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[发明专利]光检测器-CN201980021327.8在审
发明人：杉浦裕树;井上晓登 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2019-03-12 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：固体摄像元件(100)具备：P型的半导体基板(10)；N型的第一半导体层(11)，位于半导体基板(10)的上方，在第一区域(A1)中与半导体基板(10)接合；以及N型的第二半导体层(12)，在比第一区域(A1)靠外侧的第二区域(A2)中位于半导体基板(10)及第一半导体层(11)之间，其杂质浓度比第一半导体层(11)的杂质浓度低。半导体基板(10)及第一半导体层(11)形成APD1；在半导体基板(10)的厚度方向上，第二半导体层(12)达到比半导体基板(10)及第一半导体层(11)的边界部(14)靠下方的位置。
检测器

[发明专利]半导体装置-CN202110096447.3在审
发明人：王培宇;王培勋 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-01-25 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本公开实施例提供一种半导体装置，半导体装置包括第一半导体带，自基板凸起；第二半导体带，自基板凸起；隔离材料，围绕第一半导体带与第二半导体带；纳米片结构，位于第一半导体带上，其中纳米片结构与第一半导体带隔有含栅极材料的第一栅极结构，其中第一栅极结构部分地围绕纳米片结构；以及第一半导体通道区与第二半导体通道区，位于第二半导体带上，其中第一半导体通道区与第二半导体通道区隔有含栅极材料的第二栅极结构，其中第二栅极结构延伸于第二半导体带的上表面上
半导体装置

[发明专利]用于在堆叠纳米带装置上的双金属栅的插塞和凹进过程-CN202011552927.8在审
发明人： N·托马斯;M·K·哈珀;L·P·古勒尔;M·拉多萨尔耶维奇;T·迈克罗斯 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本文所公开的实施例包括半导体装置以及制作这类装置的方法。在实施例中，半导体装置包括：多个堆叠半导体沟道，包括第一半导体沟道以及在第一半导体沟道之上的第二半导体沟道。在实施例中，间距是在第一半导体沟道与第二半导体沟道之间。半导体装置进一步包括栅电介质，该栅电介质包围多个堆叠半导体沟道的半导体沟道的单独半导体沟道。在实施例中，第一功函数金属包围第一半导体沟道，而第二功函数金属包围第二半导体沟道。
用于堆叠纳米装置双金属凹进过程

[发明专利]高电子迁移率晶体管及其制作方法-CN202110189435.5在审
发明人：林永丰;周钰杰;林琮翔;庄理文 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2021-02-19 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种高电子迁移率晶体管，其中半导体通道层及半导体阻障层设置于基底上。图案化半导体保护层设置于半导体阻障层上，且图案化半导体盖层设置于图案化半导体保护层及半导体阻障层之间。层间介电层覆盖图案化半导体盖层及图案化半导体保护层，且层间介电层包括闸极接触洞。闸极电极设置于闸极接触洞内且电连接该图案化半导体盖层，其中闸极电极及图案化半导体盖层之间存在图案化半导体保护层。图案化半导体保护层的电阻率介于图案化半导体盖层的电阻率及层间介电层的电阻率之间。
电子迁移率晶体管及其制作方法

[发明专利]半导体器件和包括该半导体器件的ESD保护器件-CN202210301498.X在审
发明人：斯特芬·霍兰;汉斯-马丁·里特;吉多·诺特曼斯 -专利权人：安世有限公司
申请日： 2022-03-25 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件、静电放电保护器件以及器件。更具体地说，本发明涉及一种特别适合作为静电放电保护用部件的半导体器件。该半导体器件的特征在于，其包括第一结构，该第一结构包括：第二电荷类型的第三半导体区域；第一电荷类型的第四半导体区域，其与第三半导体区域间隔开；以及第一连接元件，其被配置为将第三半导体区域电连接到第四半导体区域，其中第三半导体区域被布置在第一半导体区域和第四半导体区域之间，并且其中第四半导体区域被布置在第二半导体区域和第三半导体区域之间。
半导体器件包括 esd 保护器件

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN202111653603.8在审
发明人：陈柏安 -专利权人：新唐科技股份有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种半导体结构及其制造方法，该半导体结构包括基板、第一氮化物半导体层、第二氮化物半导体层、第三氮化物半导体层、第四氮化物半导体层以及第五氮化物半导体层。第一氮化物半导体层以及第二氮化物半导体层堆叠于基板上。第三氮化物半导体层以及第四氮化物半导体层设置于第二氮化物半导体层之上且位于源极电极以及漏极电极之间，并具有第一P型掺杂。第五氮化物半导体层设置于第三氮化物半导体层之上，具有第二P型掺杂。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]半导体器件以及在LAB期间控制翘曲的方法-CN202210782561.6在审
发明人： W·小阿尔维斯布拉甘卡;K·O·金 -专利权人：星科金朋私人有限公司
申请日： 2022-07-05 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：一种半导体器件具有半导体管芯以及设置在与半导体管芯的有源表面相对的半导体管芯的背面上的支撑带。半导体晶圆的背面的一部分被去除以减小其厚度。半导体管芯是半导体晶圆的一部分，并且晶圆被单体化以在支撑带被设置在半导体管芯的背面上的情况下提供半导体管芯。支撑带可以是聚酰亚胺带。切割带被设置在支撑带上。半导体管芯被设置在衬底上。激光发射被投射到半导体管芯上以将半导体管芯接合到衬底。支撑带提供应力消除，以避免半导体管芯在激光发射期间的翘曲。从半导体管芯的背面去除支撑带。
半导体器件以及 lab 期间控制方法

[发明专利]半导体封装-CN202210926111.X在审
发明人：池永根;姜芸炳;李相勋;李忠善 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-08-03 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： H01L23/13 文献下载
摘要：一种半导体封装包括第一半导体芯片，第一半导体芯片包括第一半导体基板和穿透第一半导体基板的至少一部分的多个第一贯通电极。多个第二半导体包括第二半导体基板，所述多个第二半导体芯片堆叠在第一半导体芯片上。多个接合焊盘布置在第一半导体芯片和所述多个第二半导体芯片之间。芯片接合绝缘层布置在第一半导体芯片和所述多个第二半导体芯片之间。至少一个支撑虚设基板堆叠在所述多个第二半导体芯片上并具有布置在其下表面上的支撑接合绝缘层。
半导体封装

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN201410425711.3有效
发明人：蒋莉 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2014-08-26 - 公布日： 2018-10-16 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成至少一个隔离结构；在所述隔离结构两侧的半导体衬底内形成第一凹槽，所述第一凹槽深度小于所述隔离结构的深度；在所述第一凹槽内填充满第一半导体材料层，且第一半导体材料层高于所述半导体衬底，所述高于半导体衬底的第一半导体材料层呈分立结构；在所述半导体衬底、隔离结构、第一半导体材料层上形成第一连接层；去除高于半导体衬底的第一半导体材料层和第一连接层。采用本发明的方法可以提高后续形成的半导体器件的有源区的均一性。
半导体结构形成方法

[发明专利]半导体装置的制造方法和半导体装置-CN201510641550.6有效
发明人：森弘就;渡部格;西谷佳典 -专利权人：住友电木株式会社
申请日： 2015-09-30 - 公布日： 2019-07-12 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明提供半导体装置的制造方法和半导体装置。半导体装置的制造方法包括：准备构造体的工序，该构造体具备粘附部件和粘贴在粘附部件的粘附面的半导体晶片，半导体晶片的电路形成面粘贴在粘附部件的粘附面；在半导体晶片的电路形成面粘贴有粘附部件的状态下，沿着半导体晶片的切割区域，在半导体晶片的电路形成面的相反侧的面形成多个规定宽度的切槽的工序；使处于流动状态的半导体密封用树脂组合物与半导体晶片接触，将半导体密封用树脂组合物填充到切槽内，并且利用半导体密封用树脂组合物将半导体晶片的电路形成面的相反侧的面覆盖密封的工序；和使半导体密封用树脂组合物固化的工序。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体器件失配特性的检测结构及检测方法-CN201110319213.7有效
发明人：甘正浩;黄威森 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-10-19 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：一种半导体器件失配特性的检测结构及检测方法，其中，所述半导体器件失配特性的检测结构包括：半导体衬底，位于半导体衬底表面的若干相同的半导体器件，所述半导体器件等角度地围成至少一个圆环。由于所述半导体器件失配特性的检测结构中的半导体器件具有不同的摆放角度，通过对比不同摆放角度半导体器件的差值或标准差，判断在半导体晶圆上不同的摆放角度对半导体器件失配特性的影响，从而获得制作工艺、半导体晶片对半导体器件的电学参数失配所造成的影响，从而为设计者设计集成电路版图时半导体器件的最佳摆放位置提供帮助，并且为减小制造过程中造成的MOS晶体管失配特性提供参考。
半导体器件失配特性检测结构方法

[发明专利]半导体器件以及集成半导体器件-CN201110145906.9有效
发明人：岛田学;黑田真实 -专利权人：索尼公司
申请日： 2011-06-01 - 公布日： 2011-12-14 - 主分类号： G11C8/00 文献下载
摘要：本发明提供了半导体器件和半导体集成器件。该半导体器件包括：半导体标识符保持部件，配置为保持用于标识半导体器件的半导体标识符；以及控制部件，配置以使得一旦在接收到保持半导体标识符的外部输入指令之后经过预定时间段，控制部件就发布保持紧接在下游的半导体器件的半导体标识符的指令给紧接在该半导体器件下游的半导体器件，以及在接收到外部输入指令的时间点与发布保持其半导体标识符的指令给紧接在下游的半导体器件的时间点之间的时间段期间，控制部件使得半导体标识符保持部件保持外部输入标识符。
半导体器件以及集成

[发明专利]在半导体管芯和载体上形成粘合材料的方法和半导体器件-CN201110254325.9有效
发明人： R.A.帕盖拉 -专利权人：新科金朋有限公司
申请日： 2011-08-31 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明涉及一种在半导体管芯和载体上形成粘合材料的方法以及半导体器件。半导体器件具有安装到载体的多个半导体管芯。粘合材料布置在半导体管芯和载体的一部分上面以固定半导体管芯到载体。粘合材料沉积在半导体管芯的侧面和载体的表面上面。粘合材料可以沉积在半导体管芯的拐角上面或半导体管芯的侧面上面或半导体管芯的周界附近。密封剂沉积在半导体管芯和载体上面。粘合材料减小密封期间半导体管芯相对于载体的偏移。粘合材料被固化且载体被去除。粘合材料也可以被去除。互连结构在半导体管芯和密封剂上面形成。半导体管芯通过密封剂和互连结构分割。
半导体管芯载体形成粘合材料方法半导体器件

[发明专利]具有堆叠半导体管芯的半导体器件结构-CN201611193565.1有效
发明人：高敏峰;杨敦年;刘人诚;黄薰莹 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-12-21 - 公布日： 2019-12-27 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种半导体器件结构，半导体器件结构包括第一半导体管芯和第二半导体管芯。半导体器件结构还包括位于第一半导体管芯和第二半导体管芯之间的钝化层，以及钝化层直接接合至第二半导体管芯的第二层间介电层。半导体器件结构还包括位于通穴中并且直接接合至第二半导体管芯的第二导电线的导电部件。半导体器件结构还包括位于导电部件和钝化层之间的第二阻挡层，第二阻挡层覆盖导电部件的侧壁和导电部件的靠近第一半导体管芯的表面。本发明实施例涉及具有堆叠半导体管芯的半导体器件结构。
具有堆叠半导体管芯半导体器件结构

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN200710122884.8有效
发明人：林哲也;星正胜;下井田良雄;田中秀明;山上滋春 -专利权人：日产自动车株式会社
申请日： 2007-07-06 - 公布日： 2008-01-09 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置的制造方法。制备由半导体材料制成的半导体衬底，并在半导体衬底上形成异质半导体区，以在异质半导体区和半导体衬底之间的界面处形成异质结。异质半导体区由带隙与该半导体材料的带隙不同的半导体材料制成，异质半导体区的一部分包括膜厚薄于异质半导体区的其它部分的膜厚的膜厚控制部分。通过以等于膜厚控制部分的膜厚的厚度氧化异质半导体区，形成与异质结相邻的栅绝缘膜。在栅绝缘膜上形成栅电极。这使得可以制造包括具有较低的导通电阻以及较高的绝缘特性和可靠性的栅绝缘膜的半导体装置。
半导体装置制造方法