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[发明专利]基板处理装置和基板处理方法-CN202211650253.4在审
发明人：金玟秀;朴相俊;朴周焕;赵炳哲;陈光善 -专利权人：圆益IPS股份有限公司
申请日： 2022-12-21 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供一种利用了基板处理装置的基板处理方法，其包括：对基板支撑部和气体喷射部进行加热的步骤，使上述气体喷射部的温度，等于或低于上述基板支撑部的温度；向等离子体反应器供应包含含卤气体的反应气体的步骤；向上述等离子体反应器施加电力后将含卤气体激活使其生成自由基的步骤；通过上述气体喷射部将自由基供应至安装在上述基板支撑部上的上述基板上，并对多个第二绝缘层而言，有选择性地对多个第一绝缘层沿侧向至少进行部分蚀刻的步骤。
处理装置方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN201910156241.8有效
发明人：金吉松 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2019-03-01 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：一种半导体器件及其形成方法，其中，形成方法包括：提供待刻蚀层，所述待刻蚀层包括若干相互分立的第一区，若干相互分立的所述第一区沿第一方向排布；在所述待刻蚀层的第一区内形成分割目标槽；在所述分割目标槽内形成分割结构，所述分割结构材料的介电常数大于待刻蚀层材料的介电常数；在所述待刻蚀层的第一区内形成第一目标槽，所述第一目标槽在第二方向上被分割结构切断，且所述第二方向与第一方向垂直。所形成的半导体器件的性能较好。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]半导体器件的制备方法及半导体器件-CN202311162797.0在审
发明人：姚松;郭少辉;乔学军;陈峰 -专利权人：粤芯半导体技术股份有限公司
申请日： 2023-09-11 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件的制备方法及半导体器件，包括：提供衬底；于所述衬底上形成氧化层；于所述氧化层上形成掩膜；基于所述掩膜，对部分所述氧化层进行第一次刻蚀形成第一开口；基于所述掩膜和所述第一开口对剩余的所述氧化层进行第二次刻蚀形成第二开口；其中，所述第一开口与所述第二开口连通，所述第一次刻蚀和所述第二次刻蚀的刻蚀工艺参数不同，所述第二开口的深度小于或等于所述第一开口宽度的预设倍；去除所述掩膜。采用上述方法制备的半导体器件内刻蚀后的氧化层侧壁和衬底连接处更平滑，避免了尖端电荷聚集造成的漏电现象，从而提升了器件的反向击穿电压。
半导体器件制备方法

[发明专利]基板处理方法和基板处理装置-CN202310319334.4在审
发明人：及川大海;高村侑矢 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2023-03-29 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L21/3115 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理方法和基板处理装置，能够形成氘的浓度高且表面的氧化被抑制的膜。本公开的一个方式的基板处理方法包括以下工序：准备在表面具有对象膜的基板；形成覆盖所述对象膜的阻挡膜；向被所述阻挡膜覆盖的所述对象膜供给氘气和氧气，来向所述对象膜注入氘；以及在将氘注入到所述对象膜后去除所述阻挡膜。
处理方法装置

[发明专利]用于蚀刻半导体结构的含碘化合物-CN202311017020.5在审
发明人：维贾伊·苏尔拉;拉胡尔·古普塔;孙卉;文卡特斯瓦拉·R·帕伦姆;南森·斯塔福德;法布里齐奥·马切吉亚尼;文森特·M·欧马杰;詹姆斯·罗耶 -专利权人：乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：披露了一种用于蚀刻含硅膜的方法。该方法包括以下步骤：将含碘蚀刻化合物的蒸气引入基板上含有含硅膜的反应腔室中，其中该含碘蚀刻化合物具有式CaHxFyIz，其中a＝1‑3，x＝0‑6，y＝1‑7，z＝1‑2，当a＝1时x+y+z＝4，当a＝2时x+y+z＝4或6，并且当a＝3时x+y+z＝6或8；将惰性气体引入该反应腔室中；以及活化等离子体以产生能够从该基板蚀刻该含硅膜的经活化的含碘蚀刻化合物。
用于蚀刻半导体结构碘化

[发明专利]具有翅片式支撑柱结构的三维存储器器件及其形成方法-CN202280016603.3在审
发明人：下村宪一;松野光一;J·阿尔斯迈耶;于继新 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2022-01-26 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明公开了一种三维存储器器件，该三维存储器器件包括：位于衬底上方的绝缘层和导电层的交替堆叠；存储器开口填充结构，这些存储器开口填充结构包括相应竖直半导体沟道和相应存储器膜；和支撑柱结构，这些支撑柱结构包括相应虚设竖直半导体沟道、相应虚设存储器膜和介电间隔物翅片的竖直堆叠，该介电间隔物翅片的竖直堆叠位于这些导电层的层级处并且插置在这些导电层与该相应虚设存储器膜之间。
具有翅片式支撑结构三维存储器器件及其形成方法

[发明专利]氧化物薄膜初始蚀刻率的优化控制方法及系统-CN202110218738.5有效
发明人：陈广伦;张凌越;姜波 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2021-02-24 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供了一种氧化物薄膜初始蚀刻率的优化控制方法及系统，用于改善热磷酸湿法刻蚀氮化硅工艺中氧化物薄膜的蚀刻率稳定性，包括设定好氧化物薄膜的初始刻蚀率；获取当前批次实际进入刻蚀槽生产的硅片的片数、硅片表面的氮化硅薄膜的厚度以及氮化硅薄膜的刻蚀面积比率，并计算氮化硅薄膜的刻蚀总量；设定好刻蚀单位厚度氮化硅薄膜时热磷酸的单位投入量，根据氮化硅薄膜的刻蚀总量及单位投入量计算得到热磷酸的投入总量；当前批次的刻蚀工艺结束后，往刻蚀槽内添加投入总量的热磷酸。通过往刻蚀槽内添加投入总量的热磷酸来稀释刻蚀槽内的溶液，降低硅离子浓度，保证各个批次氧化物薄膜的初始刻蚀率一致，从而保证氧化物薄膜刻蚀的稳定性。
氧化物薄膜初始蚀刻优化控制方法系统

[发明专利]一种刻蚀图形的形成方法及半导体器件-CN201910114567.4有效
发明人：金吉松 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2019-02-14 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明公开了一种刻蚀图形的形成方法，包括提供待刻蚀层，在待刻蚀层上形成第一刻蚀图形和介质层图形，第一刻蚀图形位于介质层图形与待刻蚀层之间，且第一刻蚀图形在待刻蚀层上的投影位于介质层图形在待刻蚀层上的投影区域内；在第一刻蚀图形的两侧分别形成第二刻蚀图形，第二刻蚀图形靠近第一刻蚀图形的侧壁与介质层图形的侧壁平齐。相比于现有技术中自对准三重图形形成时，先沉积薄膜层再刻蚀薄膜层和介质层的方式，本方法的刻蚀工艺更简单，且形成的自对准三重图形更均匀。本发明还公开了一种由该方法形成的性能更好的半导体器件。
一种刻蚀图形形成方法半导体器件

[发明专利]一种半导体器件的刻蚀方法-CN202310713043.3在审
发明人：马一鸣;杨光;王京 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2023-06-15 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件的刻蚀方法，该刻蚀方法包括：第一刻蚀阶段：利用第一刻蚀气体对目标膜层进行刻蚀，以在目标膜层上形成第一开口槽；第一刻蚀气体含有对目标膜层起刻蚀作用的第一元素和能够与目标膜层生成聚合物以保护第一开口槽的侧壁的第二元素；第二刻蚀阶段：利用第二刻蚀气体对经过第一刻蚀阶段的剩余厚度的目标膜层进行刻蚀，以增大第一开口槽的侧壁的垂直度；第二刻蚀气体含有第一元素和第二元素；第二刻蚀气体中第一元素的含量小于第一刻蚀气体中第一元素的含量；和/或，第二刻蚀气体中的第二元素的含量大于第一刻蚀气体中的第二元素的含量。本发明能够提升刻蚀速度及刻蚀均匀性，优化了侧壁形貌，能够精准传递关键尺寸。
一种半导体器件刻蚀方法

[发明专利]半导体器件处理方法-CN202110061590.9有效
发明人：张健 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-01-18 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件处理方法，包括：提供一半导体器件，所述半导体器件具有相对的待蚀刻面和非蚀刻面；在所述非蚀刻面上形成保护层；将所述半导体器件置于承载装置上，使所述待蚀刻面朝上，并将所述半导体器件的边缘夹设于多个插销之间；旋转所述承载装置，并向所述待蚀刻面喷洒蚀刻液，对所述待蚀刻面蚀刻；去除所述保护层；其中，所述保护层不溶于所述蚀刻液。本发明的半导体器件处理方法，由于在非蚀刻面上形成了保护层，在蚀刻过程中，蚀刻液不能去除该保护层，从而有效避免了蚀刻液流至半导体器件的非蚀刻面边缘而造成该边缘损伤，保证非蚀刻面的结构完整性，提高产品良率。
半导体器件处理方法

[发明专利]侧墙形成方法及半导体器件-CN202311103428.4在审
发明人：严超雄;舒思桅;伍林 -专利权人：粤芯半导体技术股份有限公司
申请日： 2023-08-30 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本申请公开了一种侧墙形成方法及半导体器件，该侧墙形成方法包括提供一基底，基底包括半导体衬底和形成于半导体衬底上的功能层；将基底放置于电感耦合等离子体反应腔中进行沉积工艺，形成覆盖半导体衬底和功能层上的沉积层；在电感耦合等离子体反应腔中对沉积层进行第一蚀刻，以形成具有预设图案的沉积层；在电感耦合等离子体反应腔中对具有预设图案的沉积层进行第二蚀刻，以去除半导体衬底上的沉积层，保留覆盖功能层侧壁的沉积层，覆盖功能层侧壁的沉积层为侧墙。本方案可以简化形成侧墙的工艺流程，从而节省其生产成本。
形成方法半导体器件

[发明专利]蚀刻方法和等离子体处理装置-CN201910116964.5有效
发明人：田端雅弘;熊仓翔 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-02-15 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供一种相对于被加工物的第二区域有选择地蚀刻被加工物的第一区域的蚀刻方法。一实施方式的蚀刻方法中，相对于含有硅和/或锗的第二区域，有选择地蚀刻含有硅和氮的第一区域。在该蚀刻方法中，使用氢等离子体，对包含第一区域的表面的第一区域的至少一部分进行改性，形成第一改性区域，使用氧等离子体，对包含第二区域的表面的第二区域的至少一部分进行改性，形成第二改性区域，使用氟等离子体，相对于第二改性区域，有选择地蚀刻第一改性区域。由此，能够相对于被加工物的第二区域有选择地蚀刻被加工物的第一区域。
蚀刻方法等离子体处理装置

[发明专利]基板处理装置-CN202211087691.4在审
发明人：松本州作;川野浩一郎;加藤视红磨 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2022-09-07 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：实施方式提供能够将半导体基板等基板的基于处理液的处理均等化的基板处理装置。实施方式的基板处理装置(1)具备：处理槽(2)，其贮存处理液，并且将由处理液处理的多个基板(W)以在预定方向上排列的状态进行容纳；内壁(3)，其以覆盖多个基板(W)的基板面及沿着排列方向的侧面的至少一部分且在该内壁(3)与处理槽(2)的底面之间存在供处理液流通的空间的方式设置于处理槽(2)的内部；及处理液喷嘴(4)，其设置于处理槽(2)的内部中的内壁(3)的外侧的位置，以在内壁(3)内形成上升流的方式开口。
处理装置

[发明专利]一种蚀刻方法、含氟气体使用方法及混合气体-CN202310789233.3在审
发明人：欧少敏;施海铭;周广伟 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明属于半导体加工技术领域，尤其涉及一种蚀刻方法、含氟气体使用方法及混合气体；于第一蚀刻材料调整步骤（910）加入特定组分的第一蚀刻材料（气体）以干预蚀刻过程中光阻PR（Photo Resist）侧壁聚合物（Polymer）的生成，进而在蚀刻同时降低聚合物的厚度和致密度；此外，还通过第二偏置功率调整步骤（920）进一步优化干预过程的指向性，在预设的偏置功率和气体流量下，约束等离子体的能量，给出了聚合物处置的优选过程；进而通过给出预设的混合气体组分，较为彻底地去除了侧壁聚合物的残留（Residue）；其实施例还公开了一种含氟气体的使用方法及与之相应的混合气体，同样可实现光阻侧壁聚合物的处置，均可适用于金属铝、钛及氮化钛等介质的蚀刻过程。
一种蚀刻方法氟气使用方法混合气体

[发明专利]半导体器件的刻蚀方法及制备方法-CN202310780992.3有效
发明人：林士闵;刘苏涛 -专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2023-06-29 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件的刻蚀方法及半导体器件的制备方法，其中，半导体器件包括衬底、第一缓冲层、非晶硅层、侧壁叠层和氧化层，该氧化层位于非晶硅层上，且氧化层为非晶硅层在自然状态下于表面氧化形成的膜层，则半导体器件的刻蚀方法包括：通过混合APM溶液和四甲基氢氧化胺溶液配制刻蚀液，然后利用该刻蚀液对半导体器件进行刻蚀，以去除半导体器件的氧化层和非晶硅层，由于APM溶液对氧化层具有刻蚀性，但对侧壁叠层不具有刻蚀性，因此，利用刻蚀液对半导体器件进行刻蚀，能够有效地去除氧化层以及非晶硅层，而不会破坏半导体器件中的侧壁叠层，如此保证了半导体器件图形的完整性，还提高了半导体器件的制备效率。
半导体器件刻蚀方法制备

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