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[发明专利]半导体晶片的保护方法及半导体晶片保护用粘着膜-CN200510002444.X有效
发明人：小清水孝信;片冈真;宫川诚史;福本英树;才本芳久 -专利权人：三井化学株式会社
申请日： 2005-01-20 - 公布日： 2005-08-03 - 主分类号： H01L21/30 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体晶片加工工序中的半导体晶片保护方法及用于该保护方法的半导体晶片保护用粘着膜。该保护方法具备把在基材膜的一面形成了粘着剂层的半导体晶片保护用粘着膜粘贴到半导体晶片的电路形成面的第一工序、对粘贴了该半导体晶片保护用粘着膜的半导体晶片进行加热的第二工序、把粘贴了该半导体晶片保护用粘着膜的半导体晶片固定在磨削机或研磨机上来加工半导体晶片电路非形成面的第三工序、以及从半导体晶片剥离半导体晶片保护用粘着膜的第四工序。通过该半导体晶片保护方法，即使对半导体晶片进行薄层化至厚度小于等于150μm左右，也能够矫正半导体晶片的翘曲，防止晶片输送时的破损。
半导体晶片保护方法粘着

[发明专利]反并联二极管装置-CN201811187244.X有效
发明人：赵传珍 -专利权人：立积电子股份有限公司
申请日： 2018-10-12 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：所述反并联二极管装置包括第一半导体、第二半导体、第三半导体以及第三二极管。第一半导体的导电型为第一导电型，而第二半导体的导电型与第三半导体的导电型为第二导电型。第二半导体接触于第一半导体，使得第一半导体与第二半导体形成第一二极管。第三半导体接触于第一半导体，使得第一半导体与第三半导体形成第二二极管。第三二极管的第一端电性连接至第一半导体。
并联二极管装置

[发明专利]光发送设备-CN201880094936.1有效
发明人：大和屋武 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2018-07-12 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：本发明的光发送设备(60)具备：半导体激光器芯片(61)，其形成有具有在第一半导体基板(1)形成的多个分布反馈式半导体激光器(31)的半导体激光器阵列(30)；和半导体波导路芯片(62)，其形成有在第二半导体基板(21)形成并且具有与半导体激光器(31)相同数量的半导体调制器(41)的半导体调制器阵列(40)。光发送设备(60)将波导路(12)与波导路(13)对接来连接，使得半导体激光器阵列(30)的各个半导体激光器(31)中的半导体调制器阵列侧的波导路(12)的端面、与半导体调制器阵列(40)的各个半导体调制器(41)中的半导体激光器阵列侧的波导路(13)的端面的距离为10μm以内。
发送设备

[发明专利]半导体器件、制造方法、摄像元件和电子设备-CN201880019844.7有效
发明人：津川英信 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2018-04-13 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：本发明涉及可以减少堆叠有两个以上半导体基板的堆叠结构的制造步骤的数量的半导体器件、制造方法、摄像元件和电子设备。半导体器件具有至少第一半导体基板和第二半导体基板堆叠的堆叠结构，在第一半导体基板中，第一布线层堆叠在第一半导体层上，在第二半导体基板中，第二布线层堆叠在第二半导体层上。第一半导体基板和第二半导体基板电气连接且至少穿过第一半导体层的贯通孔形成在嵌入式氧化膜内部，该嵌入式氧化膜是在执行形成于第一半导体层中的半导体元件的元件隔离时形成的。本技术能够应用于例如堆叠式半导体器件。
半导体器件制造方法摄像元件电子设备

[发明专利]半导体元件-CN201780069747.4有效
发明人：成俊锡;崔炳均;玄九 -专利权人：苏州立琻半导体有限公司
申请日： 2017-11-10 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：实施例提供了一种半导体元件，包括：多个半导体结构，每个半导体结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、设置在第一导电半导体层和第二导电半导体层之间的有源层、以及延伸穿过第二导电半导体层和有源层并到第一导电半导体层的部分区域的第一凹口；第二凹口，设置在多个半导体结构之间；第一电极，设置在第一凹口处并电连接到第一导电半导体层；反射层，设置在第二导电半导体层下方；和突出部分，设置在第二凹口上并且比半导体结构的上表面突出得更高，其中在第一凹口中第一电极与第一导电半导体层进行接触的表面到半导体结构的上表面的距离为
半导体元件

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN202010035212.9有效
发明人：请求不公布姓名 -专利权人：清纯半导体（宁波）有限公司
申请日： 2020-01-13 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：第一导电类型半导体层；若干第一半导体区域，第一半导体区域是第二导电类型，设置在第一导电类型半导体层内，若干第一半导体区域在第一方向上延伸；若干第二半导体区域，第二半导体区域是第二导电类型，在第二方向延伸，设置在第一导电类型半导体层内且位于相邻的两个第一半导体区域之间，与相邻的两个第一半导体区域接触。本发明实施例提供的半导体器件，结场效应区和第二半导体区域的宽度可以调节，可以通过减小结场效应区的宽度来减小半导体器件的晶胞尺寸。
一种半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201910709932.6有效
发明人：石田贵士;杉本尚丈;菅野裕士;冈本达也 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2019-08-01 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H10B43/30 文献下载
摘要：本发明的实施方式提供一种能够减小半导体层内的晶粒的粒径的半导体装置及其制造方法。根据一实施方式，半导体装置具备：第1半导体层，作为具有导电性的多晶半导体层；第2半导体层，设置在所述第1半导体层上，作为具有导电性且粒径比所述第1半导体层小的多晶半导体层；及多个电极层，在第1方向相互隔开而积层于所述第2半导体层上。所述装置还具备：第3半导体层，在所述第1半导体层、所述第2半导体层、及各所述电极层内，以在所述第1方向延伸的方式设置，且以与所述第2半导体层相接的方式设置；及电荷储存层，设置于所述多个电极层与所述第3半导体层之间
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体激光器元件和半导体激光器器件-CN201010100012.3无效
发明人：今西大介 -专利权人：索尼公司
申请日： 2010-01-22 - 公布日： 2010-11-10 - 主分类号： H01S5/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体激光器元件和半导体激光器器件，该半导体激光器元件包括：第一半导体层；具有电流注入区域的有源层；第二半导体层；第三半导体层；以及用于将电流注入所述有源层中的电极。在该半导体激光器元件中，第一半导体层、有源层、第二半导体层以及第三半导体层被依次层叠在衬底上，第一半导体层具有约束有源层的电流注入区域的电流约束层，第三半导体层形成在第二半导体层的上表面上对应于有源层的电流注入区域的区域中，电极形成在第二半导体层的上表面上除第三半导体层的区域以外的区域中。
半导体激光器元件器件

[发明专利]半导体装置和存储卡-CN201110159558.0无效
发明人：儿玉亲亮;伊东干彦 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2007-12-27 - 公布日： 2011-10-12 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置和具有该半导体装置的存储卡，该半导体装置包括：封装衬底；第一半导体芯片至第四半导体芯片，具有长方形的上表面，沿一个长边设置有多个焊盘；以及上述第一半导体芯片和上述第二半导体芯片以使未设置上述焊盘的长边彼此接触的方式在上述封装衬底上并列配置，上述第三半导体芯片和上述第四半导体芯片以使未设置上述焊盘的长边彼此接触、且使上述第三半导体芯片和上述第四半导体芯片的短边与上述第一半导体芯片和上述第二半导体芯片的短边交叉的方式并列地层叠在上述第一半导体芯片和上述第二半导体芯片上
半导体装置存储

[发明专利]半导体发光器件和氮化物半导体发光器件-CN200810088422.3无效
发明人：驹田聪 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2008-03-26 - 公布日： 2008-10-01 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体发光器件，其包括n型半导体层、有源层、n型半导体层和有源层之间的第一p型半导体层，以及在有源层的与第一p型半导体层相对的侧上的第二p型半导体层。此外，本发明涉及氮化物半导体发光器件，其包括n型氮化物半导体层、氮化物半导体有源层、n型氮化物半导体层和氮化物半导体有源层之间的第一p型氮化物半导体层、以及在氮化物半导体有源层的与第一p型氮化物半导体层相对的侧上的第二p型氮化物半导体层。
半导体发光器件氮化物

[实用新型]绝缘隔离半导体器件-CN201521087032.6有效
发明人：张常军;季锋;王平;陈祖银 -专利权人：杭州士兰微电子股份有限公司;杭州士兰集成电路有限公司
申请日： 2015-12-22 - 公布日： 2016-08-24 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：公开了一种绝缘隔离半导体器件。所述绝缘隔离半导体器件包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底上的第一半导体层；位于所述第一半导体层上的第二半导体层；位于所述第二半导体层中的半导体岛；以及围绕所述半导体岛的底部和侧壁的第一绝缘隔离层，其中，所述第一绝缘隔离层包括由所述第一半导体层的一部分形成的在所述半导体岛的底部延伸的第一部分，以及由所述第二半导体层的一部分形成的在所述半导体岛的侧壁延伸的第二部分。所述绝缘隔离半导体器件无需使用SOI，从而可以降低制造成本。
绝缘隔离半导体器件

[实用新型]一种便于维修的半导体封装框架-CN202020816006.7有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：王广运
申请日： 2020-05-16 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种便于维修的半导体封装框架，特别是涉及半导体封装技术领域，便于维修的半导体封装框架包括：框板。该种便于维修的半导体封装框架，通过弹簧，将半导体夹在夹条之间，同时通过磁板之间的相吸，进行提高夹条之间的稳定性，从而不需要通过胶水粘接半导体，进而便于拆卸维修半导体的工作；当夹条夹住半导体的时候，通过穿管，不仅可以进一步限制夹条的移动方向，而且还便于将引脚穿过穿管与半导体焊接；当在夹持半导体之前，通过抽动抽板，利用吸盘吸住半导体，可以起到稳定半导体的作用，从而便于夹持半导体，克服了现有技术中将半导体用胶水粘接在框架上拆卸过于不便，从而导致不便于进行维修半导体的工作等缺陷。
一种便于维修半导体封装框架

[发明专利]具有包含不同材料取向或组成的纳米线或半导体主体的共衬底半导体器件-CN201180075728.5有效
发明人： A·卡佩拉尼;P·G·托尔钦斯基;K·J·库恩;G·A·格拉斯;V·H·勒 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2011-12-23 - 公布日： 2014-08-20 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：描述了具有纳米线或半导体主体的共衬底半导体器件和用于形成这种共衬底器件的方法，其中所述纳米线或半导体主体具有不同材料取向或组成。例如，半导体结构包括具有设置于结晶衬底之上的第一纳米线或半导体主体的第一半导体器件。所述第一纳米线或半导体主体由具有第一全局晶体取向的半导体材料组成。所述半导体结构还包括具有设置于所述结晶衬底之上的第二纳米线或半导体主体的第二半导体器件。所述第二纳米线或半导体主体由具有不同于所述第一全局取向的第二全局晶体取向的半导体材料组成。所述第二纳米线或半导体主体通过设置于所述第二纳米线或半导体主体与所述结晶衬底之间的隔离基座与所述结晶衬底隔离。
具有包含不同材料取向组成纳米半导体主体衬底半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN200580000611.5无效
发明人：岩渊昭夫;相泽和也 -专利权人：三垦电气株式会社
申请日： 2005-02-25 - 公布日： 2006-08-16 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括：P－型半导体衬底(15)；在P－型半导体衬底(15)上形成的N型半导体区(21)；在N型半导体区(21)的表面区域形成、且与接地电极(1)电连接的上侧P型半导体区(13)；在上侧P型半导体区(13)之下形成的下侧P型半导体区(14)；与漏电极(2)电连接的第1N⁺型半导体区(22)；起沟道形成区作用的P型半导体区(19)；与背栅电极(5)电连接的P⁺型半导体区(12)；与源电极(4)电连接的第2 N⁺型半导体区(23)；以及P型半导体区(19)上的栅电极(3)和栅绝缘膜(31)；下侧P型半导体区(14)延伸到第1N⁺型半导体区(22)侧。
半导体器件

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201611180344.0在审
发明人：侯皓程;郑荣伟;王宗鼎;刘名哲 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-12-19 - 公布日： 2017-08-15 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种半导体器件包括半导体衬底、在半导体衬底上的导电焊盘、在导电焊盘上方的导体。半导体器件进一步具有环绕半导体衬底、导电焊盘和导体的模塑料。在半导体器件中，导体具有短钉形状。本发明的实施例还提供了另一种半导体器件以及制造半导体器件的方法。
半导体器件及其制造方法