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[发明专利]有减小横向场终止距离的竖直取向半导体器件及相应方法-CN202310277063.0在审
发明人：斯特凡·伯格伦德;斯特芬·霍兰;蒂姆·伯切尔;裴晟佑 -专利权人：安世有限公司
申请日： 2023-03-21 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种竖直取向半导体器件和制造该竖直取向半导体器件的方法，该竖直取向半导体器件包括具有第一主表面的半导体主体，该半导体主体包括第一导电类型的第一区、第二导电类型的第二区，其中，所述第二区与所述第一区相邻，使得在所述第一区和所述第二区之间设置有结，所述结具有距所述第一主表面的最大距离，其中，所述半导体器件还包括沟槽，该沟槽从第一主表面延伸至半导体主体中，该沟槽的延伸深度至少等于所述最大距离，其中，所述沟槽包括布置成提供电绝缘的材料，从而限制与所述结相关联的横向场终止距离。
减小横向终止距离竖直取向半导体器件相应方法

[发明专利]静电放电保护器件-CN202310026365.0在审
发明人：汉斯-马丁·里特;斯特芬·霍兰;马库斯·默根斯 -专利权人：安世有限公司
申请日： 2023-01-09 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本公开的各方面涉及静电放电ESD保护器件。根据本公开，提供一种ESD保护器件，其包括第一单元与第二高压单元的串联连接，其中第一单元具有强的快速回跳和低的串联电容，所述第二高压单元显示了相对高的保持/触发电压，以确保ESD保护器件的闩锁和不当触发，同时提供在低电容负载情况下的高电压操作。
静电放电保护器件

[发明专利]半导体装置和制造半导体装置的方法-CN202211708418.9在审
发明人：约阿希姆·乌茨格;斯特芬·霍兰;沃尔夫冈·施尼特;汉斯-马丁·里特 -专利权人：安世有限公司
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本公开涉及一种包括具有高钳位电压的装置(HVC装置)和OTS装置的半导体装置。该半导体装置提供了非常有利的ESD保护。半导体装置可以以两种方式实现：OTS装置和具有高钳位电压的装置可以被实现为组合在一个半导体封装件中的分立的、独立的装置，或者OTS装置可以通过集成而被集成到具有高钳位电压的装置的互连层中。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体器件和包括该半导体器件的ESD保护器件-CN202211708033.2在审
发明人：汉斯-马丁·瑞特;斯特芬·霍兰;约亨·韦南茨 -专利权人：安世有限公司
申请日： 2022-12-28 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：提供一种半导体器件，包括其上集成有电子部件的半导体管芯，电子部件包括半导体管芯中的区域。区域包括：具有第一电荷类型的第一区域，其被配置为电连接到第一器件端子；具有第二电荷类型的第二区域，其被布置为与第一区域相邻并与其构成第一PN结；具有第一电荷类型的第三区域，其被布置为与第二区域相邻并与其构成第二PN结，第三区域通过第二区域与第一区域间隔开，且被配置为电连接到第二器件端子；以及具有第一电荷类型的第四区域，其被布置为与第二区域相邻并与其构成第三PN结，第四区域通过第二区域与第一区域和第三区域间隔开。半导体器件还包括电子单元，其被配置为电连接在第一器件端子、第二器件端子和第四区域之间，且被配置为：在操作期间，根据第一器件端子和第二器件端子上的电压的极性来提供第四区域与第一器件端子之间的第一电流路径或第四区域与第二器件端子之间的第二电流路径。
半导体器件包括 esd 保护器件

[发明专利]一种半导体器件及制造方法-CN202211501160.5在审
发明人： 斯特芬·霍兰;汉斯-马丁·里特 -专利权人：安世有限公司
申请日： 2022-11-28 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明的公开涉及一种半导体器件和制造方法，该器件包括至少三个区域，其中每个区域包括掺杂有第一类型电荷载流子的第一类型层和掺杂有第二类型电荷载流子的第二类型层，其中第一类型层和第二类型层沿着每个区域横向地定位，其中第一类型层和第二类型层具有相反的极性，其中一区域的第一类型层基本上横跨相邻区域的第二类型层定位，并且一区域的第二类型层基本上横跨相邻区域的第一类型层定位，并且其中每个区域包括掺杂有第二类型电荷载流子的第二类型阱，其中第二类型阱围绕至少第一类型层定位。
一种半导体器件制造方法

[发明专利]半导体器件-CN201711200350.2有效
发明人：斯特凡·伯格伦德;森克·哈贝尼希特;斯特芬·霍兰;提姆·伯切尔 -专利权人：安世有限公司
申请日： 2017-11-21 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：一种半导体器件及其制造方法。该器件包括具有主表面和背表面的半导体衬底。该器件还包括双极型晶体管。该双极型晶体管包括：集电极区域，位于半导体衬底中；基极区域，位于集电极区域内且邻近主表面安置；发射极区域，位于基极区域内且邻近主表面安置；以及集电极端子，位于半导体衬底的主表面上。该集电极端子包括：第一导电部分，电连接至集电极区域；电阻部分，电连接至第一导电部分；以及第二导电部分，用于允许与集电极端子进行外部电连接。第二导电部分经由电阻部分电连接至第一导电部分。
半导体器件

[发明专利]半导体器件和制造方法-CN201811281480.8有效
发明人： 斯特芬·霍兰;Z·潘;约亨·韦南茨;汉斯-马丁·里特;托比亚斯·斯普罗杰斯;托马斯·伊格尔-霍尔特岑多夫;沃尔夫冈·施尼特;约阿希姆·乌茨格 -专利权人：安世有限公司
申请日： 2018-10-23 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种半导体器件和制造半导体器件的方法。该半导体器件包括半导体衬底和位于衬底上的半导体层；至少一个浅沟槽和至少一个深沟槽。至少一个浅沟槽和至少一个深沟槽中的每个从半导体层的第一主表面延伸。沟槽的侧壁区域和基底区域包括掺杂沟槽区，并且沟槽至少部分地填充有与掺杂区域接触的导电材料。浅沟槽终止于半导体层中，并且深沟槽终止于半导体衬底中。
半导体器件制造方法

[发明专利]沟槽栅极金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法-CN202211279876.5在审
发明人：洪培恒;斯特芬·霍兰;奇莫伊·考德;马诺耶·库马尔 -专利权人：安世有限公司
申请日： 2022-10-19 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种金属氧化物半导体场效应晶体管，包括具有第一主表面的半导体主体和从第一主表面延伸到半导体主体中并连接到栅极区的沟槽；半导体主体包括：具有第一导电类型的源极区，其在第一主表面处与沟槽的侧壁相邻；具有第一导电类型的漏极区，其在远离源极区的位置与沟槽相邻；具有与第一导电类型相反的第二导电类型的沟道容纳区，其与沟槽的侧壁相邻并位于源极区和漏极区之间，半导体主体还包括具有第一导电类型的静电放电区，其与沟槽间隔开并且从第一主表面朝向漏极区延伸但不延伸到漏极区中，其中静电放电区包括具有第二导电类型的第一区，第一区连接到栅极区。
沟槽栅极金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法

[发明专利]半导体器件和包括该半导体器件的ESD保护器件-CN202210301498.X在审
发明人： 斯特芬·霍兰;汉斯-马丁·里特;吉多·诺特曼斯 -专利权人：安世有限公司
申请日： 2022-03-25 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件、静电放电保护器件以及器件。更具体地说，本发明涉及一种特别适合作为静电放电保护用部件的半导体器件。该半导体器件的特征在于，其包括第一结构，该第一结构包括：第二电荷类型的第三半导体区域；第一电荷类型的第四半导体区域，其与第三半导体区域间隔开；以及第一连接元件，其被配置为将第三半导体区域电连接到第四半导体区域，其中第三半导体区域被布置在第一半导体区域和第四半导体区域之间，并且其中第四半导体区域被布置在第二半导体区域和第三半导体区域之间。
半导体器件包括 esd 保护器件

[发明专利]半导体装置和半导体装置的制造方法-CN202110894943.3在审
发明人：汉斯-马丁·里特;斯特芬·霍兰;吉多·诺特曼斯;约阿希姆·乌茨格;纳加拉杰·瓦桑莎·库马尔·瓦达基雷 -专利权人：安世有限公司
申请日： 2021-08-05 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本公开涉及一种半导体装置，包括：第一n+区域；第一p+区域，其位于第一n+区域内；第二n+区域；第二p+区域，其位于第一n+区域与第二n+区域之间。第一n+区域、第二n+区域和第二p+区域位于p‑区域内。第一空间电荷区域和第二空间电荷区域形成在p‑区域内。第一空间区域位于第一n+区域与第二p+区域之间，第二空间区域位于第二p+区域与第二n+区域之间。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置和制造半导体装置的方法-CN201610984852.8有效
发明人：托尼·坎姆普里思;莱奥·范海默特;汉斯·范赖克福塞尔;萨沙·默勒;哈特莫特·布宁;斯特芬·霍兰;黄仪光 -专利权人：安世有限公司
申请日： 2016-11-09 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： H01L23/492 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体装置和一种制造半导体装置的方法。该装置包括半导体衬底，该半导体衬底具有主表面、背面以及在该主表面和该背面之间延伸的侧表面。该半导体装置还包括穿过该衬底的该背面延伸的至少一个金属层。该至少一个金属层的外围部分朝向包含该主表面的平面延伸，该至少一个金属层的该外围部分位于该背面和该侧表面中的至少一个侧表面之间的该衬底的边缘处。这可以防止位于该至少一个金属层的该外围部分的毛刺干扰该衬底的该背面安装在载体的表面上。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置-CN201610862453.4有效
发明人：森克·哈贝尼希特;斯特芬·霍兰 -专利权人：安世有限公司
申请日： 2016-09-28 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置(300)，该半导体装置(300)包括：掺杂的半导体衬底(302)；安置在该衬底的顶部上的外延层(304)，该外延层具有浓度比该衬底低的掺杂物；安置在该外延层的顶部上的切换区；以及安置在该外延层的顶部上的接触扩散(350)，该接触扩散(350)具有浓度比该外延层高的掺杂物；其中该外延层在该接触扩散与该衬底之间形成阻挡层。
半导体装置

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201911241615.2在审
发明人：斯特凡·伯格伦德;斯特芬·霍兰 -专利权人：安世有限公司
申请日： 2019-12-06 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： H01L29/732 文献下载
摘要：本发明涉及一种双极晶体管半导体装置，包括：衬底层；由衬底层支撑的集电极外延层；由集电极外延层的一部分支撑的基极区域；以及由基极区域的一部分支撑的发射极区域，其中，发射极区域包括多晶硅材料。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体器件-CN201610052223.1有效
发明人：潘之昊;弗里德里希·哈恩;斯特芬·霍兰;奥拉夫·普芬尼希斯多夫;约亨·韦南茨;汉斯-马丁·里特 -专利权人：安世有限公司
申请日： 2016-01-26 - 公布日： 2019-03-22 - 主分类号： H01L29/45 文献下载
摘要：半导体器件及其制造方法。所述器件包括设置在芯片级封装(CSP)中的半导体衬底。所述器件还包括设置在衬底主表面上的多个接触。所述器件还包括在半导体衬底的背部上形成欧姆接触的电浮置金属层。所述器件可操作为传导电流，所述电流从所述多个接触中的第一接触经由背部上的金属层通过所述衬底到达所述多个接触中的第二接触。
半导体器件

[发明专利]用于静电放电的载流子旁路-CN201711164693.8在审
发明人： 斯特芬·霍兰;汉斯-马丁·里特 -专利权人：安世有限公司
申请日： 2017-11-21 - 公布日： 2018-05-29 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本公开的各个方面涉及可用于分流电流的电路系统。可与一个或多个实施例一致的第一电路具有布置在阳极端和阴极端之间的多个交替的p型半导体区域和n型半导体区域，其间具有相应的p‑n结。例如旁路电路的第二电路连接到所述交替的p型半导体区域和n型半导体区域中的一个区域，并与其形成另外的p‑n结。所述第二电路工作以提供影响所述第一电路的工作的载流子流动。
载流子电路交替的电路连接电路系统分流电流静电放电旁路电路阳极端阴极端可用旁路流动

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