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[发明专利]闪存装置制造中用于多晶硅－1定义非临界互补掩膜方法-CN200680010634.9无效
发明人： U·金;H·木下;Y·孙;K·阿楚塔;C·H·雷德;C·M·福斯特;H·K·萨查尔;K·S·萨霍塔 -专利权人：斯班逊有限公司
申请日： 2006-04-04 - 公布日： 2008-05-21 - 主分类号： H01L21/8239 文献下载
摘要：本发明揭露在半导体晶片中用于定义多晶硅－1(poly－1)层(220)的方法(300)。使用非临界掩膜(non－critical mask)(227)以在多晶硅－1沉积(309)之前于外围区(periphery)(216)中使场氧化物(fieldoxide)凹入等于最后多晶硅－1厚度(226)的量。使用互补非临界掩膜(222)以允许核心区(core)(215)的CMP(223)将核心区氧化物台地(core oxide mesa)(225)的顶端从浅隔离沟槽(210)中暴露出来。
闪存装置制造用于多晶定义临界互补方法

[发明专利]用于具有增加可靠度之铜金属化的焊垫结构以及其制造方法-CN200580022719.4无效
发明人： I·康;H·木下;B·Y·洪;H·和田;S·千;C·X·陈 -专利权人：斯班逊有限公司
申请日： 2005-04-29 - 公布日： 2007-07-25 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：依照一个实施范例，半导体管芯中的结构包括位于互连金属层中的金属垫(226)，该金属垫(226)含铜。该结构还包括在金属垫(226)上有一层间介电层(214)。该结构还包括界定于层间介电层(214)中的终端导孔(228)，终端导孔(228)位于金属垫(226)上，且终端导孔(228)仅沿金属垫(226)的一侧(242a、242b、242c、242d)延伸。该结构尚包括位于层间介电层(214)上且在终端导孔(228)中的终端金属层(220)。该结构进而包括位于终端金属层(220)上的介电内衬(216)，其中在介电内衬(216)中界定有焊垫开口(234)，且焊垫开口(234)使终端金属层(220)的一部分(236)露出。层间介电层(214)位于终端金属层(220)之露出部分(236)及金属垫(226)之间。
用于具有增加可靠金属化结构及其制造方法

[发明专利]于浮动栅极存储单元中用于低Vss电阻及减少漏极引发能障降低的结构及方法-CN200480040892.2有效
发明人： S·方;T·瑟盖特;K－T·张;R·法斯托;A·T·许;K·水谷;K·高;H·木下;Y·孙;H·小川 -专利权人：斯班逊有限公司
申请日： 2004-12-17 - 公布日： 2007-03-07 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：依据其中一项例示性的实施例，浮动栅极存储单元(202)包括位于衬底(204)上及位于该衬底(204)内的沟道区域(222)上方的堆叠的栅极结构(208)。该浮动栅极存储单元(202)更包括形成在邻接该堆叠的栅极结构(208)之衬底(204)内的凹槽(228)，其中该凹槽(228)具有侧壁(230)、底部(232)及深度(236)。依据此例示性的实施例，该浮动栅极存储单元(202)更包括位于邻接该凹槽(228)的侧壁(230)及在该堆叠的栅极结构(208)下方的源极(234)。该浮动栅极存储单元(202)更包括位于该凹槽(228)的底部(232)下方及该源极(234)下方之Vss连接区域(238)，其中该Vss连接区域(238)为连接至该源极(234)。位于该凹槽(228)的底部(232)下方之VSS连接区域(238)造成该源极(234)在沟道区域(222)内具有减少的侧向扩散。
浮动栅极存储单元用于 vss 电阻减少引发降低结构方法

[发明专利]于接触形成中防止接触孔宽度增加的方法-CN200480033777.2无效
发明人： D·M·霍珀;H·木下;C·吴 -专利权人：先进微装置公司
申请日： 2004-10-08 - 公布日： 2006-12-20 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：依照一个范例实施例，一种在半导体芯片中的硅化物层(214)之上形成接触的方法，包括步骤：在接触孔(208)侧壁(206、207)上和在位于接触孔(208)底部的自生氧化物层(210)上沉积阻挡层(202)，其中该侧壁(206、207)由介电层(204)中的接触孔(208)所界定。该沉积(150)阻挡层(202)于接触孔(208)的侧壁(206、207)和于自生氧化物层(210)上的步骤(150)能够最优化，而使得阻挡层(202)在接触孔(208)的顶部具有较在该接触孔(208)的底部厚的厚度。依照此范例实施例，本方法复包括移除(152)阻挡层(202)的一部分(219)和位于在接触孔(208)底部的自生氧化物层(210)，以暴露硅化物层(214)的步骤。
接触形成防止宽度增加方法