专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]显示面板-CN202010085057.1有效
  • 于晓平 - TCL华星光电技术有限公司
  • 2020-02-10 - 2023-10-17 - H01L27/12
  • 本申请提供一种显示面板,其包括基板、至少一金属、暗化和功能,至少一金属设置在基板上;暗化覆盖在至少一金属上;功能覆盖在暗化上;光刻在所述功能上的附着力大于所述光刻在所述暗化上的附着力,所述功能在所述暗化上的附着力大于所述光刻在所述暗化上的附着力。本申请显示面板通过在暗化上设置一功能,使得在金属光刻制程,光刻在功能上的附着力大于现有技术中光刻在暗化的附着力,以及功能在暗化上的附着力大于现有技术中光刻在暗化的附着力,进而提高了光刻的附着力,降低了光刻剥离的风险。
  • 显示面板
  • [发明专利]一种制作大高宽比X射线衍射光栅的方法-CN201110281242.9无效
  • 谢常青;方磊;朱效立;李冬梅;刘明 - 中国科学院微电子研究所
  • 2011-09-21 - 2011-12-21 - G02B5/18
  • 本发明公开了一种制作大高宽比X射线衍射光栅的方法,包括:将硅片制作成掩模;在该掩模正面中心部分形成由多个光刻线条构成的第一光刻图形;在该第一光刻图形的光刻线条之间形成金,并用丙酮去除光刻线条,形成第一掩模板;将硅片制作成基底;在该基底上旋涂一光刻,将该第一掩模板倒扣于该基底上,使用X射线进行曝光,在该基底表面中心部分形成由多个光刻线条构成的第二光刻图形;在该第二光刻图形的光刻线条之间形成金,形成第一基底;将该第一基底正面中心部分的金制作成镂空无支撑的图形结构;在该第一基底的正面蒸发金,增加该镂空无支撑的图形结构中光栅线条的厚度,完成器件的制作。
  • 一种制作大高宽射线衍射光栅方法
  • [发明专利]实现再布线金属光刻的方法-CN201510325804.3有效
  • 刘尧;陈福成 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2015-06-12 - 2019-05-28 - H01L21/027
  • 一种实现再布线金属光刻的方法,包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底内形成有贯穿其部分厚度的孔,所述半导体衬底和孔的内壁表面覆盖有金属;在所述半导体衬底表面旋涂光刻;对旋涂的所述光刻进行处理使其填充满所述孔;当光刻填充满所述孔之后,对其进行软烘、曝光、显影和硬烘,形成图形化的光刻;以所述图形化的光刻为掩膜,刻蚀金属形成再布线金属。消除了旋涂光刻时孔内形成的气泡,提高了形成的图形化的光刻的质量,后续形成的再布线金属的良率高,半导体产品的良率高。
  • 实现布线金属光刻方法
  • [发明专利]通孔形成方法-CN201911007775.0在审
  • 吴佳蒙;史波;肖婷;敖利波 - 珠海格力电器股份有限公司
  • 2019-10-22 - 2021-04-23 - H01L21/768
  • 本发明公开了一种通孔形成方法,首先在半导体衬底上沉积光刻,通过图案化光刻,去除除预设通孔的预设位置以外的光刻,在通孔的预设位置处形成了光刻凸起,再沉积间介质覆盖形成有光刻凸起的半导体衬底紧接着对沉积的间介质进行刻蚀,至暴露出光刻凸起,最后,去除光刻,即可在预设位置形成通孔。将原需要靠刻蚀直接在间介质形成的通孔,通过在通孔位置预先用光刻覆盖,保证了一定的开孔率,改善了通孔的形貌,有益于后续的金属填充并能减少漏电,增加半导体器件产出良率,提高半导体器件性能。
  • 形成方法
  • [发明专利]光刻去除方法及去除装置-CN202011240233.0在审
  • 郗宁;谷雯 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2020-11-09 - 2022-05-10 - G03F7/42
  • 本发明实施例提供一种光刻去除方法及去除装置,光刻去除方法包括:提供衬底以及位于所述衬底上的光刻,所述光刻包括内核以及覆盖所述内核表面的外壳,所述外壳掺杂的离子浓度大于所述内核掺杂的离子浓度;对所述光刻进行至少一次去壳处理,直至去除全部所述外壳;其中,单次所述去壳处理包括:对所述外壳进行水汽处理,以软化至少部分所述外壳,形成软外壳;去除所述软外壳;去除全部所述外壳之后,去除所述内核本发明实施例有利于解决去除光刻时发生光刻鼓泡破裂,产生聚合物杂质,进而产生大量缺陷,影响半导体器件良率的问题。
  • 光刻去除方法装置
  • [发明专利]去除高剂量离子注入后的光刻的方法-CN201210292492.7有效
  • 胡春周 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2012-08-16 - 2014-02-19 - G03F7/42
  • 本发明公开一种去除高剂量离子注入后的光刻的方法,包括步骤:在半导体衬底上依次形成保护、掩膜光刻;图案化所述光刻以定义离子注入区域并暴露部分所述掩膜;湿法去除所述暴露的掩膜;对所述衬底执行离子注入;进一步湿法去除位于保护和所述光刻之间的掩膜以暴露所述光刻的内部区域;湿法去除所述光刻。本发明可以在一个湿刻蚀步骤中把受到高剂量离子注入的光刻通过其内部区域把之彻底去除,由于省略了现有技术中在含氧气氛中灰化的步骤,所以不会对晶片造成损害。
  • 去除剂量离子注入光刻方法
  • [发明专利]半导体结构的制作方法-CN202110420332.5有效
  • 田俊;黄永彬;黄峰;叶蕾 - 上海积塔半导体有限公司
  • 2021-04-19 - 2023-08-22 - H01L21/762
  • 包括步骤:提供基底,于基底上形成刻蚀阻挡;于刻蚀阻挡上形成正光刻,利用有源区光罩对正光刻进行曝光显影以在正光刻内形成开口,对开口内的刻蚀阻挡及基底进行刻蚀以于基底内形成浅沟槽,浅沟槽位于有源区之间;去除残余的正光刻以暴露出刻蚀阻挡,于浅沟槽内及刻蚀阻挡的表面形成绝缘材料;于绝缘材料的表面形成负光刻,利用有源区光罩对负光刻进行曝光显影以去除位于有源区上方的负光刻;去除位于有源区上方的绝缘材料;去除浅沟槽上方的负光刻
  • 半导体结构制作方法
  • [发明专利]一种光刻方法-CN201110147434.0有效
  • 赵志勇;杨兆宇 - 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司
  • 2011-06-02 - 2012-12-05 - H01L21/027
  • 本发明实施例公开了一种光刻方法,包括:提供一半导体晶片,所述晶片表面包括掩蔽,所述掩蔽表面光滑;使所述晶片接触具有氧化作用的溶液,以使所述掩蔽表面变粗糙;在所述晶片表面形成光刻,进行光刻过程。本发明实施例所提供的光刻方法,通过在涂布光刻之前,增加了湿法化学清洗的步骤,可以使原本光滑的掩蔽表面变粗糙,从而使后续的涂布的光刻与表面变粗糙后的掩蔽之间的粘附力大大增强,从而使光刻中尺寸较小的光刻区域能够紧固的附着在掩蔽上,进而在很大程度上避免了光刻现象的发生。
  • 一种光刻方法

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