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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种晶圆承载盘和晶圆缺陷检测装置-CN202310002508.4在审
发明人：唐怡帆;孙必胜;许平康 -专利权人：上海积塔半导体有限公司
申请日： 2023-01-03 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： G01N21/95 文献下载
摘要：本申请提供了一种晶圆承载盘和晶圆缺陷检测装置，包括用于承载晶圆的承载盘，在承载盘的上表面设有若干通孔，通孔的另一端与负压源相连接，以在晶圆放置在承载盘的上表面时，负压源能够在晶圆与承载盘的上表面之间提供真空负压环境，而将晶圆吸附固定；同时，承载盘采用抗反射材料制成，其能够在晶圆进行缺陷检测时，对入射的光检测信号进行吸收，避免了现有技术中的承载盘会对入射的光检测信号进行反射，进而避免了承载盘对晶圆缺陷检测结果造成干扰的问题，提高了晶圆缺陷检测的准确性。
一种承载缺陷检测装置

[发明专利]标片结构、光学缺陷检测系统及方法-CN202210719312.2在审
发明人：吴志文;许平康 -专利权人：上海积塔半导体有限公司
申请日： 2022-06-23 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： G01N21/95 文献下载
摘要：本申请涉及一种标片结构、光学缺陷检测系统及方法，其特征在于，用于及时检测出光学缺陷检测机台的异常光强减弱缺陷，所述标片结构包括：衬底；光阻图形层，位于衬底的第一表面，包括预设数量间隔分布的缺陷图形；其中，所述光学缺陷检测机台根据比较所述标片的检测图像及预设图像的结果判断是否存在所述异常光强减弱缺陷；所述标片的所述检测图像为所述光学缺陷检测机台拍摄所述第一表面获取的图像。采用本申请所述方法可以及时发现检测系统中出现的光强减弱问题，从而更大程度上避免晶圆缺陷漏检的情况，从而提高半导体产品的良率。
结构光学缺陷检测系统方法

[发明专利]缺陷检测方法及缺陷检测系统-CN201910662387.X在审
发明人：金绍彤;许平康;方桂芹 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2019-07-22 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： G01N23/2251 文献下载
摘要：一种缺陷检测方法及缺陷检测系统，包括：提供晶圆，所述晶圆包括检测面，所述检测面具有待检测缺陷；获取所述待检测缺陷的缺陷信息；根据所述缺陷信息获取拍摄放大倍数；根据所述拍摄放大倍数对所述待检测缺陷进行拍摄处理，获取检测图像，所述检测图像包括待检测缺陷图像。本发明技术方案提供的缺陷检测方法中，先获取所述待检测缺陷的面积信息，根据所述面积信息获取拍摄放大倍数，针对不同大小的所述待检测缺陷，能够进行对应的放大倍数调节，从而获取最佳的拍摄视野。通过该方法能够一次拍摄出清晰且全面的缺陷图像，避免了后续的重新拍摄，从而提高对缺陷检测的效率。
拍摄检测缺陷检测缺陷检测系统检测图像面积信息缺陷图像缺陷信息放大晶圆放大倍数调节检测面面具清晰视野

[发明专利]晶圆缺陷扫描方法及系统、缺陷检验机台-CN201910555991.2在审
发明人： 许平康;方桂芹 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2019-06-25 - 公布日： 2019-10-01 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶圆缺陷扫描方法及系统、缺陷检验机台，晶圆缺陷扫描方法包括：将一晶圆上的每一待检测区域划分为密集区和非密集区；对每一所述待检测区域的所述密集区和所述非密集区分别以第一像素单元和第二像素单元进行缺陷扫描；其中，所述第一像素单元的像素小于所述第二像素单元的像素。应用本发明提供的方案可以提高缺陷检验机台的扫描速度和产出。
像素单元密集区机台缺陷检验待检测区域扫描晶圆缺陷缺陷扫描像素晶圆种晶应用

[发明专利]半导体检测结构及其形成方法、插塞缺陷的检测方法-CN201910493558.0在审
发明人：金绍彤;许平康;方桂芹 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2019-06-06 - 公布日： 2019-08-23 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种半导体检测结构及其形成方法、以及插塞缺陷的检测方法，其中形成方法包括：提供衬底；在所述衬底表面形成第一介质层；在所述第一介质层内形成通孔和凹槽，且所述凹槽底部暴露出通孔，所述通孔底部暴露出衬底表面；在所述通孔和凹槽内填充导电材料，在所述通孔内形成插塞，在所述凹槽内形成导电线，且所述导电线与插塞相连接；刻蚀去除所述导电线，直至暴露出插塞顶部表面。所述方法有利于对所述半导体检测结构内的插塞进行缺陷检测时，避免成本浪费。
插塞通孔半导体检测导电线衬底表面介质层暴露填充导电材料顶部表面缺陷检测检测衬底刻蚀去除

[发明专利]缺陷检测装置及其检测方法-CN201910492841.1在审
发明人： 许平康;方桂芹 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2019-06-06 - 公布日： 2019-08-16 - 主分类号： G01N21/95 文献下载
摘要：一种缺陷检测装置及其检测方法，缺陷检测装置包括：基座，用于放置待检测晶圆；第一光源，用于向所述待检测晶圆发射入射光，所述入射光经待检测晶圆的反射形成第一反射光；第一数据处理单元，用于通过第一反射光获取偏振信息；偏振装置，用于根据所述偏振信息将所述第一反射光转化为第一光学信号；第二数据处理单元，用于通过第一光学信号获取待检测晶圆的缺陷信息。所述缺陷检测装置的检出率得到提高。
缺陷检测装置晶圆检测反射光数据处理单元光学信号偏振信息入射光偏振装置缺陷信息检出率反射光源发射转化

[实用新型]一种晶圆检测设备-CN201821620774.4有效
发明人：王晓东;许平康;刘命江 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2018-09-30 - 公布日： 2019-05-31 - 主分类号： G01N23/2251 文献下载
摘要：本实用新型提供一种晶圆检测设备，所述晶圆检测设备包括：工作台，所述工作台用于承载晶圆；SEM镜头，所述SEM镜头位于所述晶圆的上方，且所述SEM镜头与所述晶圆平行设置；测距传感器，所述测距传感器的下表面与所述晶圆平行设置，所述测距传感器用于检测所述SEM镜头与所述晶圆表面之间的高度。通过具有测距传感器的晶圆检测设备，对晶圆表面的高度进行检测，从而调节SEM镜头与晶圆表面之间的距离，以补偿晶圆表面的高度差，提升SEM镜头拍摄的晶圆缺陷的照片的清晰度，用以提高检测晶圆缺陷的结果的准确度。
测距传感器晶圆表面镜头晶圆晶圆检测设备检测设备晶圆缺陷平行设置工作台种晶检测本实用新型准确度高度差下表面承载拍摄

[发明专利]缺陷检测系统及缺陷检测方法-CN201811454359.0在审
发明人： 许平康;方桂芹;黄仁德 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2018-11-30 - 公布日： 2019-04-09 - 主分类号： G01N21/95 文献下载
摘要：一种缺陷检测系统及缺陷检测方法，系统包括：定位模块，所述定位模块适于获取晶圆表面缺陷的坐标信息；位置分析模块，所述位置分析模块适于对所述坐标信息进行分析，并确定出晶圆中的特征缺陷区域；抽样分配模块，所述抽样分配模块适于根据第一抽样数指令确定出各特征缺陷区域表面缺陷中的抽样特征缺陷；图像获取模块，所述图像获取模块适于获取各抽样特征缺陷的图像信息。所述缺陷检测系统的性能得到提高。
缺陷检测系统图像获取模块抽样特征定位模块分配模块缺陷检测特征缺陷位置分析坐标信息抽样晶圆表面区域表面图像信息指令确定晶圆分析

[实用新型]卡盘销和晶圆清洗设备-CN201820638970.8有效
发明人：金绍彤;许平康;方桂芹;黄仁德 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2018-05-02 - 公布日： 2018-11-20 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种卡盘销和晶圆清洗设备，所述卡盘销包括：主体；销元件，包括销体，所述销体位于所述主体上方；传动结构，与所述销元件连接，能够带动所述销元件相对于所述主体进行自转。所述卡盘销有利于提高晶圆清洗设备对晶圆的清洗效果。
卡盘晶圆清洗设备销元件销体本实用新型传动结构清洗效果自转晶圆

[发明专利]超声波扫描方法和超声波扫描装置-CN201810611507.9在审
发明人： 许平康;刘命江;方桂芹;黄仁德 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2018-06-14 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： G01N29/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种超声波扫描方法和超声波扫描装置，所述超声波扫描方法包括：提供一待扫描晶圆，所述待扫描晶圆置于一基台上；自所述基台边缘初始扫描位置开始，采用超声波进行逐行扫描，并获取超声波的反射波波形，所述反射波波形至少包括第一波形，所述第一波形对应于扫描位置自晶圆区域进入基台区域的反射波形；当获取到所述第一波形时，移动至下一行进行扫描，且扫描方向与上一行的扫描方向相反。
超声波扫描超声波扫描装置反射波波形扫描方向扫描超声波晶圆初始扫描位置基台边缘晶圆区域扫描位置逐行扫描基台反射移动

[发明专利]接触插塞的形成方法及集成电路的制造方法-CN201810405040.2在审
发明人：金绍彤;许平康;方桂芹;黄仁德 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2018-04-28 - 公布日： 2018-09-04 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种接触插塞的形成方法及集成电路的制造方法，在对接触孔进行金属填充之前，先在基底上形成一应力调整层，以使所述应力调整层的应力与接触孔填充时形成的金属层的应力至少部分抵消，从而保证了接触插塞的形成质量，避免了基底因受到金属过大的应力而发生变形及翘曲度增大的情况，保证了基底在允许的范围内发生变形及翘曲度变化，进而保障了器件的正常工作，提高了半导体器件的成品率。
接触插塞基底应力调整层接触孔翘曲度集成电路变形半导体器件金属填充成品率金属层增大的填充抵消制造保证金属

[发明专利]扫描接触孔断路缺陷的方法-CN201810020521.1在审
发明人： 许平康;方桂芹;黄仁德 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2018-01-10 - 公布日： 2018-07-17 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本公开涉及半导体装置的接触孔断路缺陷的检测方法。其中一个实施例提供了一种改进的扫描接触孔断路缺陷的方法，其包括：对衬底上的隔离层中刻蚀的接触孔进行超声波扫描；根据超声波扫描的结果，判定是否存在具有断路缺陷的接触孔；以及当判定存在具有断路缺陷的接触孔时，确定具有断路缺陷的接触孔的位置。
接触孔断路缺陷超声波扫描判定扫描半导体装置隔离层衬底刻蚀检测改进

[发明专利]缺陷检测方法-CN201711065125.2在审
发明人： 许平康;方桂芹;黄仁德 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2017-11-02 - 公布日： 2018-03-30 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种缺陷检测方法，包括获取所述第一缺陷的第一缺陷位置；获取所述第二缺陷的第二缺陷位置；在第一拍摄位置处对第一缺陷进行拍摄处理，获取第一图像，所述第一图像中具有第一缺陷图像位置，所述第一缺陷图像位置对应于所述第一缺陷的中心；根据第一缺陷图像位置和第一偏移矢量获取第二偏移矢量；通过所述第二偏移矢量对所述第二缺陷位置进行补偿，获取第二拍摄位置，自第二缺陷位置指向所述第二拍摄位置的矢量等于所述第二偏移矢量；在所述第二拍摄位置处对所述第二缺陷进行拍摄处理，获取第二图像。所述缺陷检测方法能够增加所述第二拍摄位置的精度，从而能够使第二图像中具有所述第二缺陷的图像，进而能够提高缺陷捕捉成功率。
缺陷检测方法

[发明专利]缺陷检测方法-CN201711027200.6在审
发明人： 许平康;方桂芹;黄仁德 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2017-10-27 - 公布日： 2018-03-23 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种缺陷检测方法，包括对第一灰度信息和第二灰度信息进行比较处理，如果所述第二灰度信息与所述第一灰度信息不匹配，优化所述待测位置并重复所述第二图像获取步骤至所述第二灰度信息与所述第一灰度信息匹配时，获取所述第二图像。所述比较处理能够判断所述第二图像中是否包括所述待处理缺陷的图像，从而能够防止由于测量误差导致所述第二图像中不具有所述待处理缺陷的图像。因此，所述检测方法能够提高缺陷捕捉成功率。
缺陷检测方法

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