专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体装置以及功率器件-CN202310310606.4在审
  • 岛田浩行 - 精工爱普生株式会社
  • 2023-03-27 - 2023-10-17 - H01L29/78
  • 半导体装置以及功率器件,能够降低导通电阻。半导体装置具有:导电型彼此相同的第一半导体部以及第二半导体部,它们沿着第一方向配置;第三半导体部,其设置于第一半导体部与第二半导体部之间,杂质浓度比第一半导体部以及第二半导体部低;第四半导体部,其设置于第二半导体部与第三半导体部之间,杂质浓度比第一半导体部以及第二半导体部低;栅极绝缘层以及栅极电极,它们设置于第三半导体部的与第一方向交叉的第二方向;以及电介质部,其设置于第四半导体部的第二方向,电介质部由带隙比构成第四半导体部的材料大且相对介电常数比构成第四半导体部的材料大的材料构成,在对栅极电极施加了规定的电压的情况下,在第四半导体部形成耗尽层。
  • 半导体装置以及功率器件
  • [发明专利]一种半导体结构及其形成方法-CN201010501694.9有效
  • 梁擎擎;徐秋霞;钟汇才;朱慧珑 - 中国科学院微电子研究所
  • 2010-09-30 - 2012-05-09 - H01L29/06
  • 一种半导体结构,所述半导体结构形成于第一半导体层上,所述半导体结构包括主纳米线、纳米线组和两个半导体基体;各所述半导体基体包括至少两个第二半导体层,各所述第二半导体层形成于绝缘层上,在各所述半导体基体之间,各所述第二半导体层及各所述绝缘层一一对应;所述纳米线组包括至少两个纳米线,所述主纳米线、各所述纳米线分立且均包含第三半导体层,所述第二半导体层与所述第一半导体层和/或所述第三半导体层材料不同;所述主纳米线与靠近所述第一半导体层的对应的所述第二半导体层相接;各所述纳米线与各对应的所述第二半导体层一一相接;各所述纳米线在所述第一半导体层上的投影重合。以及,一种半导体结构的形成方法。利于增加集成度。
  • 一种半导体结构及其形成方法
  • [发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201310070789.3无效
  • 奥村秀树 - 株式会社东芝
  • 2013-03-06 - 2014-01-01 - H01L29/78
  • 本发明涉及半导体装置及其制造方法。该半导体装置具备第一~第四半导体层、栅极、场板电极、绝缘膜、第一、第二主电极及绝缘部。第一、第二半导体层为第一导电型。第二半导体层设置在第一半导体层之上、杂质浓度比第一半导体层低。第三半导体层设置在第二半导体层之上、具有第一部分和第二部分、杂质浓度比第二半导体层低。第四半导体层为第一导电型。栅极从第四半导体层朝第二半导体层延伸、下端处于第二半导体层。场板电极设置在栅极下侧、下端处于第二半导体层。绝缘膜设置在栅极与第四半导体层之间。第一主电极与第一半导体层电连接。第二主电极与第三半导体层及第四半导体层电连接。绝缘部使第一部分与第二部分电绝缘。
  • 半导体装置及其制造方法
  • [发明专利]半导体装置-CN201510553436.8无效
  • 山下浩明;小野升太郎;浦秀幸;志村昌洋 - 株式会社东芝
  • 2015-09-02 - 2016-10-05 - H01L29/78
  • 实施方式的半导体装置具有第一导电型的第一半导体层、第二导电型的多个第二半导体区域、第二导电型的第三半导体区域、第一导电型的第四半导体区域、栅极电极、绝缘层、以及第一电极。第一半导体层具有多个第一半导体区域。各个第二半导体区域设置在第一半导体区域彼此之间。第三半导体区域设置在第二半导体区域上。第四半导体区域设置在第三半导体区域上。绝缘层设置在栅极电极与第三半导体区域之间。第一电极具有第一部分与第二部分。第一部分连接于第一半导体区域。第二部分相对于第一部分设置在第四半导体区域侧。第一电极设置在第一半导体区域上及第二半导体区域上。第一电极设置在第四半导体区域的周围。
  • 半导体装置
  • [发明专利]半导体装置-CN201510329019.5在审
  • 佐藤信幸 - 株式会社东芝
  • 2015-06-15 - 2016-06-22 - H01L23/58
  • 本发明提供能够精度更良好地进行过热检测的半导体装置。根据一实施方式,半导体装置包括:支撑部件、设置在支撑部件上且具备过热检测电路的半导体芯片、设置在半导体芯片上且具备功率半导体元件的半导体芯片、和将支撑部件、半导体芯片以及半导体芯片封固的封固部件。过热检测电路配置在半导体芯片之下。
  • 半导体装置

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