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[发明专利]MOS晶体管的伪有源区的结构和制造方法-CN202210745964.3在审
发明人：周天宇;薛培堃;陈明志 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2022-06-28 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种MOS晶体管的伪有源区的结构，在有源区的周边形成有多个由场氧隔离出的伪有源区。各伪有源区呈条形结构，伪有源区的长度方向和有源区的长度方向平行。伪有源区的长度小于有源区的长度。在沿有源区的长度边上设置有多个伪有源区阵列块。在沿有源区的宽度方向上，伪有源区阵列块由多个伪有源区以及位于伪有源区之间的场氧交替排列而成，伪有源区阵列块中的多个场氧防止在有源区的周边出现通过伪有源区形成的漏电通道，从而降低MOS晶体管的漏电。本发明还公开了一种MOS晶体管的伪有源区的制造方法。本发明能防止伪有源区本身形成漏电通道，从而能降低相邻有源区中的MOS晶体管之间的漏电。
mos 晶体管有源结构制造方法

[实用新型]一种基于CMOS工艺的TVS器件-CN201520847782.2有效
发明人：高秀秀;陈利;张军亮;姜帆;高耿辉 -专利权人：厦门元顺微电子技术有限公司;大连连顺电子有限公司;友顺科技股份有限公司
申请日： 2015-10-29 - 公布日： 2016-02-17 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本实用新型公开基于CMOS工艺的TVS器件，包括衬底，衬底上设有N阱区，N阱区上设有N1+有源注入区、P1+有源注入区、N2+有源注入区、ZP有源注入区，N1+有源注入区、P1+有源注入区、N2+有源注入区、ZP有源注入区依次从左到右排列，ZP有源注入区上设有N3+有源注入区、P23+有源注入区，P1+有源注入区连接N2+有源注入区，P1+有源注入区和N2+有源注入区都连接至输入或输出I/O端，N1+有源注入区连接N3+有源注入区，N1+有源注入区和N3+有源注入区都连接至电源VDD端，P23+有源注入区连接GND端。
一种基于 cmos 工艺 tvs 器件

[发明专利]半导体测试结构和包含其的晶圆-CN202011536772.9有效
发明人：朱丽霞;高超 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2020-12-23 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体测试结构和包含其的晶圆，该测试结构包括：有源区，其包括沿顺时针方向依次形成的第一有源区、第二有源区、第三有源区和第四有源区，连接第一有源区和第二有源区第一沟道区，连接第二有源区和第三有源区的第二沟道区，连接第三有源区和第四有源区的第三沟道区，以及连接第四有源区和第一有源区的第四沟道区；栅极，其包括形成于第一有源区和第二有源区之间的第一栅极，形成于第二有源区和第三有源区之间的第二栅极，形成于第三有源区和第四有源区之间的第三栅极，形成于第四有源区和第一有源区之间的第四栅极。
半导体测试结构包含

[发明专利]半导体结构及其制作方法、存储器系统-CN202211586228.4在审
发明人：华文宇 -专利权人：芯盟科技有限公司
申请日： 2022-12-09 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本公开实施例公开了一种半导体结构，包括：有源柱阵列，包括呈阵列排布的第一有源柱和第二有源柱，第一有源柱和第二有源柱均包括沟道区以及分别位于沟道区沿第一方向相对两端的第一有源区和第二有源区，第一方向为沟道区延伸的方向；字线，环绕第一有源柱和第二有源柱；第一存储结构，位于有源柱阵列的第一侧，与第一有源柱的第一有源区电连接；第二存储结构，位于有源柱阵列的第二侧，与第二有源柱的第二有源区电连接；第一侧以及第二侧为有源柱阵列沿第一方向相对的两侧；第一位线，位于有源柱阵列的第二侧，与第一有源柱的第二有源区连接；第二位线，位于有源柱阵列的第一侧，与第二有源柱的第一有源区连接。
半导体结构及其制作方法存储器系统

[发明专利]半导体结构及其制作方法、存储器系统-CN202211586621.3在审
发明人：华文宇 -专利权人：芯盟科技有限公司
申请日： 2022-12-09 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本公开实施例公开了一种半导体结构，包括：有源柱阵列，包括呈阵列排布的第一有源柱和第二有源柱，第一有源柱和第二有源柱均包括沟道区以及分别位于沟道区沿第一方向相对两端的第一有源区和第二有源区；第一有源区在第一平面的投影面积大于沟道区在第一平面的投影面积；和/或，第二有源区在第一平面的投影面积大于沟道区在第一平面的投影面积；第一存储结构，位于有源柱阵列的第一侧，与第一有源柱的第一有源区电连接；第二存储结构，位于有源柱阵列的第二侧，与第二有源柱的第二有源区电连接；第一位线，位于有源柱阵列的第二侧，与第一有源柱的第二有源区连接；第二位线，位于有源柱阵列的第一侧，与第二有源柱的第一有源区连接。
半导体结构及其制作方法存储器系统

[实用新型]半导体存储装置-CN202120962589.9有效
发明人：张钦福;程恩萍;冯立伟;童宇诚 -专利权人：福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2021-05-07 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体存储装置，半导体存储装置包括衬底、有源结构、以及浅沟槽隔离。有源结构设置在衬底中，包括第一有源区和第二有源区。第一有源区包括多个有源区单元，第二有源区设置在第一有源区外侧，并直接连接一部分的有源区单元，其中第二有源区包括多个第一开口，设置在第二有源区的侧边上。浅沟槽隔离设置在衬底中，围绕有源结构。
半导体存储装置

[发明专利]半导体器件及其设计版图-CN202110545949.X在审
发明人：刘冲;卓明川;曹秀亮;伍思昕;金晓亮 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2021-05-19 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件及其设计版图，半导体器件的设计版图包括衬底和栅极，所述衬底包括有源区和隔离区，所述有源区包括垂直交错的第一有源分区和第二有源分区，所述第一有源分区的宽度为有源区的设计特征尺寸，第一有源分区将第二有源分区切断，且第二有源分区与第一有源分区之间的距离为一设定值；所述栅极设置于所述第一有源分区两侧的衬底上，且所述栅极与所述第一有源分区之间存在一设定距离。本发明中第一有源分区切断的第二有源分区在光刻后会形成连续的第二有源分区，以使光刻后有源区的光刻特征尺寸更接近有源区的设计特征尺寸，减少或避免因光刻特征尺寸过大导致的有源区和栅极连通，从而避免半导体器件漏电
半导体器件及其设计版图

[发明专利]一种有源电力滤波装置-CN201210091179.7无效
发明人：陈家良;黄川;陈勐;朱莹 -专利权人：上海市电力公司
申请日： 2012-03-30 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： H02J3/01 文献下载
摘要：本发明涉及一种有源电力滤波装置，包括主有源电力滤波装置和若干个从有源电力滤波装置，其中：所述的主有源电力滤波装置和从有源电力滤波装置分别与电网连接，所述的主有源电力滤波装置通过光纤与所述的从有源电力滤波装置连接本发明是一种基于主从有源滤波器结构的有源电力滤波装置，包括一个主有源电力滤波装置和若干个从有源电力滤波装置，根据不同个数的从有源电力滤波装置的组合，可灵活配置不同容量的有源电力滤波装置，从而使得现场的扩容更为方便
一种有源电力滤波装置

[发明专利]用于提高半导体成品率的测试单元-CN200580051313.9无效
发明人：布莱恩·斯蒂尼;维克特·基齐;马克·茨沃尔德;斯特凡诺·托奈罗 -专利权人： PDF全解公司
申请日： 2005-06-16 - 公布日： 2008-09-17 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种用于定位缺陷的测试单元(100)，包括第一有源区(110)、基本上平行于第一有源区的第二有源区(120)、基本上平行于第一和第二有源区的第三有源区(130)、在第一和第二有源区之间形成的第四有源区(115)，以及在第二和第三有源区之间形成的第五有源区(125)。第四和第五有源区是在第二有源区的相对的端部分的附近形成的。第四和第五有源区还基本上垂直于第二有源区。
用于提高半导体成品率测试单元

[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法、显示器件-CN201310752923.8有效
发明人：郑在纹;崔仁哲;崔星花 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方光电科技有限公司
申请日： 2013-12-31 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜晶体管及其制备方法、显示器件，该薄膜晶体管包括有源层、刻蚀阻挡层、源电极和漏电极，有源层包括：至少一个第一有源部分以及位于第一有源部分两侧且与第一有源部分连接的第二有源部分和第三有源部分；至少一个第一有源部分被刻蚀阻挡层覆盖，且其纵向宽度小于第二有源部分和/或第三有源部分；第二有源部分和第三有源部分被第一有源部分上的刻蚀阻挡层的横向延伸部部分覆盖，其中，当第一有源部分的纵向宽度小于第二有源部分时，第二有源部分与源电极形成边翼接触，当第一有源部分的纵向宽度小于第三有源部分时，第三有源部分与漏电极形成边翼接触。
薄膜晶体管及其制备方法显示器件

[发明专利]一种双有源区激光器芯片及制备方法-CN202010683005.4在审
发明人：周立;苟于单;王俊;程洋;郭银涛;肖啸 -专利权人：苏州长光华芯光电技术有限公司;苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
申请日： 2020-07-15 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：本发明提供了一种双有源区激光器芯片及制备方法，其中，双有源激光器芯片包括：依次设置的衬底、下有源区和上有源区；上有源区中包括上有源区量子阱；下有源区中包括下有源区量子阱；上有源区量子阱与下有源区量子阱的材料为InxGa1‑xAs，且上有源区量子阱的InxGa1‑xAs材料中的铟组分x大于下有源区量子阱的InxGa1‑xAs材料中的铟组分x；上有源区量子阱的厚度大于下有源区量子阱的厚度。本发明提供的双有源激光器芯片中，较少的铟组分和较小的厚度可以使下有源区的激射波长较短，实现了对下有源区因工作结温较高导致的激射波长较上有源区激射波长较高的补偿，使得双有源区激光芯片输出的光谱与单有源区激光芯片输出的光谱的展宽相差较小
一种有源激光器芯片制备方法

[发明专利]半导体结构及其制作方法、存储器系统-CN202211576538.8有效
发明人：华文宇;张浩 -专利权人：芯盟科技有限公司
申请日： 2022-12-09 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本公开实施例公开了一种半导体结构及其制作方法、存储器系统，半导体结构包括：有源柱阵列，包括呈阵列排布的第一有源柱和第二有源柱，第一有源柱和第二有源柱均包括沟道区以及分别位于所述沟道区沿第一方向相对两端的第一有源区和第二有源区，第一方向为沟道区延伸的方向；第一存储结构，位于有源柱阵列的第一侧，与第一有源柱的第一有源区电连接；第二存储结构，位于有源柱阵列的第二侧，与第二有源柱的第二有源区电连接；第一侧以及第二侧为有源柱阵列沿第一方向相对的两侧；第一位线，位于有源柱阵列的第二侧，与第一有源柱的第二有源区连接；第二位线，位于有源柱阵列的第一侧，与第二有源柱的第一有源区连接。
半导体结构及其制作方法存储器系统

[发明专利]有源钳位电路-CN202080009232.7在审
发明人： A.拉迪克 -专利权人：阿帕尔斯电力股份有限公司
申请日： 2020-01-08 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： H02M3/335 文献下载
摘要：一种有源钳位电路，包括：有源钳位开关，所述有源钳位开关具有漏极节点和源极节点；有源钳位电容器，所述有源钳位电容器与所述有源钳位开关以串联组合进行耦合；延迟电路；以及有源钳位控制器电路，所述有源钳位控制器电路耦合到所述有源钳位开关和所述延迟电路所述有源钳位控制器电路被配置为i)接收基于跨所述有源钳位开关的所述漏极节点和所述源极节点产生的电压的有源钳位开关电压，ii)基于所述有源钳位开关电压的电压幅值而启用所述有源钳位开关，以及iii)基于由所述延迟电路产生的延迟信号而禁用所述有源钳位开关
有源电路

[发明专利]半导体装置-CN202210577919.1在审
发明人：林士尧;李筱雯;蔡雅怡;张书维;林志翰;古淑瑗 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-05-25 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：多个通道自基底延伸并穿过隔离区域，此些通道包括一有源通道和一非有源通道。一虚置鳍部设置在隔离区域上且位于有源通道和非有源通道之间。一有源栅极设置在有源通道和非有源通道的上方且接触隔离区域。一介电材料延伸穿过有源栅极并接触虚置鳍部的顶部。此非有源通道是一最接近介电材料的非有源通道。此有源通道的长轴在第一方向上延伸。此有源栅极的长轴在第二方向上延伸。此有源通道从基底沿着第三方向延伸。介电材料更靠近非有源通道而不是更靠近有源通道。
半导体装置

[发明专利]半导体存储装置及其形成方法-CN202110495955.9有效
发明人：张钦福;程恩萍;冯立伟;童宇诚 -专利权人：福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2021-05-07 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体存储装置及其形成方法，半导体存储装置包括衬底、有源结构、以及浅沟槽隔离。有源结构设置在衬底中，包括第一有源区和第二有源区。第一有源区包括多个有源区单元，第二有源区设置在第一有源区外侧，并直接连接一部分的有源区单元，其中第二有源区包括多个第一开口，设置在第二有源区的侧边上。浅沟槽隔离设置在衬底中，围绕有源结构。
半导体存储装置及其形成方法

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