述第一加工模型以及第二加工模型确定目标加工模型；控制化学气相沉积工艺设备基于所述目标加工模型对所述目标半导体薄膜进行加工。上述方法，基于第一加工模型和第二加工模型的关系，获取目标加工模型，以准确度高的第一加工模型为基准，获取的目标加工模型能提升以碳化硅为衬底片的半导体薄膜加工的准确度并且缩短设备调试时间，节省调试成本。
半导体薄膜加工方法装置系统计算机设备

[实用新型]一种联动式喷雾-CN202223574710.4有效
发明人： 徐弘毅 -专利权人：杭州宅电舍贸易有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： B05B11/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种联动式喷雾，包括瓶体、第一壳体以及第二壳体，所述瓶体设置于第一壳体内，所述瓶体上可拆卸的连接有按压组件，所述按压组件设置于第二壳体内；所述第二壳体与所述第一壳体可拆卸连接，所述第二壳体内设置有哨子气囊，所述第二壳体的顶部具有弹性的按压部，所述第二壳体的侧面还设置有与所述按压组件连通的出水嘴。上述技术方案的有益效果为：设置的第一壳体和第二壳体对瓶体以及按压组件都做了一个外延，使得按压组件能够和第二壳体内的哨子气囊产生联动，在按下第二壳体的按压部时，哨子气囊和按压组件能够被同步按压，哨子气囊发声，而按压组件能够将瓶体内的液体喷出，娱乐性更强。
一种联动喷雾

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