专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201911259682.7在审
  • 王楠 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
  • 2019-12-10 - 2021-06-11 - H01L21/336
  • 一种半导体结构及其形成方法,方法包括:提供基底,包括自下而上依次堆叠的底部半导体层、牺牲半导体层和顶部半导体层,基底上形成有栅极结构,栅极结构两侧基底内形成有源漏掺杂区,源漏掺杂区底部位于牺牲半导体层底部上方;刻蚀源漏掺杂区露出的基底形成沟槽,沟槽至少贯穿顶部半导体层和牺牲半导体层;对沟槽侧壁露出的牺牲半导体层进行横向刻蚀,形成由底部半导体层、牺牲半导体层和顶部半导体层围成的第一凹槽;在沟槽中形成隔离结构,且隔离结构与底部半导体层、牺牲半导体层和顶部半导体层在第一凹槽的位置处围成空气隙。通过形成空气隙,以隔离源漏掺杂区和底部半导体层,从而减小漏电流和寄生电容,进而提高半导体结构的性能。
  • 半导体结构及其形成方法
  • [发明专利]半导体存储装置-CN202010817821.X在审
  • 大贺淳;福田夏树;矢吹宗 - 铠侠股份有限公司
  • 2020-08-14 - 2021-09-14 - H01L25/18
  • 本发明的实施方式提供一种得当地动作的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备第1芯片及第2芯片。第1芯片具备半导体衬底、及设置在半导体衬底的表面的多个晶体管。第2芯片具备多个第1导电层、多个第1半导体层、以及设置在多个第1导电层与多个第1半导体层的交叉部的多个存储单元。另外,第2芯片具备:第2半导体层,比多个第1导电层离半导体衬底远,且相接在多个第1半导体层;第3半导体层,比第2半导体层离半导体衬底远,且相接在第2半导体层;及第1绝缘层,包含比第3半导体层离半导体衬底远的部分、及相接在第2半导体层的部分。
  • 半导体存储装置
  • [发明专利]半导体结构及其制造方法-CN202110431359.4在审
  • 肖德元;郁梦康;苏星松;白卫平;平尔萱 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2021-04-21 - 2022-10-21 - H01L27/108
  • 本发明实施例提供一种半导体结构及其制造方法,半导体结构包括:基底;半导体位线,半导体位线位于基底上;半导体通道,半导体通道位于半导体位线表面,在沿基底指向半导体位线的方向上,半导体通道包括依次排列的第一掺杂区、沟道区以及第二掺杂区,第一掺杂区与半导体位线相接触,且半导体位线与半导体通道具有相同的半导体元素;字线,字线环绕沟道区设置;介质层,介质层位于半导体位线与字线之间,且还位于字线远离基底的一侧;电容结构本发明实施例有利于在提高半导体结构的集成密度的同时,降低半导体结构工作时的功耗。
  • 半导体结构及其制造方法
  • [发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法-CN202211228858.4在审
  • 月东绫则 - 三菱电机株式会社
  • 2022-10-08 - 2023-04-14 - H01L29/861
  • 提供在大电流且大电压的恢复动作中能够对半导体层完全耗尽进行抑制,能够对由大电流且大电压的恢复动作中的半导体层的完全耗尽导致的半导体装置的破损进行抑制的半导体装置以及半导体装置的制造方法。半导体装置具有:第1导电型的第1半导体层,其设置于半导体基体中的第2主面侧;第1导电型的第2半导体层,其与第1半导体层相比设置于第1主面侧,第1导电型的杂质浓度比第1半导体层低;以及第2导电型的第3半导体层,其与第2半导体层相比设置于第1主面侧,半导体基体的厚度方向上的第3半导体层的杂质浓度分布具有多个峰值,第3半导体层的厚度W满足某条件式。
  • 半导体装置制造方法
  • [发明专利]半导体封装件-CN202210577991.4在审
  • 朴玄睦 - 三星电子株式会社
  • 2022-05-25 - 2023-04-11 - H10B80/00
  • 提供了一种半导体封装件。所述半导体封装件包括:半导体结构,包括:第一接合半导体芯片;第二接合半导体芯片,位于第一接合半导体芯片上,第二接合半导体芯片在水平方向上的剖面面积小于第一接合半导体芯片在水平方向上的剖面面积;芯片连接垫,位于第一接合半导体芯片与第二接合半导体芯片之间;以及线接合垫,位于第一接合半导体芯片上且位于第二接合半导体芯片的外侧;第一堆叠半导体芯片,位于半导体结构上,并且包括位于其上表面上的第一芯片垫;以及第二堆叠半导体芯片,位于第一堆叠半导体芯片上以暴露第一芯片垫,并且包括位于其上表面上的第二芯片垫。
  • 半导体封装
  • [发明专利]半导体结构-CN202111512288.7在审
  • 陈柏安 - 新唐科技股份有限公司
  • 2021-12-07 - 2023-02-17 - H01L29/778
  • 一种半导体结构,该半导体结构包括基板、第一氮化物半导体层、第二氮化物半导体层、源极电极、漏极电极、第三氮化物半导体层、第四氮化物半导体层、第五氮化物半导体层以及栅极电极。第一氮化物半导体层以及第二氮化物半导体层依序堆叠于基板之上。源极电极以及漏极电极设置于第一氮化物半导体层之上。第四氮化物半导体层、第五氮化物半导体层、第三氮化物半导体层以及栅极电极依序堆叠于第二氮化物半导体层的顶面且位于源极电极以及漏极电极之间。第三氮化物半导体层以及第四氮化物半导体层具有P型掺杂。
  • 半导体结构
  • [发明专利]半导体产品结构的构建方法、装置、电子设备及存储介质-CN202310917667.7在审
  • 吴俊;姜李飞;马力斯 - 上海孤波科技有限公司
  • 2023-07-24 - 2023-09-15 - G06F16/28
  • 本申请提供了一种半导体产品结构的构建方法、装置、电子设备及存储介质,该方法包括:获取管理用户构建的多个半导体产品分类以及半导体产品分类之间的层级关系、半导体产品的属性类别;在属性类别对应的关联界面中,获取管理用户在半导体产品分类中选取的与属性类别关联的半导体产品分类;按照半导体产品分类之间的层级关系,将半导体产品分类展示到半导体产品结构构建界面中,以使管理用户根据与半导体产品分类关联的属性类别,在半导体产品结构构建界面中添加半导体产品,得到半导体产品结构。通过本申请的方法,能够构建半导体产品结构,使管理用户对半导体产品进行有效管理,直观了解半导体产品之间的关联关系。
  • 半导体产品结构构建方法装置电子设备存储介质
  • [发明专利]半导体结构的形成方法、晶体管的形成方法-CN201210122579.X有效
  • 刘佳磊 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2012-04-24 - 2013-10-30 - H01L21/336
  • 一种半导体结构的形成方法、一种晶体管的形成方法,其中所述半导体结构的形成方法包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底的材料为硅,在所述半导体衬底表面形成半导体层,在所述半导体层表面形成硬掩膜层;刻蚀所述硬掩膜层、半导体层和半导体衬底形成若干沟槽;在形成所述沟槽后,去除所述硬掩膜层;在去除硬掩膜层后,对所述半导体衬底和半导体层进行热氧化,使相邻沟槽之间的半导体衬底被完全氧化,在所述沟槽内表面和半导体层顶部形成氧化层;在热氧化后,去除所述氧化层,形成悬空于所述半导体衬底的纳米线。本发明所述半导体结构的形成方法节约成本,所形成的纳米线易与基于硅衬底的其他半导体器件集成。
  • 半导体结构形成方法晶体管
  • [发明专利]功率半导体布置、具有多个该布置的功率半导体模块以及包含多个该模块的模块组装件-CN201210291910.0无效
  • F.杜加尔 - ABB技术有限公司
  • 2012-08-16 - 2013-03-06 - H01L23/14
  • 本发明名称为“功率半导体布置、具有多个功率半导体布置的功率半导体模块以及包含多个功率半导体模块的模块组装件”。本发明提供功率半导体布置(1),其包括含钼层(4)的基板(2),以及安放到基板(2)顶面并与之电耦合及热耦合的功率半导体器件(3),其中基板(2)包含金属安放基底(6),金属安放基底(6)设置在半导体器件(3)与钼层(4)之间并防止钼层(4)与半导体器件(3)形成高电阻金属间相。本发明进一步提供半导体模块,特别是具有多个半导体布置的功率半导体模块,其中功率半导体布置(1)的基板(2)是公共基板(2)。本发明还提供模块组装件,特别是功率半导体模块组装件,其包含多个功率半导体模块,其中半导体模块互相并排设置且相邻半导体模块之间有电连接。
  • 功率半导体布置具有模块以及包含组装
  • [发明专利]半导体装置-CN200710300712.5无效
  • 米田阳树 - 三洋电机株式会社
  • 2007-12-25 - 2008-07-02 - H01L29/78
  • 本发明提供一种半导体装置,该半导体装置具备:第一导电型的第一半导体层,其在基板的上表面上形成;第一导电型的第二半导体层,其在第一半导体层上形成;第一导电型的第三半导体层,其在第二半导体层上形成;第二导电型的第四半导体层,其在第三半导体层上形成;第一导电型的第五半导体层,其在第四半导体层上形成;和电极,在以至少贯通第五半导体层、第四半导体层及第三半导体层且到达第二半导体层的方式形成的沟部内,隔着绝缘膜而被形成。第二半导体层的上表面被配置得比电极的下端部更靠近上侧。
  • 半导体装置
  • [实用新型]一种抗干扰半导体结构-CN201721410001.9有效
  • 张跃宏 - 镇江佳鑫精工设备有限公司
  • 2017-10-27 - 2018-05-18 - H01L23/64
  • 本实用新型公开了一种抗干扰半导体结构,半导体结构包括半导体干扰组件和干扰层组件,半导体干扰组件包括半导体芯片、辅助互感器、半导体集成板和半导体芯片安装板,半导体集成板的上表面固定设置有半导体芯片安装板,半导体芯片安装板的上表面中间位置处固定设置有半导体芯片;半导体芯片放置盒内部形成密封的环境,在半导体芯片放置盒的内壁处设置有屏蔽层,因屏蔽层由第一屏蔽层、第二屏蔽层、第三屏蔽层和第四屏蔽层组成,通过多层防护,降低半导体芯片对外部元器件干扰和外部元器件干扰半导体芯片,在安装板的底面设置有引脚,随后通过引脚把半导体芯片放置盒放置到外接的集成板上,给使用者带来便利。
  • 一种抗干扰半导体结构

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