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[发明专利]一种互连结构的形成方法-CN202210298420.7在审
发明人：纪世良;陈卓凡;王彦;张海洋 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2022-03-25 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请提供一种互连结构的形成方法，包括：提供衬底，衬底上形成有分立的金属栅极，金属栅极两侧的衬底中形成有源漏，衬底和金属栅极的表面还包括第一介质层，第一金属层贯穿第一介质层且与源漏的顶面电连接；在第一金属层和第一介质层上依次形成第二介质层和掩膜层；进行第一次刻蚀和第二次刻蚀，其中第一次刻蚀形成第一栅极接触孔和第一源漏接触孔的图案，第二次刻蚀形成第二栅极接触孔和第二源漏接触孔的图案；以图案化的掩膜层为掩膜，刻蚀第二介质层和第一介质层，形成第一栅极接触孔、第二栅极接触孔、第一源漏接触孔以及第二源漏接触孔。本申请技术方案可以解决COAG工艺中金属层损伤的问题。
一种互连结构形成方法

[发明专利]一种掺镁纳米羟基磷灰石改性的生物源性骨替代材料及其制备方法与应用-CN202211534545.1有效
发明人：刘泉;邢益菡;钟欣怡;陈卓凡 -专利权人：中山大学附属口腔医院
申请日： 2022-12-01 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C01B25/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种掺镁纳米羟基磷灰石改性的生物源性骨替代材料及其制备方法与应用，所述生物源性骨替代材料的制备方法包括以下步骤：S1、沉淀反应：将生物源性羟基磷灰石浸没于水溶性磷酸盐溶液中，在搅拌的条件下加入水溶性钙盐溶液与水溶性镁盐溶液，并调节溶液pH，发生沉淀反应，在生物源性羟基磷灰石上沉积掺镁纳米羟基磷灰石；S2、水热反应：将经过步骤S1处理后的生物源性羟基磷灰石置于有氧环境下升温至180℃～200℃，陈化至少24h；S3、过滤产物，冲洗，干燥，获得所述生物源性骨替代材料。上述生物源性骨替代材料的制备方法技术简单，原材料来源广泛，成本低廉，制备得到的生物源性骨替代材料具有良好的生物活性、无细胞毒性、低免疫原性。
一种纳米羟基磷灰石改性生物源性骨替代材料及其制备方法应用

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202210249910.8在审
发明人： 陈卓凡;金吉松 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2022-03-14 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：形成位于所述第一器件区上的第一有源区和位于所述第二器件区上的第二有源区，所述第一有源区和所述第二有源区沿第一方向延伸，所述第一有源区包括第一功能区和第一共享区；在所述衬底上形成第一栅极和第二栅极，所述第一栅极和所述第二栅极平行于第二方向，所述第一方向和所述第二方向相互垂直，所述第一栅极位于所述第一器件区上，且位于部分所述第一有源区表面，所述第二栅极位于所述第二器件区上，且位于部分所述第二有源区表面，所述第二栅极还延伸至所述第一共享区表面，在器件层将第二栅极和所述第一有源区进行电联接，不占用所述器件层上层的介质层的空间，利于提高器件密度。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201911265639.1有效
发明人： 陈卓凡;张海洋 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2019-12-11 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构及其形成方法，其中，所述形成方法包括在所述介质层上形成牺牲层和侧墙，所述牺牲层和侧墙覆盖所述栅极顶部的介质层，且暴露出至少部分所述源漏掺杂层上的介质层，所述牺牲层包括位于所述栅极顶部介质层上的第一牺牲层，所述第一牺牲层侧壁具有侧墙；形成所述牺牲层和侧墙之后，去除所述第一牺牲层；以所述图形层为掩模对所述介质层进行刻蚀处理，在所述介质层中形成第一接触孔和第二接触孔。本发明实施例能够避免对介质层进行双重图形化，避免对准误差。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]一种胶原水凝胶及其合成方法和应用-CN202310720780.6在审
发明人：刘泉;邢益菡;钟欣怡;陈卓凡 -专利权人：中山大学附属口腔医院
申请日： 2023-06-16 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： A61L27/46 文献下载
摘要：本发明属于生物材料和组织工程技术领域，具体公开一种胶原水凝胶及其合成方法和应用。本发明的胶原水凝胶由金属有机框架材料、生物源性羟基磷灰石和鼠尾胶原复合形成，不仅具有良好的机械强度与力学性能，延缓降解、维持成骨空间效果较好，而且具有骨诱导性、骨免疫调控性和促进骨再生的性能，应用在制备骨替材料中具有较大的潜力。
一种胶原凝胶及其合成方法应用

[发明专利]一种具备调控血凝块功能的水凝胶表面改性生物骨钙磷灰石颗粒材料及其制备方法-CN202310323628.4在审
发明人：陈泽涛;韩宗蒲;林义雄;高筱萌;李江波;夏睿迪;黄宝鑫;陈卓凡 -专利权人：中山大学附属口腔医院
申请日： 2023-03-30 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： A61L27/34 文献下载
摘要：本发明提供了一种具备调控血凝块结构功能的水凝胶表面改性生物骨钙磷灰石颗粒材料，其由去细胞基质的生物骨钙磷灰石颗粒和具备调控血凝块结构功能的水凝胶复合形成。本发明在生物骨钙磷灰石颗粒表面引入具备调控血凝块结构功能的水凝胶制备成具备调控血凝块结构功能水凝胶表面的改性生物骨钙磷灰石颗粒材料，不仅保留了天然骨组织原有仿生三维多孔结构，同时，改善了其与血液交互时纤维蛋白结构诱导不良的问题，匹配不同骨缺损区域的需求，具有广泛的应用前景。
一种具备调控血凝功能凝胶表面改性生物磷灰石颗粒材料及其制备方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201910107844.9有效
发明人： 陈卓凡;张海洋 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2019-02-02 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供基底；在基底上形成待刻蚀材料层；在待刻蚀材料层上形成掩膜材料层；对部分区域的掩膜材料层进行第一掺杂处理，在第一掺杂处理后，掩膜材料层包括掩膜材料层第一部分和待去除的掩膜材料层第二部分，掩膜材料层第一部分为经第一掺杂处理的部分或者掩膜材料层第二部分为经第一掺杂处理的部分；在掩膜材料层内形成第一沟槽，至少位于掩膜材料层第一部分内；去除掩膜材料层第二部分，在剩余掩膜材料层内形成第二沟槽；去除第一沟槽和第二沟槽露出的待刻蚀材料层，形成目标图形层；形成目标图形层后，去除剩余掩膜材料层。本发明提高了第一沟槽和第二沟槽的图形精度，相应提高了目标图形层中的图形精度。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]生物源性羟基磷灰石联合自体牙周膜干细胞在炎症拔牙位点即刻种植中的应用-CN202310335662.3在审
发明人：吴夏怡;王彦;陈卓凡 -专利权人：中山大学附属口腔医院
申请日： 2023-03-30 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： A61L27/12 文献下载
摘要：本发明公开了生物源性羟基磷灰石联合自体牙周膜干细胞在炎症拔牙位点即刻种植中的应用。其中，氟化羟基磷灰石为骨架，而牙周膜干细胞附着于氟化羟基磷灰石骨架表面。两者组合得到的组织工程材料能调控PDLSCs生长微环境在炎症环境中应用，减轻拔牙窝已存在的炎症，促进PDLSCs成骨分化，拓宽即刻种植技术在炎症环境适应症，促进炎症拔牙位点即刻种植成功，解决减少唇侧牙槽骨吸收这一口腔种植的美学热点和难点。
生物羟基磷灰石联合体牙周膜干细胞炎症拔牙即刻种植中的应用

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202111581749.6在审
发明人： 陈卓凡 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供基底，基底包括沿第一方向排列的工作区和隔离区，基底包括衬底、以及凸立于衬底且沿第一方向延伸的鳍部，工作区和隔离区中的鳍部侧部的衬底中形成有掩埋式电源轨，掩埋式电源轨用于加载第一电位；在栅极开口的侧壁和底部、以及鳍部的顶部和侧壁形成栅介质层；在隔离区中，在掩埋式电源轨的顶部形成贯穿栅介质层和隔离层的接触孔；在栅极开口和接触孔中形成栅电极层，栅电极层与位于隔离区中的掩埋式电源轨电连接；在工作区的栅电极层的顶部形成栅极插塞，栅极插塞用于加载第二电位，第二电位和第一电位为相反电位。简化工艺步骤，降低了隔离区中的栅电极层与工作区中的相邻部件发生短接的概率。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]一种二维磷酸铝材料及其制备方法和应用-CN202310124611.6在审
发明人：仇江珍;郭城杰;何炜潼;邓金雨;吴钦武;陈卓凡;舒绪刚 -专利权人：仲恺农业工程学院
申请日： 2023-02-16 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： C01B25/36 文献下载
摘要：本发明属于分子筛及开放骨架技术领域，具体涉及一种基于新型咔唑衍生物模板剂制备的二维磷酸铝材料ZHKU‑2，其不对称单元分子式为[C17H21N2]3[Al3(PO4)4](H2O)5，其晶体形态为单斜晶系P21/c空间群；不对称单元中的[C17H21N2]+为2‑(9H‑咔唑‑9‑基)‑N,N,N‑三甲基乙基‑1‑铵离子。该材料荧光性能优异且颜色变化极其明显，在光开关、光存储以及防伪标记等领域具有良好的应用前景，本发明还提供了成本较低、工艺简单的制备方法。
一种二维磷酸材料及其制备方法应用

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202111414653.0在审
发明人： 陈卓凡 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2021-11-25 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供基底，基底包括相邻的工作区和隔离区，基底上均形成有器件栅极结构，基底顶部形成有第一层间介质层；在隔离区中的器件栅极结构的顶部形成第一沟槽；在第一沟槽中形成牺牲层；在第一层间介质层顶部形成第二层间介质层；在第二层间介质层中形成第二沟槽，第二沟槽在基底上的投影与牺牲层在基底上的投影正交；去除第二沟槽露出的牺牲层，在第一层间介质层中形成第一接触孔；在第一接触孔中形成第一栅极插塞，第一栅极插塞用于加载第一电位；在工作区的器件栅极结构顶部形成第二栅极插塞，第二栅极插塞用于加载第二电位，第二电位和第一电位为相反电位。降低第一栅极插塞与相邻源漏掺杂区发生短接的概率。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]一种介孔孔径可调的介孔二氧化硅颗粒的制备方法-CN202011212364.8有效
发明人：陈泽涛;单正杰;武诗语;苏梦溪;谢律;施梦汝;吕春晓;陈卓凡 -专利权人：中山大学附属口腔医院
申请日： 2020-11-03 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： B01J20/10 文献下载
摘要：本发明提出一种介孔孔径可调的介孔二氧化硅颗粒的制备方法，包括以下步骤：(1)通过水解正硅酸四乙酯制备硅酸前驱体溶液；(2)通过调整硅酸前驱体溶液的浓度和溶剂种类初步对介孔二氧化硅颗粒的介孔直径进行预调控；(3)进一步通过调节硅酸前驱体溶液的PH值干预凝胶过程从而调整介孔二氧化硅颗粒的介孔直径；(4)改性；(5)分散；(6)干燥；(7)煅烧。本发明制备的介孔二氧化硅颗粒具有明显的介孔结构，较高的比表面积，细胞毒性阈值高，生物相容性好，亲水性好，介孔直径可根据负载药物和蛋白等不同的需求进行精确调整，其介孔孔径在2‑30nm之间可调，负载效率高，具有良好的生物降解性，制备方法简单易行。
一种孔径可调二氧化硅颗粒制备方法

[发明专利]半导体结构及半导体结构的形成方法-CN202110989759.7在审
发明人：姜长城;陈卓凡;张海洋 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2021-08-26 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，结构包括：衬底和衬底上的鳍部结构；位于衬底上的栅极结构、鳍部结构内的源漏掺杂区和第一介质层，栅极结构横跨鳍部结构且位于第一介质层内；位于第一介质层上的第二介质层，第二介质层内具有若干第一开口；位于第一开口内的第一导电结构，第一导电结构包括位于第一开口侧壁和底部的阻挡层和位于阻挡层表面的导电层，阻挡层的顶部表面低于导电层的顶部表面；位于第二介质层和第一导电结构上的第三介质层；位于第三介质层内的暴露出第一导电结构顶部表面的第二开口；位于第二开口底部的暴露出阻挡层顶部表面和部分导电层侧壁表面的第三开口；位于第三开口内和第二开口内的电连接层。所述半导体结构性能得到提升。
半导体结构形成方法

[发明专利]光刻胶图形及其形成方法-CN201910005475.2有效
发明人：张海洋;陈卓凡 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2019-01-03 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：一种光刻胶图形及其形成方法，方法包括：提供基底；在基底上形成初始光刻胶图形层，包括图形密集区和图形稀疏区；对初始光刻胶图形层进行至少一次蚀刻前预处理，形成光刻胶图形层，蚀刻前预处理的步骤包括：形成附着在初始光刻胶图形层表面的修整层；对表面附着有修整层的初始光刻胶图形层进行修整处理，以减小初始光刻胶图形层的侧壁与基底表面之间的角度；或者，蚀刻前预处理的步骤包括：对表面附着有修整层的初始光刻胶图形层进行修整处理以减小初始光刻胶图形层侧壁与基底表面之间的角度；形成附着在剩余初始光刻胶图形层表面的修整层。本发明实施例有利于提高图形密集区和图形稀疏区上关键尺寸的一致性、提高图形转移的精度。
光刻图形及其形成方法

[发明专利]一种基于人工智能的前牙即刻种植测量分析方法-CN202110404284.0有效
发明人：陈泽涛;林义雄;施梦汝;王小双;曾培生;龚卓弘;刘海雯;陈卓凡 -专利权人：中山大学附属口腔医院
申请日： 2021-04-15 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：为了解决即刻种植术前各项软硬组织指标测量时存在的精度不足及耗时问题，本发明提供了一种基于人工智能前牙即刻种植测量分析方法，其通过先行构建标准化前牙即刻种植相关软硬组织数据库，并依托该数据库对Resnet神经网络算法进行训练优化，搭建具备前牙即刻种植相关软硬组织测量的高精度、高可行性AI算法，临床通过输入患者的口腔硬组织数据及口腔表面数据，即可得到前牙即刻种植术前各项软硬组织及角度指标，本发明基于人工智能神经网络，旨在通过卷积神经网络算法获得前牙美学区即刻种植相关的软硬组织指标测量数据，提高测量精度及速度，减轻临床口腔医生负担，提高工作效率，促进完善的即刻种植方案的决策与制定。
一种基于人工智能即刻种植测量分析方法

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